Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам – H01L

Изобретение относится к физике и технологии полупроводниковых приборов, в частности к солнечным элементам на основе кристаллического кремния. Солнечный элемент на основе кристаллического кремния состоит из областей p- и n-типов проводимости, электродов к р- и n-областям, при этом согласно изобретению на фронтальной поверхности кристалла сформирована дифракционная решетка с периодом, равным длине волны кванта излучения, энергия которого равна ширине запрещенной зоны кристалла. Изобретение обеспечивает уменьшение глубины поглощения квантов солнечного излучения, снижение световых и электрических потерь, а также увеличение эффективности преобразования и возможность создания сверхтонких кристаллических солнечных элементов. 2 ил.

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для обработки оптической информации. Техническим результатом является повышение точности определения дальности до объектов в одном кадре одновременно с получением тепловизионного изображения. Устройство содержит многоканальную систему считывания с каналами считывания тепловизионного сигнала и измерения дальности до объектов изображения в составе матрицы ячеек считывания форматом m×n, трансимпедансный усилитель, фильтр высоких частот, усилитель, компаратор, счетчики, строчные шины управления, столбцовые шины считывания, логические элементы И. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Система регулирования микроклимата сельскохозяйственного поля включает размещенные по границе поля ветрозащитные и снегозадерживающие элементы, водоем, устраиваемый вдоль границы поля со стороны наиболее вероятного проникновения суховея. На противоположных берегах водоема вдоль поля размещены вертикальные жалюзи высотой не менее половины ширины водоема, установленные с возможностью поворота вокруг вертикальной оси и наклона в вертикальной плоскости. Дно водоема может быть покрыто противофильтрационным материалом, вдоль водоема могут быть установлены распылители воды, а в качестве источников энергии для распылителей воды система может быть снабжена одной или несколькими ветроэнергетическими установками и солнечными батареями. Техническим результатом изобретения является повышение степени защиты поля за счет снижения скорости и температуры суховея и повышения влажности приземного слоя воздуха, а также снижение энергозатрат за счет использования природных источников энергии. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li₂O в монокристалле LiNbO₃. В качестве монокристалла LiNbO₃ выбирают монокристалл в виде плоскопараллельной пластинки с кристаллографической осью Z, расположенной в плоскости входной грани кристалла, перпендикулярной оси оптической системы. Технический результат - повышение точности определения мольной доли Li ₂O в монокристалле LiNbO₃ при низких значениях мольной доли Li₂O и расширение функциональных возможностей. 3 ил.

Изобретение относится к электронным устройствам со структурированной подложкой. Структурированная подложка для электронного устройства включает в себя первую часть, имеющую край, вторую часть, включающую вытянутое множество печатных капель и имеющую край, расположенный рядом и по существу совмещенный с указанным краем первой части, и интервал между указанным краем первой части и указанным краем второй части, при этом указанное вытянутое множество печатных капель расположено под углом от приблизительно 5 градусов до приблизительно 90 градусов к указанному краю первой части, а указанный интервал имеет длину, равную или меньшую чем приблизительно 2 мкм. Изобретение обеспечивает получение электронных устройств высокого разрешения с улучшенной производительностью формирования структуры. 4 н. и 21 з.п. ф-лы, 10 ил.

Фотогальваническое устройство, содержащее: набор по меньшей мере из двух фотогальванических элементов (160, 260), промежуточный листовой материал (300), расположенный между каждым фотогальваническим элементом, при этом каждый фотогальванический элемент содержит: два токовых вывода (185, 185'), по меньшей мере один фотогальванический переход (150, 250), токосъемную шину (180, 180'), и соединительные полосы (190, 190'), которые проходят от токосъемной шины до токовых выводов, при этом все токовые выводы расположены с одной стороны. Фотогальваническое устройство согласно изобретению позволяет удовлетворить потребность в мультипереходном и многотерминальном фотогальваническом устройстве, в котором риск короткого замыкания между токосъемными полосами каждого из элементов сведен к минимуму и которым можно управлять при помощи только одной соединительной коробки, и кроме того, удовлетворить потребность в способе изготовления мультипереходного фотогальванического устройства, который позволяет облегчить подсоединение токовых выводов каждого фотогальванического элемента к соединительной коробке. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к устройствам для генерирования плазмы высокой плотности и может быть использовано для травления изделий микроэлектроники. Устройство для плазмохимического травления содержит вакуумную камеру, генератор переменного напряжения высокой частоты и подложкодержатель с обрабатываемым изделием. Генератор соединен высокочастотным кабелем через согласующее устройство с генерирующей плазму спиральной антенной, размещенной в вакуумной камере. Подложкодержатель взаимодействует через дополнительное устройство с дополнительным генератором переменного напряжения высокой частоты. Согласующее устройство связано со спиральной антенной посредством полого вала, входящего в вакуумную камеру через вакуумный ввод вращения. На конце вала жестко закреплен полый рычаг. К полому рычагу прикреплен со смещением от оси вращения полого вала диэлектрический колпак с размещенной в нем спиральной антенной. Полый вал и подложкодержатель имеют автономные приводы вращения. Средство программного управления автоматически регулирует скорость вращения каждого привода, обеспечивая необходимую равномерность травления изделия. Изобретение обеспечивает уменьшение габаритов всей установки и снижение потребляемой мощности. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ формирования наноразмерных структур предназначен для получения полосок тонких пленок наноразмерной ширины с целью их исследования и формирования элементов наноэлектромеханических систем (НЭМС).

Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования наноразмерных структур, включающем получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась непараллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки.

Существуют варианты, в которых заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза.

Существуют также варианты, в которых после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки; или производят модификацию заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема.

Существуют также варианты, в которых модификация заготовки тонкой пленки заключается в механическом воздействии на нее зондом; или в электрическом воздействии на нее зондом; или в электрохимическом воздействии на нее зондом; или в воздействии на нее электронным пучком; или в воздействии на нее ионным пучком; или в воздействии на нее рентгеновским пучком; или в воздействии на нее пучком альфа-частиц; или в воздействии на нее пучком протонов; или в воздействии на нее пучком нейтронов.

Существует также вариант, в котором внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок; при этом заготовки тонких пленок расположены параллельно друг другу.

Существует также вариант, в котором в качестве тонких пленок используется графен.

Все перечисленные варианты способа расширяют его функциональные возможности. 16 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg_1-xCd _xTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х_Д+0,1)÷1, до значения x_Д, детекторный слой, изготовленный из Hg_1-x Cd_xTe, где x=x_Д=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg _1-xCd_xTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения x_Д до значения, находящегося в пределах (x_Д+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO₂, диэлектрический слой, изготовленный из Si₃N₄ , и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg_1-xCd _xTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах x_Б=0,5-1,0 и x _Я=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Также предложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Описан сверхпроводящий элемент, включающий жесткую подложку, изготовленную из несверхпроводящего материала, причем указанная подложка включает по меньшей мере одну сверхпроводящую дорожку, образованную канавкой, содержащей сверхпроводящий материал, плотность которого равна по меньшей мере 85% от значения его теоретической плотности, и описан способ изготовления указанного элемента. Настоящее изобретение также относится к возможным применениям сверхпроводящих элементов, а также к сверхпроводящим устройствам, включающим указанные сверхпроводящие элементы. 5 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 пр.

Изобретение относится к светотехнике, а именно изготовлению светоизлучающих полупроводниковых приборов на подложке из аморфного минерального стекла. Стекловидная композиция на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов II, и/или III, и/или IV группы периодической системы, отличается тем, что поверхность стекла покрыта выращенным слоем электропроводящего и светоизлучающего полупроводникового соединения типа A²B⁵ , и/или A²B⁶, и/или А³В ⁵, и/или А⁴В⁶. Также предложен способ изготовления стекловидной композиции на основе минерального стекла, содержащего окислы элементов I,I и/или III, и/или IV группы периодической системы, в котором для образования на стеклянной поверхности слоя электропроводящего и светоизлучающего соединения типа А ²В⁵, и/или А²В⁶, и/или А³В⁵, и/или А⁴В⁶ стекло подвергают термообработке путем нагрева в инертном газе при температуре 500-5000°С, легируют стекло до или в процессе термообработки элементами V и/или VI группы, удаляют кислород из зоны термообработки. Изобретение обеспечивает возможность формирования прогнозируемых полупроводниковых соединений различного состава. 2 н. и 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислорода и 6-8% об. азота. Техническим результатом изобретения является получение диэлектрических слоев, обладающих эффектом переключения проводимости, полностью совместимых с материалами, а также с большинством технологических воздействий, применяемых в традиционной кремниевой технологии интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. Сущность: термоэлектрический генератор содержит теплоприемник, внутри корпуса которого размещен источник тепла. Снаружи корпуса установлены последовательно в тепловом отношении термоэлектрические модули и основания теплообменников системы охлаждения, механически связанные с корпусом теплоприемника с помощью средства крепления. Корпус теплоприемника выполнен прямоугольной формы в сечении. По большим сторонам корпуса симметрично расположены термоэлектрические модули и основания. Средство крепления выполнено в виде листовых пружин переменного сечения по длине, имеющих наибольшую толщину в средней зоне, уменьшающуюся к консольной части пружин, вынесенную за теплоприемник. Пружины попарно механически связаны между собой и расположены по краям оснований теплообменников с возможностью плотного и стабильного их прижатия с помощью винтовых блоков через термоэлектрические модули к поверхностям корпуса теплоприемника. Технический результат: повышение кпд, мощности и стабильности работы. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии наноматериалов и наноструктур и может применяться для получения тонкопленочных полимерных материалов и покрытий, используемых как в сенсорных, аналитических, диагностических и других устройствах, так и при создании защитных диэлектрических покрытий. Cпособ изготовления тонкопленочного органического покрытия из катионного полиэлектролита включает модификацию подложки, приготовление водного раствора катионного полиэлектролита с адсорбцией полиэлектролита на подложку, промывку, сушку подложку с осажденным слоем. В качестве подложки используют монокристаллический кремний с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной получаемого покрытия. Для создания отрицательного электростатического заряда модифицируют подложку в растворе щелочи, перекиси водорода и воды при 75^°С в течение 15 мин. Во время адсорбции осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 2-8 мВт/см² ис длинами волн из области собственного поглощения кремния. Изобретение позволяет уменьшить шероховатость и толщину органического покрытия. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.,5 табл., 6 пр.

Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения. Внутренний агент высвобождения из формы компонента (В) содержит сложный карбоксилатный эфир, представленный следующей общей формулой (1):

Использование: для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. Сущность изобретения заключается в том, что в нанотехнологический комплекс на основе ионных и зондовых технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, введен измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп и модуль ионных пучков с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек. Технический результат: обеспечение возможности варьирования технологическими маршрутами и расширение функциональных возможностей. 4 з.п. ф-лы, 1 ил. распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.

Подобное выполнение расширяет функциональные возможности нанотехнологического комплекса.

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой. Изобретение обеспечивает возможность защитить чувствительные к температуре светоизлучающие диоды в случае высокой температуры, полученной, например, при возбуждении светоизлучающих диодов при большом токе. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению со второй областью, а третья область имеет нерегулярное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, при этом первая область и третья область связаны напрямую. Также предложен способ изготовления светоизлучающего прибора. Изобретение обеспечивает прочную связь между светоизлучающим элементом и элементом, преобразующим длину волны. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что, по крайней мере, одну из граничащих друг с другом областей соседних слоев, в пределах ее толщины, по меньшей мере, равной трем монослоям, формируют из неоднородных по структуре элементов, которые хотя бы в одном направлении имеют размеры, кратные периоду решетки соседнего слоя и/или четверти длины волны своих валентных электронов. Использование заявленного изобретения обеспечивает возможность получения композитных слоистых наноматериалов с новыми или улучшенными потребительскими свойствами. 20 ил.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p⁺ - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10¹⁸ см^-3 с последующим отжигом при температуре 400-500°C в течение 30 минут. Изобретение обеспечивает повышение напряжения пробоя изолирующих областей полупроводниковых приборов, повышение технологичности, качества и процента выхода годных приборов. 1 табл.

