ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них – H01L 29/00

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/02 .полупроводниковые подложки
H01L 29/04 ..отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости
с дефектом кристаллической решетки  29/30
H01L 29/06 ..отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей
H01L 29/08 ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
H01L 29/10 ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами
H01L 29/12 ..отличающиеся материалами, из которых они образованы
H01L 29/15 ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки
такие структуры, применяемые для управления светом  G 02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах  H 01S 5/34
H01L 29/16 ...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде
H01L 29/161 ....содержащие несколько элементов, предусмотренных в  29/16
H01L 29/165 .....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/167 ....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/18 ...только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей
H01L 29/20 ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV
H01L 29/201 ....включая два или более соединения
H01L 29/205 .....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/207 ....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/22 ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI
H01L 29/221 ....включая два или более соединения
H01L 29/225 .....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/227 ....отличающиеся легирующими материалами
H01L 29/24 ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в  29/1629/1829/20,  29/22
содержащие органические материалы  51/00
H01L 29/26 ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в  29/1629/1829/2029/22 и  29/24
H01L 29/267 ....в разных полупроводниковых областях
H01L 29/30 ..отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность
H01L 29/32 ...с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки
H01L 29/34 ...с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки
H01L 29/36 ..отличающиеся концентрацией или распределением примесей
H01L 29/38 ..отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках  29/04,  29/0629/1229/30 и  29/36
H01L 29/40 .электроды 
H01L 29/41 ..отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением
H01L 29/417 ...пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
H01L 29/423 ...не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
H01L 29/43 ..отличающиеся материалами, из которых они сформированы
H01L 29/45 ...электроды с омическим сопротивлением
H01L 29/47 ...электроды с барьером Шотки
H01L 29/49 ...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник)
H01L 29/51 ....диэлектрические материалы, относящиеся к электродам
H01L 29/66 .типы полупроводниковых приборов
H01L 29/68 ..управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток
 29/96 имеет преимущество
H01L 29/70 ...биполярные приборы
H01L 29/72 ....приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы
H01L 29/73 .....биполярные плоскостные транзисторы
H01L 29/732 ......вертикальные транзисторы
H01L 29/735 ......горизонтальные транзисторы
H01L 29/737 ......гетеротранзисторы
H01L 29/739 .....управляемые полевым эффектом
H01L 29/74 ....приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией
H01L 29/744 .....с выключением приборов по управляющему электроду
H01L 29/745 ......с выключением с помощью полевого эффекта
H01L 29/747 .....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры)
H01L 29/749 .....с выключением с помощью полевого эффекта
H01L 29/76 ...униполярные приборы
H01L 29/762 ....приборы с переносом заряда
H01L 29/765 .....приборы с зарядовой связью
H01L 29/768 ......с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором
H01L 29/772 ....полевые транзисторы
H01L 29/775 .....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор
H01L 29/778 .....с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов)
H01L 29/78 .....с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора
H01L 29/786 ......тонкопленочные транзисторы
H01L 29/788 ......с плавающим затвором
H01L 29/792 ......с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор
H01L 29/80 .....с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода
H01L 29/808 ......с затвором в виде p-n-перехода
H01L 29/812 ......с затвором типа барьера Шотки
H01L 29/82 ..управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору
 29/96 имеет преимущество
H01L 29/84 ..управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления
 29/96 имеет преимущество
H01L 29/86 ..управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток
 29/96 имеет преимущество
H01L 29/8605 ...плоскостные резисторы с p-n-переходом
H01L 29/861 ...диоды
H01L 29/862 ....точечные диоды
H01L 29/864 ....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды
H01L 29/866 ....диоды Зеннера
H01L 29/868 ....p-i-n диоды
H01L 29/87 ....диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды
H01L 29/872 ....диоды Шотки
H01L 29/88 ....туннельные диоды
H01L 29/885 .....туннельные диоды Есаки
H01L 29/92 ...конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером
H01L 29/93 ....диоды с регулируемой емкостью, например варакторы
H01L 29/94 ....конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой
H01L 29/96 ..типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик  29/6829/8229/84 или  29/86

