Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле – H01L 25/00

Изобретение относится к светоизлучающему устройству и способу его изготовления. Светоизлучающее устройство содержит по меньшей мере одну монтажную площадку, множество светоизлучающих диодов, смонтированных на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированных для излучения конкретного цвета, и по меньшей мере одну интегральную схему, смонтированную на упомянутой по меньшей мере одной монтажной площадке и сконфигурированную для возбуждения по меньшей мере одного из упомянутого множества светоизлучающих диодов, при этом наиболее чувствительный к температуре светоизлучающий диод расположен между менее чувствительными к температуре светоизлучающими диодами и упомянутой по меньшей мере одной интегральной схемой. Изобретение обеспечивает возможность защитить чувствительные к температуре светоизлучающие диоды в случае высокой температуры, полученной, например, при возбуждении светоизлучающих диодов при большом токе. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к электроосветительным, сигнальным и др. подобным устройствам, а именно к светодиодным лампам, и может найти применение при изготовлении таких ламп для освещения и подсветки во многих сферах хозяйства, заградительных, сигнальных огней на транспорте, в дорожном, речном движении, для бакенов, башен, протяженных зданий, аэродромов. Особенностью конструкции лампы является то, что одна основная деталь или ее поверхность выполняет функции - несущего, корпусного элемента, теплоотводящего радиатора, токоподводящих элементов, электроизолирующих элементов, светоизлучающих, светопередающих, отражающих и светорассеивающих элементов, она содержит люминофор для увеличения эффективности светоизлучающих характеристик лампы. Технический результат - улучшение характеристики светоизлучения лампы в пределах полного телесного угла, снижение массы лампы, улучшение характеристики теплоотвода, повышение надежности. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 2 ил.,1 табл.

Изобретение относится к модулю выпрямителя тока. Технический результат - создание модуля выпрямителя тока, система шин которого может охлаждаться простыми средствами без дополнительной трассировки и увеличения веса устройства в целом. Достигается тем, что модуль выпрямителя тока содержит, по меньшей мере, два силовых полупроводниковых модуля (2, 4), теплопроводно механически соединенных с жидкостным теплоотводом (6) и посредством системы (8) шин, которая имеет, по меньшей мере, две изолированные друг от друга токоведущие шины, электропроводно связанных с выводами модуля выпрямителя тока. Система (8) шин соединена с, по меньшей мере, одной линией (24) подачи охладителя, причем система (8) шин и линия (24) подачи охладителя образуют единый конструктивный узел. Посредством этой линии (24) подачи охладителя в соответствии с изобретением отводится дополнительная мощность потерь в ламинированной системе (8) шин. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение светоизлучающих элементов (СЭ) в замкнутом поле (ЗП) повторяющимися группами (Г) с виртуальными номерами гирлянд внутри Г вначале в прямом порядке, затем в обратном. Последовательное соединение СЭ с одноименными СЭ внутри Г осуществляют, например, с правой стороны, а между соседними Г с левой стороны, с поочередно прилегающими к друг другу проводниками (П), параллельно ориентированными оси расположения СЭ в ЗП в случае размещения П в плоскости (ПЛ) размещения СЭ. Б случае многоуровневого соединения СЭ под ПЛ размещения СЭ П в изолирующих слоях (ИС) соединение СЭ осуществляют соединительной металлизацией сквозь ИС с соответствующими П на ИС, которые располагают по двум виртуальным непересекающимся линиям, по которым, например, с левой стороны соединения с СЭ осуществляют внутри Г СЭ, а с правой стороны между соседними Г в зонах отсутствия П в предыдущих ИС. Технический результат: повышение плотности размещения Г СЭ в интегральной матрице, неизменности формы излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких Г, надежности светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации. Изобретение обеспечивает возможность нахождения приемов размещения и соединения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице для повышения плотности размещения, сохранение излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации и повышение процента выхода годных изделий. 1 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем. Изобретение может быть использовано также в СВЧ микроэлектронике при создании монолитных усилителей мощности и в силовой электронике при создании монолитных преобразователей. В полупроводниковом источнике излучения (ИИ) генерирующая излучение монолитная матрица p-n мезоструктур на теплопроводящей диэлектрической подложке установлена внутри кристаллодержателя, выполненного в виде устройства с высокой скоростью отбора тепла от кристалла и передачи его всей конструкции кристаллодержателя. Кристаллодержатель, содержащий диэлектрическую крышку, спаянную с металлическим основанием, вместе с матрицей p-n мезоструктур, вставленной в окно диэлектрической крышки и соединенной с ней пайкой по краям окна, образует герметичную полость, частично заполненную капиллярно-пористым материалом. На тыловой поверхности подложки кристалла и смежной с ней внутренней поверхности диэлектрической крышки сформирована единая сеть капиллярных каналов. Это обеспечивает многократное снижение теплового сопротивления полупроводникового источника излучения и обеспечивает равномерное распределение температуры по площади кристалла. На поверхности диэлектрической крышки сформированы входные контакты, обеспечивающие надежность и удобство монтажа изделия. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения теплового сопротивления ИИ и увеличение излучаемой ИИ мощности, создание конструкции ИИ, позволяющей получать изделия светотехники с большой площадью излучения, компактно расположенных светоизлучающих матриц. Кроме этого, при наличии плотного расположения элементарных ИИ решается задача получения ИИ с наиболее высокой плотностью мощности (яркости) излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ изготовления светодиодного модуля согласно изобретению включает формирование на подложке изолирующей пленки; формирование на изолирующей пленке первой заземляющей контактной площадки и второй заземляющей контактной площадки, отделенных друг от друга; формирование первой разделительной пленки, которая заполняет пространство между первой и второй заземляющими контактными площадками, второй разделительной пленки, осажденной на поверхность первой заземляющей контактной площадки и третьей разделительной пленки, осажденной на поверхность второй заземляющей контактной площадки; формирование первого разделяющего слоя заданной высоты на каждой из разделительных пленок; распыление затравочного металла на подложку, на которой сформирован первый разделяющий слой; формирование второго разделяющего слоя заданной высоты на первом разделяющем слое; формирование первого зеркала, соединенного с первой заземляющей контактной площадкой, и второго зеркала, соединенного со второй заземляющей контактной площадкой с помощью выполнения процесса нанесения металлического покрытия на подложку, на которой сформирован второй разделяющий слой; удаление первого и второго разделяющих слоев; соединение стабилитрона с первым зеркалом и соединение светодиода со вторым зеркалом; и осаждение флуоресцентного вещества для того, чтобы заполнить пространство, образованное первым зеркалом и вторым зеркалом. Также согласно изобретению предложены еще один вариант описанного выше способа и конструкция светодиодного модуля. Изобретение обеспечивает возможность улучшить относительную световую эффективность светодиодного элемента с помощью улучшения тепловыделяющей способности при изготовлении светодиодного модуля с высокой яркостью, и получить светодиодный модуль небольшого размера с высокой яркостью при низкой стоимости, значительно снизить интенсивность отказов модуля и стоимость изготовления единицы, используя полупроводниковый процесс, который облегчает массовое производство. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам и способам их изготовления. В полупроводниковом устройстве, включающем подложку крепления, тонкопленочный элемент, сформированный на подложке крепления, и полупроводниковый элемент, прикрепленный к подложке крепления, полупроводниковый элемент включает в себя основную часть полупроводникового элемента и множество подстилающих слоев, расположенных стопкой на стороне основной части полупроводникового элемента, обращенной к подложке крепления, причем каждый из подстилающих слоев включает в себя изолирующий слой и рисунок схемы на изолирующем слое, и рисунки схем присоединены друг к другу через контактные отверстия в изолирующих слоях. Рисунок схемы одного из подстилающих слоев, который находится ближе всего к подложке крепления, имеет вытянутый участок, продолжающийся по направлению к тонкопленочному элементу, а тонкопленочный элемент присоединен к основной части полупроводникового элемента через соединительную линию, предусмотренную на полимерном слое, вытянутый участок и рисунки схем. Изобретение обеспечивает оптимальное соединение между тонкопленочными элементами и полупроводниковыми элементами на подложке крепления. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 33 ил.