Группа изобретений относится к обработке поглощающих изделий, непрерывно подаваемых в устройство для обработки и имеющих переменную толщину в направлении обработки. Обработку ведут в устройстве, которое содержит первый вращающийся ролик, в качестве которого использован ролик тиснения или уплотняющий ролик, и второй вращающийся ролик. Между роликами образован зазор обработки. В устройстве предусмотрено регулирующее средство для оперативного регулирования номинального размера зазора. Упомянутое средство содержит по меньшей мере один пьезоэлектрический элемент для смещения положения первой оси вращения для первого ролика и/или второй оси вращения для второго ролика для изменения величины зазора обработки. Регулирующее средство связано с устройством управления, которое функционально связано с датчиком для определения по меньшей мере одного характерного свойства обрабатываемого изделия. Указанным свойством является толщина профиля изделия. Устройство управления обеспечивает управление регулирующим средством в зависимости от толщины профиля. В результате обеспечивается повышение качества обработки. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение предназначено для охлаждения электронных устройств бортовой аппаратуры космических аппаратов (КА). Технический результат - повышение эффективности охлаждения устройств, содержащих радиоэлектронные компоненты и силовые модули с различными тепловыделениями, в том числе предназначенных для эксплуатации в условиях невесомости. Это достигается тем, что конструкция размещена в герметичном корпусе, состоящем из двух частей. Первая (верхняя) часть является крышкой в виде полого металлического цилиндра с полусферической торцовой стенкой с закрытой стороны и снабженного фланцем - с открытой стороны. Вторая (нижняя) часть представляет собой основание, на котором крепятся все компоненты электронного устройства. Внутри корпуса размещены электронные компоненты следующим образом: на основании установлен групповой охладитель, на котором закреплены наиболее тепловыделяющие компоненты. На основании также установлены стойки, обеспечивающие крепеж над упомянутыми компонентами горизонтального перфорированного экрана, на котором смонтированы остальные компоненты с меньшими тепловыделениями - печатные платы с радиоэлементами. Входное отверстие, расположенное в крышке, предназначено для подачи внутрь корпуса диэлектрической охлаждающей жидкости, которая, проходя внутри корпуса, омывает все электронные компоненты, охлаждая их, и поступает в каналы, имеющиеся в теле группового охладителя, обеспечивая дополнительный съем тепла, затем сливается через выходное отверстие, расположенное в основании. Внутренние каналы увеличивают эффективность теплоотдачи установленных на групповом охладителе компонентов. Охлаждающая жидкость подается в корпус под большим давлением с помощью внешнего насоса и может входить в общий циркулирующий поток охладителя всего космического аппарата. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к светодиодному модулю. Технический результат - разработка состоящего из нескольких расположенных на печатной плате светодиодов светодиодного модуля, в котором выход из строя отдельных светодиодов не виден снаружи благодаря «вводу» излучаемого пассивным светодиодом светового потока в элемент ввода светового излучения вышедшего из строя светодиода. Достигается тем, что в модуле, состоящем из нескольких расположенных на печатной плате светодиодов, которые имеют соответственно так называемую укладку с линзой, которыми соответствующий светодиод выступает из плоскости печатной платы, причем светодиоды связаны соответственно с элементом ввода светового излучения световодного тела и посредством соответственно соотнесенного элемента ввода светового излучения соответствующий световой поток соотнесенных светодиодов излучается наружу из светодиодного модуля. Для достижения однородного внешнего вида на печатной плате для светодиодов предусмотрен по меньшей мере один пассивный светодиод, который выполнен с возможностью активации при выходе из строя одного из светодиодов. Испускаемый этими пассивными светодиодами световой поток проникает в элемент ввода светового излучения соответствующего светодиода и посредством элемента ввода светового излучения излучается наружу. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в получении высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур с напряжением пробоя ~1200 В. В способе формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур на сильнолегированную подложку 6H-SiC наносят методом химического осаждения из газовой фазы слаболегированный эпитаксиальный слой толщиной 10÷15 мкм, после чего проводят ионное легирование этого слоя акцепторной примесью А1 или В с энергией 80÷ 100 кэВ и дозой 5000÷7000 мкКл/см², что позволяет максимально увеличить ширину области пространственного заряда p-n-перехода (w~10 мкм), при которой в приповерхностном p-слое не возникает инверсии носителей заряда, при этом достигается величина напряжения пробоя p-n-перехода ~1200 В. 1 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для преобразования матрично расположенных шариковых выводов микросхем из бессвинцового припоя в оловянно-свинцовые околоэвтектического состава при дальнейшем поверхностном монтаже электрорадиоэлементов и интегральных схем на печатные платы и формирования надежных и качественных паяных соединений, предназначенных для работы в жестких условиях эксплуатации. Изобретение обеспечивает указанное преобразование с минимальными механическими и тепловыми воздействиями на микросхему, для сохранения ее полной работоспособности после преобразования. Микросхему с матрично расположенными шариковыми выводами из бессвинцового припоя на основе олова и серебра устанавливают на плоскую подложку из несмачиваемого припоем материала, на которой предварительно через металлический трафарет нанесены определенные дозы припойной пасты, имеющие в своем составе повышенное содержание свинца, при этом обеспечивают совмещение и контактирование шариковых выводов и доз припойной пасты, далее производят нагрев до пиковой температуры не более 230°С и последующее охлаждение с выдержкой при температуре выше 180°С до образования в процессе кристаллизации новых шариковых выводов большего размера, состоящих из околоэвтектического оловянно-свинцового припоя, близкого по составу к эвтектическому трехкомпонентному сплаву Sn₆₂Pb₃₆Ag ₂. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. В фоточувствительном приборе с зарядовой связью, имеющем подложку первого типа проводимости, в ее приповерхностной части, внутри области объемного канала переноса второго типа проводимости дополнительно сформирована примыкающая к обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной области и имеющая с ней омический контакт дополнительная фоточувствительная область первого типа проводимости, имеющая область перекрытия с областью стоп-диффузии с образованием в этой области перекрытия омического контакта, причем находящаяся под ней область объемного канала переноса второго типа проводимости имеет более низкую концентрацию примеси, чем область объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, при этом величина потенциала объемного канала переноса под дополнительной фоточувствительной областью меньше величины потенциала объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, а глубина залегания дополнительной фоточувствительной области в области канала переноса соответствует глубине проникновения ультрафиолетового излучения в данную полупроводниковую подложку. Изобретение обеспечивает создание фоточувствительного прибора с зарядовой связью с увеличенной чувствительностью к УФ излучению. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области органической электроники, а именно к органическим фотовольтаическим устройствам (солнечным батареям и фотодетекторам), изготовленным с использованием органических фторсодержащих соединений в качестве модифицирующих добавок. Изобретение относится к органическому фотовольтаическому устройству с объемным гетеропереходом, содержащему последовательно расположенные подложку, дырочно-собирающий электрод, дырочно-транспортный слой, фотоактивный слой, состоящий из смеси полупроводникового материала n-типа, полупроводникового материала p-типа и органического фторсодержащего соединения, электрон-транспортный слой, электрон-собирающий электрод, подложку. При этом фотоактивный слой дополнительно содержит фторсодержащий модификатор F1-F8 в концентрации от 0.000000001% до 40% по весу. Также изобретение относится к способу изготовления фотовольтаического устройства, который заключается в том, что фторсодержащий модификатор вводят в раствор полупроводниковых компонентов, из которого отливают затем фотоактивные пленки. Также изобретение относится к применению фторсодержащих модификаторов F1-F8 для улучшения характеристик органических солнечных батарей с объемным гетеропереходом. Технический результат заключается в разработке новых добавок-модификаторов наноструктуры полимер-фуллереновых систем, способных улучшать характеристики фотовольтаических устройств. 3 н.п. ф-лы, 14 ил., 8 табл., 8 пр.