Патенты в данной категории

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ТОКОМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Управление величиной тока в приборе с вертикальной структурой, содержащем проводящую область с n-типом проводимости (n-область), анод, который расположен на нижней стороне n-области, управляющий электрод, сформированный на верхней стороне n-области и образующий с ней барьер Шотки, и катод, расположенный на боковой поверхности n-области между анодом и управляющим электродом, осуществляется путем изменения площади и, следовательно, сопротивления омического контакта между катодом и n-областью. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом соседние единичные структуры объединены в новую структуру с двумя катодами, единой n-областью с анодом и управляющим электродом. Изобретение позволяет повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

2525154
выдан:
опубликован: 10.08.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БСИТ-ТРАНЗИСТОРА С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов первого типа проводимости, формирование области затвора, формирование охранной области, формирование области затвора в уже сформированной охранной области, формирование затворной области диффундированием реагента первого типа проводимости, формирование окон второго типа проводимости, формирование истоковой области, нанесение третьего слоя фоторезиста, формирование омических контактов к истоковой области, особое напыление нескольких слоев металлов на обратную сторону пластины, а также другие операции способа, позволяющие изготовить БСИТ-транзистор с охранными кольцами. Технический результат: получены БСИТ-транзисторы с повышенным значением пробивного напряжения. 1 ил.

2524145
выдан:
опубликован: 27.07.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ И ДИОД ШОТТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ТАКИМ СПОСОБОМ

Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к диодам Шоттки, и может быть использовано при создании микросхем радиочастотной идентификации в диапазоне частот сканирующего электромагнитного поля СВЧ-диапазона. Способ изготовления диода Шоттки включает формирование области N-типа внутри подложки P-типа, формирование разделительных областей двуокиси кремния на подложке P-типа и области N-кармана, формирование в области N-кармана области с более низкой концентрацией примеси, формирование высоколегированных областей P+-типа на подложке P-типа и высоколегированных областей N+-типа в области N-кармана, осаждение слоя межслойной изоляции с последующей термообработкой, фотокопию вскрытия окон к области с более низкой концентрацией примеси, на которую напыляется слой Pt с последующей термообработкой, стравливание слоя Pt с областей вне зоны анода диода Шоттки, вскрытие контактных окон к P+-областям и N-областям, напыление слоя Al+Si и проведение фотолитографии по металлизации с последующей термообработкой. Изобретение позволяет получить низкобарьерный диод Шоттки с высокочастотными характеристиками и большим пробивным напряжением. Способ изготовления диода Шоттки может быть интегрирован в базовый технологический процесс изготовления КМОП-интегральных микросхем. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

2523778
выдан:
опубликован: 20.07.2014
СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЛКО ЗАЛЕГАЮЩИХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ В КРЕМНИИ

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения тонкого легированного примесью слоя в кремнии для создания мелко залегающих p-n-переходов. Предложенное изобретение решает задачу упрощения технологии с одновременным улучшением качества создаваемых мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии. Способ создания мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии включает в себя нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки химического соединения легируемого элемента, облучение полученной структуры пучком ионов и удаление остатков пленки с поверхности, новизна которого заключается в том, что процесс проводят непосредственно в камере ионного облучения, предварительно подложку кремния охлаждают до температуры ниже температуры плавления химического соединения легируемого элемента, а нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки производят путем напуска в камеру ионного облучения газообразного химического соединения легируемого элемента и после ионного облучения при этой температуре удаление остатков пленки проводят нагревом подложки кремния. 1 ил.

2523732
выдан:
опубликован: 20.07.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Использование: для изготовления СВЧ полевого транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют создание n+-n-i-типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, при этом после формирования n+-n-i-типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n+-n-i-структуры формируется пассивный слабопроводящий слой. Технический результат: обеспечение возможности создания СВЧ полевого транзистора на мм-диапазон длин волн с повышенной выходной мощностью и увеличенным коэффициентом усиления по мощности. 1 ил.

