Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей – H01L 39/00

Описан сверхпроводящий элемент, включающий жесткую подложку, изготовленную из несверхпроводящего материала, причем указанная подложка включает по меньшей мере одну сверхпроводящую дорожку, образованную канавкой, содержащей сверхпроводящий материал, плотность которого равна по меньшей мере 85% от значения его теоретической плотности, и описан способ изготовления указанного элемента. Настоящее изобретение также относится к возможным применениям сверхпроводящих элементов, а также к сверхпроводящим устройствам, включающим указанные сверхпроводящие элементы. 5 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 пр.

Изобретение относится к электротехнике, к средствам для использования эффекта сверхпроводимости, и может быть использовано в установках для активации высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Технический результат состоит в повышении технологичности и качества процесса намагничивания. После замыкания клемм 1, 2 переключателя к ВТСП 9 подается транспортный ток от внешнего источника постоянного тока. Транспортный ток, протекая через ВТСП 9, взаимодействует с квантованными нитями магнитного потока 7 и создает силу Лоренца, которая перемещает квантованные нити магнитного потока 7 в направлении, перпендикулярном направлению течения транспортного тока. После размыкания клемм 1, 2 переключателя магнитный поток в ВТСП 9 остается захваченным центрами пиннинга. Запасаемая в ВТСП 9 электромагнитная энергия и возникающие в режиме вязкостного движения квантованных нитей магнитного потока 7 потери компенсируются внешним источником постоянного тока. Таким образом, в процессе активации происходит преобразование тепловой энергии в электрическую, ответственную за движение квантованных нитей магнитного потока 7, и в электромагнитную, ответственную за наличие положительной остаточной намагниченности ВТСП 9. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом изобретения является реализация непрерывной перестройки частоты криогенного генератора для обеспечения возможности фазовой подстройки частоты к опорному синтезатору на произвольной частоте во всем диапазоне перестройки. В криогенном генераторе гетеродина для интегральных приемных устройств субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, изготовленного на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона подложки выполнена шероховатой, с размером неоднородностей соизмеримой с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические материалы с очень малым температурным коэффициентом изменения сопротивления. Создан керамический материал следующей химической формулы AgBaPb₃O_z, где z=(4,5-6) в зависимости от условий синтеза. Керамический материал имеет стабильные прочностные и электрические характеристики относительно охлаждения до температуры жидкого азота и последующего нагревания до комнатной температуры. Начальное сопротивление образцов зависит от давления прессования изделия и проведения процесса высокотемпературного спекания. 6 ил.

Изобретение относится к сверхпроводящим переключателям. Сущность изобретения: переключатель, осуществляющий переключение обмотки между резистивным и сверхпроводящим режимами работы, содержит корпус, который включает в себя обмотку, навитую вокруг бобины, и внутреннюю полость с хладагентом, охлаждающим обмотку. Перегородка отделяет внутреннюю полость с хладагентом от наружного резервуара с хладагентом. Перегородка имеет малые отверстия, позволяющие потоку жидкого хладагента поступать во внутреннюю полоть для охлаждения обмотки. Размер одного или нескольких малых отверстий сопоставим с размером пузырьков газообразного хладагента в жидком хладагенте при нормальных рабочих уровнях давления в системе охлаждения сверхпроводящего магнита. Изобретение позволяет усовершенствовать управление условиями охлаждения сверхпроводящего переключателя. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам уменьшения интенсивности фонового излучения инфракрасного диапазона. Способ фильтрации фонового излучения инфракрасного диапазона, падающего на сверхпроводниковый однофотонный детектор, включает передачу излучения инфракрасного диапазона с длиной волны 0,4-1,8 микрометров на сверхпроводниковый однофотонный детектор при помощи одномодового волокна, частично находящегося при температуре 4,0-4,4 К. При этом длина охлаждаемого участка одномодового волокна составляет 0,2-3,5 м. Технический результат заключается в повышении надежности работы фотонных детекторов. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, увеличение их температурного рабочего диапазона, повышение удельного сопротивления ВТСП материала в нормальном состоянии путем введения ферромагнитной примеси в ВТСП пленку при электроискровой обработке отрицательными импульсами, мощность которых находится из заявленного соотношения. 4 ил.

