Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..отличающиеся формой, отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей – H01L 29/06

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем. Технический результат состоит в обеспечении возможности плавного электронного управления величиной индуктивности пассивной катушки посредством введения в ее конструкцию сердечника, свойства которого изменяются под воздействием приложенного электрического поля, оказывая при этом влияние на величину индуктивности. Регулируемая катушка индуктивности содержит сердечник с основной обмоткой, электроды, соединенные с сердечником, и цепь управления. В качестве сердечника выбрана кремниевая структура, имеющая, по крайней мере, по одной р-, i-, n-области. Электроды выполнены из немагнитного материала. Цепь управления содержит регулируемый источник питания, электрически соединенный с электродами, которые подключены соответственно к р- и n-областям структуры. Обмотка размещена на i-области, протяженность которой сравнима с диаметром провода обмотки. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. Сущность изобретения: в транзисторе, содержащем первое множество, включающее N₁>1000000 областей с одноименной проводимостью, второе множество, включающее N ₂>1000000 областей с той же проводимостью, а также третье множество, включающее N₃>1000000 областей с противоположной проводимостью, области выполнены с образованием первого набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из первого и третьего множества и второго набора отдельных однотипных точечных p-n-переходов между областями из второго и третьего множества, при этом электроды, прилегающие к областям, входящим по меньшей мере в одно из указанных множеств, для которых выполнено условие N_i>1000000, где i {1, 2, 3}, параллельно соединены посредством одного проводника, т.е. объединены в один токовый узел. Техническим результатом изобретения является получение высокоточных сверхмощных транзисторов со стабильными электрическими параметрами. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 9 ил.

Сущность: мощное полупроводниковое устройство (10) содержит активную область, которая включает область дрейфа (20). По меньшей мере, часть области (20) дрейфа расположена в мембране (16), которая содержит расположенные друг напротив друга верхнюю и нижнюю поверхности (15, 17). В одном варианте воплощения верхняя поверхность (15) мембраны (16) имеет электрические выводы, подключенные к ней непосредственно или опосредованно, что позволяет прикладывать напряжение в поперечном направлении через область (20) дрейфа. В другом варианте воплощения, по меньшей мере, один электрический вывод подключен непосредственно или опосредованно к верхней поверхности (15), и, по меньшей мере, один электрический вывод подключен непосредственно или опосредованно к нижней поверхности (17), что позволяет прикладывать напряжение вертикально через область (20) дрейфа. В каждом из этих вариантов воплощения нижняя поверхность (17) мембраны (16) не содержит полупроводниковую подложку, расположенную непосредственно рядом с ней. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 86 ил.