2523060
выдан:
опубликован: 20.07.2014
НАНОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА С КВАЗИОДНОМЕРНЫМИ ПРОВОДЯЩИМИ НИТЯМИ ОЛОВА В РЕШЕТКЕ GaAs

Изобретение относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники. Техническим результатом является увеличение концентрации электронов в активной области наноструктуры. Наноразмерная структура, получаемая в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии, содержит монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой, закрывающий нелегированный слой GaAs и контактный легированный кремнием слой GaAs. В процессе эпитаксии на поверхности буферного слоя формируется система атомно-гладких террас, разделенных ступенями моноатомной толщины. При легировании атомы олова в результате поверхностной диффузии собираются вблизи ступеней, формируя проводящие нанонити атомов олова, расположенные в одной плоскости параллельно друг другу. Использование олова в GaAs по сравнению с кремнием приводит к повышенным концентрациям электронов в дельта-слое, так как олово обладает большим пределом растворимости и не проявляет амфотерных свойств. 5 ил.

2520538
выдан:
опубликован: 27.06.2014
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИКЛОПРОПАНОВЫХ ПРОИЗВОДНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ, ПРИМЕНЕНИЕ ОРГАНИЧЕСКИХ ПРОИЗВОДНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ В КАЧЕСТВЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ОРГАНИЧЕСКОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА, ОРГАНИЧЕСКОЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКОЙ ЯЧЕЙКИ, ОРГАНИЧЕСКИЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР И ОРГАНИЧЕСКАЯ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКА

Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания. При этом процесс ведут с тозилгидразоном эфира -кетоуксусной кислоты общей формулы 1

2519782
выдан:
опубликован: 20.06.2014
МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной менее 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере, равную 0,1 мм, а на поверхности эпитаксиальной структуры последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерный слой из двуокиси гафния толщиной 1,0-4,0 нм, который в области затвора размещен под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN n-типа проводимости. Технический результат заключается в повышении выходной СВЧ-мощности, эффективном отводе тепла от активной области транзистора и минимизации утечек тока. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

2519055
выдан:
опубликован: 10.06.2014
МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ С МНОГОСЛОЙНОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину 0,1-0,15 мм, а на поверхности эпитаксиальной структуры между истоком, затвором и стоком последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза, барьерный слой из двуокиси гафния и дополнительный барьерный слой из оксида алюминия. При этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на эпитаксиальной структуре в виде слоя из твердого раствора AlGaN n-типа проводимости. Технический результат заключается в увеличении теплопереноса от активной области транзистора и минимизации утечек тока. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

2519054
выдан:
опубликован: 10.06.2014
СВЧ-ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. При этом базовая подложка из кремния выполнена толщиной не более 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину по меньшей мере равную 0,1 мм, а на поверхности гетероэпитаксиальной структуры, изготовленной из SiGe, последовательно размещены между истоком, затвором и стоком дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерные слои из двуокиси гафния и из оксида алюминия, при этом барьерные слои из двуокиси гафния и оксида алюминия имеют суммарную толщину 1,0-4,0 нм, а, кроме того, они размещены под затвором, непосредственно на барьерном канале. Технический результат изобретения заключается в получении высоких значений напряжения пробоя, уровня СВЧ-мощности, низких значений шумов, теплового сопротивления, токов утечки и потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