Изобретение относится к сборке из металлических элементов, составляющей заготовки для сверхпроводника. Сборка содержит, по меньшей мере, один проводниковый элемент, адаптированный для обеспечения сверхпроводящей нити в конечном сверхпроводнике, и по меньшей мере один легирующий элемент, обеспечивающий источник легирования для легирования проводникового элемента, и источник олова. Сборка содержит по меньшей мере такое число легирующих элементов, расположенных вне проводниковых элементов, каково число проводниковых элементов, и металлическая сборка содержит по меньшей мере два легирующих элемента для каждого проводникового элемента. Проводниковый элемент и легирующий элемент выполнены в виде прутков и составляют отдельные элементы. Трубчатый элемент размещен вне проводникового элемента и легирующего элемента. Сборка размещена так, что по меньшей мере два легирующих элемента позиционированы рядом и в двух различных направлениях каждого проводникового элемента. Изобретение обеспечивает получение высококачественного сверхпроводника, позволяет повысить производительность и снизить затраты на производство. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к способам, позволяющим производить совмещение фотонных детекторов относительно оптического излучения. Способ прецизионного позиционирования чувствительного элемента фотонного детектора относительно амплитудно-модулированного оптического излучения включает смещение чувствительного элемента фотонного детектора постоянным током с последующей регистрацией электрического сигнала, возникающего на контактах детектора на частоте модуляции излучения. Полученный при этом сигнал используют как параметр, определяющий качество позиционирования. Обеспечивается повышение технико-эксплуатационных характеристик детектора.

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из легированного металлом полупроводника. Прослойка имеет локально неоднородную структуру и выполнена с возможностью одновременного образования в ее объеме двух независимых каналов транспорта тока, один из которых представляет собой совокупность цепочек примесных атомов металла, соединяющих оба электрода и образующих квазиодномерные каналы с металлической проводимостью для транспорта сверхпроводящего тока, а другой - состоит из отдельно расположенных примесных атомов металла, образующих локализованные состояния примесных центров и обеспечивающих транспорт нормального туннельного тока, причем упомянутые квазиодномерные каналы представляют собой внутренние шунты для туннельного тока в прослойке. Способ включает последовательное нанесение на подложку первого и второго слоев сверхпроводника, прослойки легированного металлом полупроводника между ними, формируемой путем распыления полупроводника и металла. Технический результат: исключение непосредственного протекания тока через прослойку с обеспечением резонансных механизмов транспорта тока, увеличение характерного напряжения и дифференциального сопротивления СПД; улучшение воспроизводимости параметров за счет использования более толстых слоев легированного полупроводника. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может использоваться для изготовления ленточных высокотемпературных сверхпроводников второго поколения. Сущность: устройство для нанесения сверхпроводящих слоев содержит камеру осаждения с зоной нагрева, через которую перемещается протяженная подложка; импульсно-периодический лазер, сфокусированный на мишень, имеющую покрытие из сверхпроводящего материала; механизм для перемещения импульсного лазерного луча по поверхности мишени, от которой в результате импульсной лазерной абляции отделяется материал и ударяет в нагреваемую протяженную подложку; механизм перемещения мишени, и блок управления последовательных движений лазерного луча и перемещения мишени. Технический результат достигается за счет того, что механизм перемещения мишени содержит постоянно вращающийся вал, на котором закреплена мишень, имеющая осевую симметрию относительно оси вращения, параллельной направлению перемещения подложки через зону нагрева. Технический результат: упрощение устройства при обеспечении возможности повышения скорости нанесения сверхпроводящих слоев. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электричеству, к электрофизике и теплопроводности материалов, к явлению нулевого электрического сопротивления, т.е. к гиперпроводимости, и нулевого теплового сопротивления, т.е. к сверхтеплопроводности материалов при околокомнатных и более высоких температурах. Сущность изобретения: на поверхности или в объеме невырожденного или слабо вырожденного полупроводникового материала размещают электроды, образующие выпрямляющие контакты с материалом. При этом выбирают расстояние между электродами (D) значительно меньше глубины проникновения в материал электрического поля (L), (D<<L), вызванного контактной разностью потенциалов. Минимальное расстояние между электродами D_MIN=20 нанометров, максимальное расстояние между электродами D_MAX=30 микрометров. До, после или во время формирования электродов в материал вводят электронно-колебательные центры (ЭКЦ) в концентрации (N) от 2·10¹² см^-3 до 6·10 ¹⁷ см^-3. Доводят температуру материала до температуры гиперпроводящего перехода (T_h) или до более высокой температуры. Технический результат: возможность осуществления эффекта гиперпроводимости и сверхтеплопроводности при температурах вблизи и выше комнатной. 12 з.п. ф-лы, 26 ил.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к сверхпроводящим размыкателям постоянного тока многократного действия. Размыкатель содержит отключающий элемент (1), выполненный в виде двух последовательно соединенных проводников (2, 3) из сверхпроводящего материала, к выводам которых подключены выводы двух последовательно соединенных и заряженных разнополярно конденсаторов (4, 5). Между точкой соединения конденсаторов (4, 5) и точкой соединения проводников (2, 3) отключающего элемента (1) включен замыкающий прибор (6). Проводники (2, 3) отключающего элемента (1) сложены между собой через изоляционный материал (7) бифилярно, а вместе эти проводники уложены в индуктивную обмотку. Технический результат заключается в снижении энергии схемы управления размыкателем путем повышения величины собственного магнитного поля отключающего элемента в интервале времени процесса управления. 2 ил.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ Y(ВахВе1-x)2Cu3O7-

