ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..отличающиеся формой, отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей – H01L 29/06

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/06 ..отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Патенты в данной категории

КАТУШКА ИНДУКТИВНОСТИ, ПЕРЕСТРАИВАЕМАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем. Технический результат состоит в обеспечении возможности плавного электронного управления величиной индуктивности пассивной катушки посредством введения в ее конструкцию сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля, оказывая при этом влияние на величину индуктивности. Регулируемая катушка индуктивности содержит сердечник с основной обмоткой, электроды, соединенные с сердечником, и цепь управления. В качестве сердечника выбрана кремниевая структура, имеющая, по крайней мере, по одной р-, i-, n-области. Электроды выполнены из немагнитного материала. Цепь управления содержит регулируемый источник питания, электрически соединенный с электродами, которые подключены соответственно к р- и n-областям структуры. Обмотка размещена на i-области, протяженность которой сравнима с диаметром провода обмотки. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

2384910
патент выдан:
опубликован: 20.03.2010
ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. Сущность изобретения: в транзисторе, содержащем первое множество, включающее N1>1000000 областей с одноименной проводимостью, второе множество, включающее N 2>1000000 областей с той же проводимостью, а также третье множество, включающее N3>1000000 областей с противоположной проводимостью, области выполнены с образованием первого набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из первого и третьего множества и второго набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из второго и третьего множества, при этом электроды, прилегающие к областям, входящим по меньшей мере в одно из указанных множеств, для которых выполнено условие Ni>1000000, где i {1, 2, 3}, параллельно соединены посредством одного проводника, т.е. объединены в один токовый узел. Техническим результатом изобретения является получение высокоточных сверхмощных транзисторов со стабильными электрическими параметрами. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 9 ил.

2364008
патент выдан:
опубликован: 10.08.2009
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

Сущность: мощное полупроводниковое устройство (10) содержит активную область, которая включает область дрейфа (20). По меньшей мере, часть области (20) дрейфа расположена в мембране (16), которая содержит расположенные друг напротив друга верхнюю и нижнюю поверхности (15, 17). В одном варианте воплощения верхняя поверхность (15) мембраны (16) имеет электрические выводы, подключенные к ней непосредственно или опосредованно, что позволяет прикладывать напряжение в поперечном направлении через область (20) дрейфа. В другом варианте воплощения, по меньшей мере, один электрический вывод подключен непосредственно или опосредованно к верхней поверхности (15), и, по меньшей мере, один электрический вывод подключен непосредственно или опосредованно к нижней поверхности (17), что позволяет прикладывать напряжение вертикально через область (20) дрейфа. В каждом из этих вариантов воплощения нижняя поверхность (17) мембраны (16) не содержит полупроводниковую подложку, расположенную непосредственно рядом с ней. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 86 ил.

2276429
патент выдан:
опубликован: 10.05.2006
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, МНОЖЕСТВО ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления. Предложены запоминающее устройство и способ его изготовления, при этом устройство содержит узел памяти, в который записывается заряд через конфигурацию туннельного перехода, имеющую профиль энергетической зоны, который содержит относительно широкий по размеру барьерный компонент с относительно низкой высотой барьера и по меньшей мере один относительно узкий по размеру барьерный компонент с относительно большой высотой барьера. Также предложены множество запоминающих устройств и матрица из запоминающих устройств, сформированных в виде матрицы ячеек памяти на общей подложке. В результате появляется возможность увеличения объема памяти с уменьшением размеров устройства и повышением надежности. 7 с. и 57 з.п. ф-лы, 34 ил., 1 табл.
2216821
патент выдан:
опубликован: 20.11.2003
КОНСТРУКЦИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. Конструкция силового полупроводникового прибора содержит металлический корпус, являющийся одним из электродов прибора, вывод, являющийся вторым электродом прибора, полупроводниковый выпрямительный элемент, изолятор, предназначенный для электрической изоляции вывода от корпуса, центрирующее кольцо, тарельчатые пружины. При этом металлический корпус прибора выполнен из цельного материала в форме полого баллончика, имеющего нижнюю часть, на донышке которой размещен выпрямительный элемент и центрирующее кольцо, и верхнюю часть, предназначенную для размещения в ней тарельчатых пружин, имеющую наружный и внутренний диаметры больше соответствующих диаметров нижней части, бортик вблизи открытого торца корпуса, служащий для передачи механического усилия. Бортик образован за счет утонения стенок верхней части, деформируемых для фиксации тарельчатых пружин в сжатом состоянии с образованием над ними полости для герметизирующего материала, имеющей уменьшение диаметра к открытому торцу корпуса. Между нижней и верхней частями корпуса прибора под тарельчатыми пружинами находится уплотнительный диск из эластичного материала, на выводе прибора под изолятором надето уплотнительное кольцо из эластичного материала. Техническим результатом является улучшение конструкции силового полупроводникового прибора, при этом предложенная конструкция применима для приборов как с двумя, так и с тремя электродами, а нижняя часть корпуса имеет малые размеры, которые не зависят от размеров тарельчатых пружин и количества электродов, исключено попадание герметизирующего материала в зону прижимного контакта и его удаление из корпуса. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
2201016
патент выдан:
опубликован: 20.03.2003
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ КРЕМНИЕВАЯ СТРУКТУРА

Используется в производстве микроэлектронных приборов, повышает технологичность, надежность, быстродействие при предельном снижении габаритов и массы. Сущность: структура состоит из тонкого кристалла кремния, объем которого совпадает с объемом приборной области, контактных площадок и балочных выводов, которые могут быть изготовлены из неблагородных металлов - Cu, Ni, и др. 3 ил.
2110117
патент выдан:
опубликован: 27.04.1998
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР

Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают первый дополнительный слой толщиной d1=0,5-5 мкм и удельным сопротивлением 1(1-50)o.c, затем второй дополнительный слой толщиной d2=(0,5-0,9)d диф.ф. и удельным сопротивлением 2=(0,02-2)р.с, где о.с - удельное сопротивление опорного слоя (подложки); d диф.ф. - расчетная или экспериментальная суммарная глубина диффузии фосфора в рабочий слой; р.с. удельное сопротивление рабочего слоя. Первый дополнительный слой формируют в опорном слое ионным легированием и/или диффузией. 1 ил.
2059326
патент выдан:
опубликован: 27.04.1996
СТРУКТУРА НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ

Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и -легированного слоя противоположного типа проводимости, причем поверхностная концентрация легирующей примеси каждого d-слоя удовлетворяет соотношению, приведенному в описании. 1 ил.
2025832
патент выдан:
опубликован: 30.12.1994
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ

Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на -легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсенида галлия. Между электродом затвора и d-легированным слоем расположен слой арсенида галлия p - типа проводимости, легированный до вырождения и имеющий общую границу с электродом затвора. 1 ил.
2025831
патент выдан:
опубликован: 30.12.1994
Наверх