2518498
выдан:
опубликован: 10.06.2014
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из A1N, слой из поликристаллического алмаза, имеющий толщину, по меньшей мере, равную 0,1 мкм, нелегированный буферный слой из GaN, субколлекторный слой из GaN n+типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, базу из твердого раствора Al уGa1-уN, промежуточный слой из Alу Ga1-уN р+типа проводимости, эмиттер, включающий Al xGa1-xN n-типа проводимости, контактные слои, омические контакты и слои изолирующего диэлектрического покрытия из поликристаллического алмаза. Кроме того, составы слоев из AlxGa1-xN и AlуGa1-у N выполнены различающимися и с неодинаковой концентрацией легирующей примеси. Изобретение позволяет повысить выходную СВЧ-мощность, уменьшить значения емкости эмиттера, сопротивления базы, емкости коллектор-база, граничных состояний гетеропереходов и обеспечивает повышенные значения эффективности эмиттера, предельной частоты, а также обеспечивает эффективный отвод тепла от активной области транзистора. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2517788
выдан:
опубликован: 27.05.2014
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ СВЧ-МОЩНОСТИ

Изобретение относится к СВЧ-монолитным интегральным схемам и предназначено для использования в качестве защитных схем, например в устройствах, содержащих малошумящие усилители. Cхема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности отражательного типа согласно изобретению построена не как фильтр нижних частот, а представляет собой отрезок копланарной линии передач (либо копланарной линии передач с заземляющей плоскостью), сочлененный с планарными распределенными pin-структурами, включенными встречно-параллельно относительно соответствующих проводников копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью). Изобретение обеспечивает возможность повысить значение верхней рабочей частоты и увеличить максимальное значение входной мощности ограничителя.

1 ил.

2515181
выдан:
опубликован: 10.05.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока n-канала, а сток p-канала - напротив истока n-канала. Истоки каналов соединены между собой с помощью проводника и дополнительной области с n+ -типом проводимости, на которой сформирован исток n-канала, а стоки каналов имеют отдельные выводы. В приборе может быть один затвор (трехэлектродный прибор - вариант 1) или два затвора (четырехэлектродный прибор - вариант 2), расположенных на другой (второй) боковой стороне каналов. Ток в каналах проходит в одном направлении и создает на переходе обратное напряжение, которое запирает каналы. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом затворы являются общими для соседних структур. Изобретение позволяет уменьшить размеры, повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

2513644
выдан:
опубликован: 20.04.2014
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Биполярный транзистор, изготовленный на основе гетероэпитаксиальных структур, включает сапфировую подложку, на которой последовательно размещены буферный слой из нелегированного GaN, субколлекторный слой из сильнолегированного GaN n+-типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, база, содержащая два слоя из твердого раствора InxGa1-xN р+ -типа проводимости, эмиттер, содержащий два слоя из Aly Ga1-yN n-типа проводимости, контактные слои и омические контакты. При этом биполярный транзистор выполнен с изменяющимся составом твердых растворов AlyGa1-yN и InxGa1-xN слоев базы и эмиттера, а также с изменяющейся концентрацией легирующих базу и эмиттер примесей. Технический результат заключается в повышении технических характеристик устройства, в частности уменьшении значения емкости эмиттера, сопротивления базы, емкости коллектор-база, обеспечении повышения эффективности эмиттера и предельной частоты. 1 ил.

2512742
выдан:
опубликован: 10.04.2014
НАКЛЕИВАЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в качестве чувствительного элемента в датчиках механических величин. Наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор содержит полимерную подложку на которой одной своей поверхностью полностью лежит тензочувствительная полоска. На противоположной поверхности полоски расположены металлопленочные площадки, которые частично перекрывают ее, кроме средней и концевых частей. Диэлектрическая разделительная пленка закрывает центральную часть тензочувствительной полоски и части металлопленочных площадок. Перекрывая концевые части всех пленок расположены две контактные площадки, при этом расстояние между указанными контактными площадками больше, чем расстояние между металлопленочными площадками, но меньше, чем длина разделительной диэлектрической пленки. Изобретение обеспечивает уменьшение механических напряжений между элементами, участвующими в передаче деформации объекта на тензочувствительную полоску. 4 ил.