Изобретение относится к способу получения материалов на основе сложного оксида Y(Ba_xBe_1-x) ₂Cu₃O_7- с широким спектром электрических свойств от высокотемпературных сверхпроводников до полупроводников, которые могут быть использованы в микроэлектронике; электротехнике; энергетике, например для получения пленок методами нанесения покрытий и катодного распыления мишеней из этого материала; проводников тока второго поколения; терморезисторов. Способ включает получение смесей нитратов иттрия, бария, бериллия и меди, обеспечивающих соответствующие стехиометрические составы, с глицином, термообработку указанной смеси при температуре 500°С, при которой процесс сжигания обеспечивает синтез и разрыхление получаемого конечного продукта: нанопорошка с размером частиц 20-50 нм. Синтезированный порошок термообрабатывают при температуре 500-900°С, в результате чего он рекристаллизуется до размеров частиц 20 нм - 10 мкм. Преимуществом данного метода является: возможность однородного распределения материала по составу, приводящего к снижению эффекта неоднородной деформации образца при спекании и достижению широкого спектра электрических свойств сложного оксида Y(Ba_xBe_1-x) ₂Cu₃O_7- , а также получения плотных сырцов керамики и слоев покрытий.

Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления и высокую линейность отклика напряжения на магнитную компоненту электромагнитного сигнала сверхпроводящего прибора в полосе частот 0,1-10 ГГц, оптимизацию развязки между входом и выходом для предотвращения просачивания входного сигнала на выход устройства, повышение чувствительности устройства за счет оптимизации связи по магнитному полю между входной линией и СКИФ-структурой, повышение помехозащищенности устройства. Сверхпроводящий прибор содержит следующие основные элементы: чип, содержащий СКИФ-структуру, и согласующую плату, предназначенную для задания входного электромагнитного сигнала в резонансную цепь СКИФ-структуры на чипе и снятия выходного сигнала с помощью микрополосковой линии и передачи его на выходной коаксиальный разъем. СКИФ-структура, расположенная внутри петли линии задания входного электромагнитного сигнала, имеет повышенный коэффициент усиления и высокую линейность отклика напряжения на магнитную компоненту электромагнитного сигнала в полосе частот 0,1-10 ГГц и размеры джозефсоновских переходов (ДП), удовлетворяющие условию, при котором обеспечивается режим работы, характеризующийся фраунгоферовой зависимостью критического тока от магнитного поля, проникающего в ДП. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области сверхпроводниковой электротехники и может быть использовано для коммутации тока сверхпроводящих магнитных систем и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии, в системах защиты сверхпроводящих обмоток электрических машин, сверхпроводящих кабелей и линий электропередачи. Сверхпроводящий выключатель содержит сверхпроводящую отключающую обмотку, выводы которой подсоединены к выводам источника энергии, систему управления, состоящую из соединенных последовательно конденсатора, замыкающего прибора и основной обмотки управления. К выводам отключающей обмотки параллельно подключена цепь из нагрузки и вспомогательной обмотки управления. Отключающая обмотка и вспомогательная обмотка управления состоят из равного числа N секций. Секции отключающей обмотки соединены параллельно, а секции вспомогательной обмотки управления соединены последовательно. При этом основная обмотка управления расположена на первой секции отключающей обмотки, а секции вспомогательной обмотки управления расположены на одноименных секциях отключающей обмотки. Изобретение обеспечивает снижение энергии системы управления выключателем и увеличение его быстродействия. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов, в частности к изготовлению подложек для этих материалов. Сущность изобретения: способ изготовления биаксиально текстурированной подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников предусматривает проведение следующих стадий: А) получение заготовки, изготовленной из тройного сплава системы Ni-W-Cr, состав которого находится внутри области на фазовой диаграмме Ni-W-Cr, ограниченной треугольником АВС с координатами вершин, ат.%: (A) Ni_89.5W_3.0 Cr_7.5, (В) Ni_88.5Сr_11.5 и (С) Ni₈₅Cr₁₅; Б) холодную прокатку данной заготовки с получением ленты; и В) отжиг полученной ленты при температуре от 900 до 1200°С со скоростью нагрева до температуры отжига от 10 до 20°С/с. Изобретение позволяет повысить содержание кубической текстуры, а именно получить не менее 98% биаксиально текстурованных зерен в подложке, и обеспечить твердость на ее поверхности не менее 145 кг/см². 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов и может быть использовано при промышленном производстве длинномерных сверхпроводящих лент для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала включает следующие стадии: (а) нанесение на подложку буферного слоя, содержащего последовательно расположенные биаксиально текстурированные слои оксида магния, бифторида стронция с толщиной, не превышающей 40 нм, и оксида церия или оксида иттрия, (б) нанесение на буферный слой высокотемпературного сверхпроводящего слоя. Техническим результатом является получение высокотемпературной сверхпроводящей гетероструктуры с совершенной биаксиальной текстурой всех слоев, включая буферные и слой сверхпроводника. Такая гетероструктура имеет максимально простую архитектуру (количество индивидуальных) буферных слоев, а осаждение каждого последующего слоя не приводит к росту шероховатости поверхности пленки. 5 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области сверхпроводимости и нанотехнологий, а именно к способу получения и обработки композитных материалов на основе высокотемпературных сверхпроводников (BTCП), которые могут быть использованы в устройствах передачи электроэнергии, для создания токоограничителей, трансформаторов, мощных магнитных систем. Способ обработки высокотемпературного сверхпроводника, представляющего собой композитную структуру, состоящую из материала подложки с нанесенными на нее буферными слоями из оксидов металлов, слоя сверхпроводящего материала из оксидов металлов, поверх которого нанесен защитный слой из серебра, заключается в облучении указанной структуры ионным пучком тяжелых благородных газов с энергией от 48 до 107 МэВ с флюенсом 2×10¹⁰-5×10 ¹⁰ ионов/см² и плотностью ионного тока 2,6×10 ^-8-6,5×10^-8 А/см² при поддержании температуры от 30°С до 100°С, с обеспечением снятия внутренних упругих напряжений в композитной структуре. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области получения сверхпроводящих соединений и изготовления нанопроводников и приборов на их основе, что может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленности, в частности для оптического тестирования интегральных микросхем, исследования излучения квантовых точек и в системах квантовой криптографии. Способ включает формирование на диэлектрической подложке канала проводимости из нитрида ниобия любым из известных методов толщиной не более 20 нм, но не менее толщины, приводящей к нарушению сплошности, и с шириной не более 350 нм и его последующее облучение потоком ускоренных частиц в присутствии кислорода. В качестве ускоренных частиц используют атомы водорода или протоны, ионы или атомы гелия, ионы или атомы кислорода или смеси перечисленных частиц с энергией от 0,5 до 5,0 кэВ. В качестве подложки используют лейкосапфир. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности детектирования. 4 з.п ф-лы, 1 ил., 4 табл.