Изобретение относится к электротехнике, к средствам для использования эффекта сверхпроводимости, и может быть использовано в установках для активации высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Технический результат состоит в повышении технологичности и качества процесса намагничивания. После замыкания клемм 1, 2 переключателя к ВТСП 9 подается транспортный ток от внешнего источника постоянного тока. Транспортный ток, протекая через ВТСП 9, взаимодействует с квантованными нитями магнитного потока 7 и создает силу Лоренца, которая перемещает квантованные нити магнитного потока 7 в направлении, перпендикулярном направлению течения транспортного тока. После размыкания клемм 1, 2 переключателя магнитный поток в ВТСП 9 остается захваченным центрами пиннинга. Запасаемая в ВТСП 9 электромагнитная энергия и возникающие в режиме вязкостного движения квантованных нитей магнитного потока 7 потери компенсируются внешним источником постоянного тока. Таким образом, в процессе активации происходит преобразование тепловой энергии в электрическую, ответственную за движение квантованных нитей магнитного потока 7, и в электромагнитную, ответственную за наличие положительной остаточной намагниченности ВТСП 9. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к композиции для уменьшения пожелтения и способу получения такой композиции. Композиция состоит из фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент, поливинилбутирального слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола. Технический результат - получение композиции, пригодной для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр., 1 ил.

Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от ИС, СБИС, силовых модулей, блоков радиоэлектронной аппаратуры и т.п. Технический результат - повышение теплоотвода от кристалла к корпусу; упрощение технологии сборки с использованием теплоотводов на основе эффекта Пельтье. Достигается тем, что в устройстве охлаждения ИС, основанном на использовании эффекта Пельтье, на ИС в керамическом корпусе наклеивается алюминиевый теплорассекатель, а на него охлаждающий полупроводниковый блок, использующий эффект Пельтье. При этом основание корпуса ИС является одновременно верхним теплопереходом охлаждающего полупроводникового блока, при этом пайка кристаллов к подложке, подложки с основанием корпуса (верхним теплопереходом ТЭМ), верхнего теплоперехода с одной поверхностью полупроводниковых ветвей p- и n-типа происходит при температуре на 20-25°C ниже температуры пайки другой поверхности полупроводниковых ветвей к нижнему теплопереходу, причем полупроводниковые ветви размещены между теплопереходами таким образом, что все горячие поверхности контактируют с одним теплопереходом, а все холодные - с противоположным и с помощью металлизации соединены в единую электрическую цепь, которая подключена к источнику питания, для контроля температуры корпуса ИС к нему крепится термопара, а для стабилизации температуры (нагрева или охлаждения) термопара соединена с блоком переключения полярности источника питания. 7 ил.