2511209
выдан:
опубликован: 10.04.2014
ГРАФЕНОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к электронному графеновому устройству. Гибкое и поддающееся растяжению, пропускающее свет электронное устройство содержит первый графеновый электрод, второй графеновый электрод, графеновый полупроводник и управляющий графеновый электрод, расположенный между первым и вторым графеновыми электродами и находящийся в контакте с графеновым полупроводником. Каждый из упомянутых электродов имеет пористый графеновый слой, имеющий множество пор, причем каждый из упомянутых электродов имеет пористый графеновый слой, и источник электроэнергии. Графеновый полупроводник, а также первый и второй графеновые электроды сконфигурированы так, что подача тока от источника электроэнергии между первым местоположением на первом графеновом электроде и вторым местоположением на втором графеновом электроде устанавливает разность потенциалов между первым местоположением и вторым местоположением, и так, что эта разность потенциалов остается по существу постоянной при изменении первого или второго местоположения. Технический результат заключается в повышении подвижности носителей заряда, обеспечении баллистического переноса, повышении плотности тока и удельной теплопроводности, а также в возможности управлять электрическими свойствами устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

2511127
выдан:
опубликован: 10.04.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец. При этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Изобретение обеспечивает повышение надежности полупроводникового прибора и увеличение срока его службы, а также позволяет упростить изготовление прибора с высоким значением теплоотвода от активной части. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

2507634
выдан:
опубликован: 20.02.2014
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из нелегированного кремния, субколлекторный слой из сильнолегированного кремния n-типа проводимости, поверх которого сформирован коллектор из кремния n-типа проводимости, тонкая база из SiGe р-типа проводимости, эмиттер из кремния n-типа проводимости, контактные слои на основе кремния n-типа проводимости и омические контакты. При этом биполярный транзистор в области базы выполнен с обеспечением двойного ускоряющего дрейфового поля за счет плавного изменения содержания Ge вдоль базы с уменьшением его содержания от области коллектора к области эмиттера и за счет плавного изменения концентрации легирующей примеси вдоль базы с увеличением ее от области коллектора к области эмиттера. Техническим результатом изобретения является упрощение способа изготовления транзистора, а также повышение выхода годных и надежных транзисторов с высокими граничными частотами, низким коэффициентом шума, высоким коэффициентом усиления и КПД. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

2507633
выдан:
опубликован: 20.02.2014
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. 1 ил.

2507632
выдан:
опубликован: 20.02.2014
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УСКОРЕНИЯ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании микромеханических тензорезисторных акселерометров, работоспособных при повышенных температурах. Интегральный тензопреобразователь ускорения содержит выполненные из единого монокристалла кремния два основания и соединяющий их концентратор механических напряжений, рабочие поверхности которых расположены в одной кристаллографической плоскости (100). На рабочей поверхности концентратора выполнены тензорезисторы, объединенные в мостовую схему и ориентированные в кристаллографических направлениях [110]. Одно из оснований выполнено в виде рамки монокристалла, внутри которого расположено второе основание, представляющее собой инерционную массу, а тензорезисторы выполнены из поликристаллического кремния на слое диэлектрика, расположенного на рабочей стороне концентратора механических напряжений, инерционной массы и области контактных площадок на рамке монокристалла. При этом в области контактных площадок на рамке монокристалла выполнен терморезистор из поликристаллического кремния на слое диэлектрика. Изобретение обеспечивает расширение температурного диапазона работы тензопреобразователя за счет снижения температурной погрешности измерения ускорения, а также расширение функциональных возможностей за счет одновременного измерения ускорения и температуры. 3 ил.

2504866
выдан:
опубликован: 20.01.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе. Второй соединительный элемент соприкасается с первым соединительным элементом в первом окне, предусматриваемом в первой и второй изолирующих пленках, третий соединительный элемент соприкасается со вторым соединительным элементом во втором окне, предусматриваемом в пассивирующей пленке, а второй соединительный элемент покрывает торцевые поверхности первой изолирующей пленки и второй изолирующей пленки в первом окне, но не покрывает торцевую поверхность пассивирующей пленки во втором окне. В результате этого конусная форма контактного отверстия контактной площадки может контролироваться с высокой точностью. Изобретение обеспечивает уменьшение повреждения маски. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