Сверхпроводящий выключатель предназначен для коммутации тока сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии и сверхпроводящих магнитных систем, в системах защиты сверхпроводящих обмоток электрических машин, линий электропередачи и сверхпроводящих кабелей. Сущность изобретения: сверхпроводящий выключатель содержит сверхпроводящую отключающую обмотку, выводы которой подсоединены к выводам источника энергии, систему управления, состоящую из соединенных последовательно конденсатора, основной обмотки управления и замыкающего прибора, к выводам отключающей обмотки параллельно подключена цепь из нагрузки и вспомогательной обмотки управления. Отключающая обмотка и вспомогательная обмотка управления выполнены в виде N последовательных секций, и основная обмотка управления расположена на первой секции отключающей обмотки, а каждая из секций вспомогательной обмотки управления расположена на одноименной секции отключающей обмотки. Технический результат изобретения заключается в снижении энергии системы управления за счет уменьшения объема сверхпроводящего материала в части отключающей обмотки, на которую воздействует основное управляющее магнитное поле. 1 ил.

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Способ включает окисление поверхности металлического алюминия в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 10 мл/мин при температуре 650°С в течение 1 часа и последующую выдержку полученного алюминия с поверхностным оксидом алюминия при температуре 700°С в ампуле в вакууме 5×10^-4 Торр в течение 3 минут. Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл-оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Способ включает окисление поверхности образца металлического магния в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 20 мл/мин при температуре 600°С в течение 3 часов и последующее охлаждение полученного образца магния с поверхностным оксидом магния до комнатной температуры в течение 5 минут. Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе магний-оксид магния с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области сверхпроводящей электротехники и может быть использовано для коммутации электрических цепей постоянного тока. Сущность изобретения: мощный сверхпроводящий выключатель содержит систему управления и сверхпроводящий отключающий элемент, который выполнен из N последовательных секций и подсоединен своими выводами к выводам сверхпроводящего индуктивного накопителя энергии и источника постоянного тока и к выводам нагрузки. Индуктивный накопитель энергии и нагрузка также состоят из N последовательных секций, включенных между собой и отключающим элементом посекционно параллельно. Система управления подключена к первой секции отключающего элемента. Между одним из выводов каждой секции отключающего элемента и выводом одноименной секции нагрузки дополнительно включена обмотка, которая конструктивно расположена снаружи следующей секции отключающего элемента. Обмотка, электрически включенная в цепь N-й секции нагрузки, конструктивно расположена снаружи первой секции отключающего элемента, образуя замкнутую схему воздействия обмоток. Технический результат изобретения заключается в снижении энергии системы управления и повышении надежности выключателя за счет дополнительного использования энергии магнитного поля, создаваемого током, протекающим в цепи нагрузки. 1 ил.

Изобретение относится к разработке новых составов ВТСП композитов на основе Bi-ВТСП соединений с повышенными токонесущими свойствами. Сущность изобретения: сверхпроводящий композиционный материал на основе висмутовых ВТСП соединений содержит порошок синтезированных висмутовых ВТСП соединений (со структурой 2212, 2223) и равномерно распределенные в объеме композиционного материала наноразмерные (от 20 до 100 нм) частицы нитрида бора в количестве 0,05-0,5 мас.%. Техническим результатом изобретения является получение новых сверхпроводящих композиционных материалов на основе ВТСП соединений с повышенным уровнем токонесущей способности как в нулевом магнитном поле, так и во внешних магнитных полях повышенной напряженности. 2 н.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области криоэлектроники, в частности к области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: в сверхпроводниковом пленочном трансформаторе магнитного потока, содержащем диэлектрическую подложку, сверхпроводниковое квадратообразное кольцо с узкой активной полосой, изолирующую пленку, помещенную между активной полосой трансформатора магнитного потока и магниточувствительным элементом, активная полоса сформирована с помощью прорезей в виде параллельных ветвей. Техническим результатом изобретения является повышение фактора умножения трансформатора магнитного потока. 2 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения биаксиально текстурированных подложек. Заявлен способ изготовления биаксиально текстурированной подложки из бинарного сплава на основе никеля для эпитаксиального нанесения на нее буферного и высокотемпературного сверхпроводящего слоев для ленточных сверхпроводников. Способ включает выплавку, ковку, холодную прокатку до степени деформации 97% и рекристаллизационный отжиг при температуре 1000°С. В качестве бинарного сплава на основе никеля используют сплав рений 7 ат.%, никель - остальное. Технический результат - получение высокой степени текстурированности и прочности, а также высокой химической стойкости ленты. 4 ил., 2 табл., 1 пр.

Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления нанопленок сложного металлооксидного соединения состава YВа₂Сu₃O_7-х (YBCO) повышенной проводимости и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе формирования гладких ультратонких YBCO пленок повышенной проводимости на монокристаллической подложке методом лазерного распыления мишени YВа₂Сu ₃O_7-х, формируют пленку толщиной L=5÷7 нм с неровностью поверхности L=1÷2 нм и удельным сопротивлением =0,8÷1,1·10^-6 Ом·м, путем воздействия на мишень лазерным излучением плотностью мощности Р=3·10 ⁸÷5·10⁸ Вт/см², длиной волны =1,06 мкм, длительностью импульса =10-20 нс и частотой следования импульсов =10 Гц в течение времени t=7÷10 с, при давлении воздуха р=50÷100 Па, температуре мишени Т=600÷700°С, температуре подложки Т=800÷840°С. Изобретение обеспечивает создание гладких ультратонких пленок YBCO на монокристаллической подложке. 10 ил.

Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано при изготовлении сверхпроводящих изделий, в частности высокочастотных объемных резонаторов, волноводов, линий задержки и т.п. устройств. Формируют листовой штамповкой металлическую основу из никеля, кобальта, меди или сплава этих металлов. На наружную поверхность основы сверхпроводящего изделия последовательно наносят электрохимическим осаждением многослойное покрытие, состоящее из защитного слоя из хрома, молибдена или вольфрама, сверхпроводящего слоя из ниобия или станнида ниобия, стабилизирующего слоя из тантала или его сплава с ниобием и опорного теплопроводного медного слоя. После нанесения защитного слоя его подвергают механическому полированию до обеспечения чистоты поверхности 0,1 мкм и менее. Сверхпроводящий слой изделия наносят осаждением из расплава солей галогенидов щелочных металлов и солей ниобия или ниобия и олова при температуре 750-850°С и катодной плотности тока 100-500 А/м². После полирования сверхпроводящего слоя изделие подвергают отжигу в вакууме при температуре 500-900°С. Предлагаемый способ обеспечивает снижение поверхностного сопротивления объемных резонаторов на высоких частотах в 1,28-1,41 раза и увеличение добротности на 28-40%. При этом снижается уровень потерь энергии, обусловленных токами автоэлектронной эмиссии. 6 з.п. ф-лы, 6 пр., 1 ил.,1 табл.

Изобретение относится к устройствам для высокотемпературного осаждения сверхпроводящих слоев на подложках в форме ленты с использованием импульсного лазера и может быть использовано в электротехнической промышленности. Устройство содержит камеру осаждения с окном для ввода лазерного излучения и мишень, выполненную из материала, предназначенного для образования сверхпроводящего слоя. Мишень в процессе работы облучают лазерным излучением. В камере осаждения предусмотрены также нагреватель подложки и устройство для перемещения подложки вдоль нагревателя. Нагреватель включает, по крайней мере, три нагревательных элемента из нержавеющей стали. Нагревательные элементы выполнены в форме полос из сетки тканевого плетения. Такая конструкция нагревательных элементов позволяет обеспечить однородность электрических параметров по всей площади нагревательных элементов. Ширина каждого нагревательного элемента превышает ширину ленты в 1,1÷1,3 раза. Зазор между нагревательными элементами составляет не более 0,2 ширины ленты. При таком соотношении размеров обеспечивается равномерное распределение температур в зоне напыления. Изобретение позволяет повысить надежность устройства, стабильность его технологических параметров, а также снизить эксплуатационные затраты. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.