Приборы с использованием сверхпроводимости, способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей: ..отличающиеся материалом – H01L 39/12

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании элементов наноэлектроники, активных элементов криоэлектронных схем, работающих в условиях космического вакуума и холода и использующих новые проводящие керамические материалы с очень малым температурным коэффициентом изменения сопротивления. Создан керамический материал следующей химической формулы AgBaPb₃O_z, где z=(4,5-6) в зависимости от условий синтеза. Керамический материал имеет стабильные прочностные и электрические характеристики относительно охлаждения до температуры жидкого азота и последующего нагревания до комнатной температуры. Начальное сопротивление образцов зависит от давления прессования изделия и проведения процесса высокотемпературного спекания. 6 ил.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ Y(ВахВе1-x)2Cu3O7-

Изобретение относится к способу получения материалов на основе сложного оксида Y(Ba_xBe_1-x) ₂Cu₃O_7- с широким спектром электрических свойств от высокотемпературных сверхпроводников до полупроводников, которые могут быть использованы в микроэлектронике; электротехнике; энергетике, например для получения пленок методами нанесения покрытий и катодного распыления мишеней из этого материала; проводников тока второго поколения; терморезисторов. Способ включает получение смесей нитратов иттрия, бария, бериллия и меди, обеспечивающих соответствующие стехиометрические составы, с глицином, термообработку указанной смеси при температуре 500°С, при которой процесс сжигания обеспечивает синтез и разрыхление получаемого конечного продукта: нанопорошка с размером частиц 20-50 нм. Синтезированный порошок термообрабатывают при температуре 500-900°С, в результате чего он рекристаллизуется до размеров частиц 20 нм - 10 мкм. Преимуществом данного метода является: возможность однородного распределения материала по составу, приводящего к снижению эффекта неоднородной деформации образца при спекании и достижению широкого спектра электрических свойств сложного оксида Y(Ba_xBe_1-x) ₂Cu₃O_7- , а также получения плотных сырцов керамики и слоев покрытий.

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл - оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Способ включает окисление поверхности металлического алюминия в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 10 мл/мин при температуре 650°С в течение 1 часа и последующую выдержку полученного алюминия с поверхностным оксидом алюминия при температуре 700°С в ампуле в вакууме 5×10^-4 Торр в течение 3 минут. Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе алюминий - оксид алюминия с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области технологии получения высокотемпературных проводников в системе металл-оксид металла и может использоваться для получения соединений, обладающих особыми физическими свойствами. Способ включает окисление поверхности образца металлического магния в реакторе в потоке осушенного кислорода со скоростью 20 мл/мин при температуре 600°С в течение 3 часов и последующее охлаждение полученного образца магния с поверхностным оксидом магния до комнатной температуры в течение 5 минут. Задача изобретения - получение сверхпроводника в системе магний-оксид магния с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние при одновременном повышении воспроизводимости результатов синтеза. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в качестве сверхпроводящего материала при изготовлении сверхпроводящих магнитных систем различного назначения для генерации постоянных магнитных полей, например, в термоядерных реакторах для удержания плазмы, ускорителях элементарных частиц, накопителях энергии и других устройствах. Сущность изобретения: композитная сверхпроводящая лента на основе соединения Nb ₃Sn состоит из расположенных в медной оболочке, по крайней мере, трех чередующихся слоев: сплава Cu-(0,5-1,5) мас.% Sn и многослойных пачек из наноструктурных слоев Nb₃Sn и слоев сплава Cu-(0,5-1,5) мас.% Sn таким образом, чтобы слоями, прилежащими к медной оболочке, были слои сплава Cu-(0,5-1,5) мас.% Sn. Изобретение обеспечивает увеличение критической плотности тока проводника и улучшенную степень стабилизации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в качестве сверхпроводящего материала при изготовлении сверхпроводящих магнитных систем различного назначения для генерации постоянных магнитных полей, например, в термоядерных реакторах для удержания плазмы, ускорителях элементарных частиц, накопителях энергии и других устройствах. Сущность изобретения: композитная сверхпроводящая лента на основе соединения Nb ₃Sn состоит из расположенных в медной оболочке, по крайней мере, трех чередующихся слоев: сплава Cu-(0,5-1,5) мас.% Sn и многослойных пачек из наноструктурных слоев Nb₃Sn и сплава Cu-(0,5-1,5) мас.% Sn таким образом, чтобы слоями, прилежащими к медной оболочке, были слои многослойных пачек. Изобретение обеспечивает увеличение критической плотности тока проводника и улучшенную степень стабилизации. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости. Может использоваться при создании линий электропередач и энергетических установок. Высокотемпературный сверхпроводник на основе соединения лития Si_1-xC_xLi ₄, где 0 х 0,02. Применение соединения лития в качестве сверхпроводника позволяет повысить критическую температуру сверхпроводящего перехода.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, введение второй, более слабой степени экранирования. Сущность изобретения: составной комбинированный магнитный экран состоит из фрагментов-колец, изготовленных из ферромагнитного материала и покрытых вначале изолирующим, а затем слоем высокотемпературного сверхпроводника так, что ферромагнитные кольца с покрытием соединяются между собой при сборке, образуя магнитную и сверхпроводящую оболочки. При повышении температуры больше критической сверхпроводниковый материал переходит в нормальное состояние и перестает экранировать внутренний объем. Однако ферромагнитная замкнутая оболочка продолжает функцию экрана, хотя и с меньшей эффективностью. Естественно, что скорость изменения магнитного поля внутри экрана оказывается много меньшей. 3 ил.

Использование: изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и, в частности, к способам производства высокотемпературных сверхпроводящих пленок и может быть использовано в электроэнергетике, радиотехнике, электронной технике, системах связи и т.д. Сущность изобретения: высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития выполнен в виде многослойной структуры, включающей диэлектрическую подложку, на которой последовательно расположены буферная алмазная пленка и слой твердого раствора нитрида лития в фосфиде лития с содержанием нитрида лития в пределах 4-7%. Поверхность слоя твердого раствора покрыта защитной алмазной пленкой. Толщина слоя твердого раствора не превышает 2 мкм, а толщина буферной и защитной алмазных пленок составляет 20-50 нм. В качестве диэлектрической подложки может быть использован кварцевый волоконный световод, покрытый слоем оксонитрида кремния толщиной до 50 нм. Для получения высокотемпературного сверхпроводника на основе фосфида лития предлагается способ, заключающийся в том, что на расположенную в реакторе и нагретую до температуры 500-600°С диэлектрическую подложку из парогазовой смеси метана и водорода в потоке инертного газа в СВЧ-плазме пониженного давления осаждают буферную алмазную пленку, на которую затем путем плазмохимического осаждения наносят слой твердого раствора нитрида лития в фосфиде лития с содержанием нитрида лития 4-7% путем подачи в зону осаждения осушенного инертного газа и конгруэнтно испаренного при температуре 450-550°С твердого раствора фосфида и нитрида лития аналогичного состава, после чего на поверхность слоя твердого раствора осаждают защитную алмазную пленку. Техническим результатом изобретения является повышение критической температуры перехода вплоть до комнатной, сохранение сверхпроводящих свойств при длительной эксплуатации, возможность формирования высокотемпературных сверхпроводящих тонкопленочных структур, а также проволоки и кабеля в совмещенном процессе вытяжки кварцевого оптического волокна из соответствующей заготовки. При этом обеспечивается двойное использование оптического волокна как основы ВТСП-проводников для передачи электрического тока без потерь, а также для телекоммуникаций, что открывает широчайшие перспективы для таких оптоволоконных ВТСП-структур. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.