2503085
выдан:
опубликован: 27.12.2013
ТИРИСТОР СТАДИИ ЗАЖИГАНИЯ С РАЗВЯЗЫВАЮЩЕЙ СТАДИЕЙ ЗАЖИГАНИЯ

Изобретение относится к тиристору, содержащему полупроводниковое тело, в котором расположены последовательно p-легированный эмиттер, n-легированная база, p-легированная база и n-легированный эмиттер. В тиристоре предусмотрена зажигающая ступенчатая структура, содержащая по меньшей мере одну зажигающую ступень, каждая из которых содержит расположенный на расстоянии от n-легированного эмиттера n-легированный зажигающий ступенчатый эмиттер, который заделан в p-легированную базу. Зажигающий ступенчатый электрод контактирует на передней стороне с одним из зажигающих ступенчатых эмиттеров и имеет с ним первую контактную поверхность. На второй контактной поверхности зажигающий ступенчатый электрод контактирует с p-легированной базой на обращенной к n-легированному эмиттеру стороне одного из зажигающих эмиттеров на передней стороне. Вторая контактная поверхность расположена на расстоянии как от первой контактной поверхности, так и от одного из зажигающих ступенчатых эмиттеров. Концентрация легирующей примеси вдоль оси, перпендикулярной к вертикальному направлению, имеет как минимум два расположенных на расстоянии друг от друга локальных максимума с типом проводимости «p», а между по меньшей мере двумя максимумами расположена секция базы n-типа проводимости. Изобретение обеспечивает тиристор стадии зажигания, который лучше защищен в случае возникновения импульсов напряжения во время восстановления обратного сопротивления. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

2501119
выдан:
опубликован: 10.12.2013
ТРЕХКОЛЛЕКТОРНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов, отличается расположением областей эмиттера и коллекторов. Области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга вдоль границы pn-перехода база-карман с низкой скоростью поверхностной рекомбинации, контакты к карману располагаются в кармане около границы pn-перехода база-карман напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами, контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции параллельной поверхности кристалла. 5 ил.

2498457
выдан:
опубликован: 10.11.2013
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ САМОСОВМЕЩЕННЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДИОД

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, эти области окружены щелевой комбинированной изолирующей областью, включающей разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненной изолирующим слоем, смыкающейся с диэлектриком, расположенным в подложке, в едином цикле с щелевой комбинированной изолирующей областью выполнен щелевой контакт к области первого типа проводимости и к области второго типа проводимости, примыкающих к изолирующей области, включающие разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненных проводящим слоем, первый контактирует в донной части изолированного контакта с областью первого типа проводимости, второй контактирует в донной части изолированного контакта с областью второго типа проводимости, соответственно. Щелевые контакты к областям диода выполнены из легированного поликремния, полицида никеля и алюминия. Изобретение обеспечивает повышение плотности компоновки структур, увеличение их быстродействия и повышение выхода годных. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2492552
выдан:
опубликован: 10.09.2013
САМОСОВМЕЩЕННЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, в слабо легированной области расположена базовая область, эти области окружены щелевой комбинированной изолирующей областью, включающей разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненной изолирующим слоем, смыкающейся с диэлектриком, расположенным под коллекторной областью, в едином цикле с щелевой комбинированной изолирующей областью в активной области транзисторной структуры выполнен щелевой коллекторный контакт, примыкающий к изолирующей области, включающий разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненный проводящим слоем, который контактирует в донной части изолированного контакта с коллекторной областью, в едином цикле к базовой и эмиттерной областям выполнены щелевые контакты, включающие разделительные диэлектрики на вертикальных стенках щели, заполненные проводящим слоем, которые контактируют в донной части изолированного контакта соответственно с базовой и эмиттерной областями. Причем базовый контакт примыкает к изолирующей области, а эмиттерный контакт к коллекторному контакту. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2492551
выдан:
опубликован: 10.09.2013
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда. Полупроводниковое устройство включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом. Тонкопленочный диод включает в себя полупроводниковый слой с первой, второй и канальной областями, электрод затвора, первый электрод, соединенный с первой областью и электродом затвора, и второй электрод, соединенный со второй областью. Если тип удельной проводимости тонкопленочного диода является n-типом, то анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода. Если тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, то катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода. Схема защиты не включает в себя другие диоды, которые соединены с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду. В результате ухудшение свойств тонкопленочного диода может быть уменьшено при сведении к минимуму увеличения размера схемы. 11 з.п. ф-лы, 37 ил.

2488191
выдан:
опубликован: 20.07.2013
СВЕТОТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, а для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в виде тепла или излучения, а если с приобретением энергии, то теплота поглощается на этом переходе. Использование представленного устройства позволит уменьшить тепловыделения биполярных транзисторов, повысить эффективность теплопередачи, уменьшить габариты теплоотвода и тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. 1 ил.

2487436
выдан:
опубликован: 10.07.2013
ВАРИКАП НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при разработке варикапов на основе системы металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), предназначенных для управления частотой и фазой переменного сигнала в радиотехнических устройствах ВЧ и СВЧ диапазона. Изобретение обеспечивает возможность использования варикапа в качестве емкостного ключа. Сущность изобретения: в варикапе на основе системы МДП, содержащем полупроводник электронной проводимости, диэлектрик, управляющий электрод и узел стока неосновных носителей с p-n-переходом, область дырочной проводимости p-n-перехода узла стока неосновных носителей имеет глубину, равную толщине полупроводника, и выполнена в виде цилиндрического слоя, внутри которого расположена часть исходного полупроводника электронной проводимости, соединенная с управляющим электродом. 2 ил.

2486633
выдан:
опубликован: 27.06.2013
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ p-n-p ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p+-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-область, диффузионную p+-типа эмиттерную область и металлические контакты к активным областям, выполнена структура p-n-p СВЧ-транзистора, коллекторная и базовая области которой выполнены из соединений галлия и мышьяка на основе p + монокристаллической подложки коллектора, последовательных эпитаксиальных слоев p+-p-p--типа коллектора, эпитаксиального i-слоя с проводимостью, близкой к собственной, n-типа, n-типа тонких эпитаксиальных слоев базовой области, а эмиттерная область выполнена из последовательного гетерофазного эпитаксиального р-р+-типа эмиттера на основе соединений алюминия, галлия, мышьяка. Техническим результатом изобретения является резкое повышение рабочих напряжений в 5÷10 раз, рабочих токов и выходной мощности - в несколько раз, увеличение граничной частоты, коэффициента усиления по току в 1,5÷3 раза, области безопасной работы в статическом и динамическом режимах. 2 ил.

2485625
выдан:
опубликован: 20.06.2013
ОГРАНИЧИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ УЧАСТКОМ ДИНАМИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к полупроводниковым ограничителям напряжения, и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений. Сущность изобретения: в ограничителе напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, содержащем многослойную кремниевую структуру, слои которой образуют последовательно расположенные р-n переходы, и контакты, структура содержит не менее пяти слоев, в которых время жизни носителей имеет значение из интервала =0,01-1 мксек, концентрация легирующей примеси в слоях находится в интервале 1·1015-1·1020 см-3, а слои выполнены таким образом, что для по крайней мере одного слоя структуры соблюдено условие h i> Di i, где hi - толщина указанного слоя, Di - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, i - время жизни носителей заряда в этом слое, и по крайней мере для одного слоя структуры соблюдено условие hj< Dj j, где hj - толщина этого слоя, D j - коэффициент диффузии носителей заряда в этом слое, j - время жизни носителей заряда в этом слое. Техническим результатом изобретения является создание ограничителя напряжения с отрицательным участком динамического сопротивления, а также повышение максимально допустимой рассеиваемой мощности при фиксированном напряжении ограничения. 7 з.п. ф-лы.

2484553
выдан:
опубликован: 10.06.2013
Наверх