Использование: для получения межсоединений в высокоплотных электронных модулях в микроэлектронике. Сущность способа заключается в том, что в исходной заготовке вскрывают окна в слое полимера, заполняют эти окна проводящим материалом, вскрывают окна в проводящем слое, заполняют эти окна полимером, после заполнения окон в проводящем слое полимером разделяют заготовку на отдельные части, последовательно укладывают их в пакет и сращивают слои пакета совместно с несущей подложкой. Технический результат: расширение арсенала способов снижения стоимости изготовления и ускорение процесса создания высокоплотных электронных модулей. 29 ил.

Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении. Поперечное рассеивание тепла может проходить вдоль всей длины слоя, а проводящий тепло материал может быть электрически изолирующим. Сквозные соединения сквозь кремний могут быть сконструированы в определенных областях, чтобы способствовать рассеиванию тепла от проблемных тепловых областей. Изобретение обеспечивает улучшение рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур t (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания:

Изобретение относится к области сборки сверхвысокочастотной аппаратуры с размещением электронных компонентов и связей между ними в трехмерном пространстве. Технический результат изобретения - обеспечение высокой плотности компоновки электронных компонентов с тепловыми характеристиками, исключающими появление «горячих точек», и высоких показателей надежности. Способ изготовления трехмерного СВЧ модуля включает изготовление полупроводниковых структур на пластине, разделение пластины на кристаллы сквозной резкой с точностью не менее ±10 мкм, очистку и переукладку кристаллов, нанесение изоляционного слоя через свободные маски, вакуумную посадку подложек и компонентов в них, нанесение фиксирующего состава на стыки подложек - компонентов, визуальный контроль качества закрытия стыков, вакуумное напыление проводников, удаление фиксирующего состава, отмывку микроплат, вакуумную сушку, электротермотренировку и функциональный контроль микроплат, сборку их в пакет, нанесение фиксирующего состава на стыки между микроплатами, вакуумное напыление проводников на грани модуля, удаление фиксирующего состава, отмывку модуля, вакуумную сушку, помещение модуля в изготовленную заранее оболочку, монтаж внешних выводов, заполнение оболочки пудрой, виброуплотнение, герметизацию, финишний контроль и упаковку модуля. 7 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области производства электронной аппаратуры с расположением компонентов и связей между ними в трехмерном пространстве. Технический результат изобретения заключается в увеличении плотности компоновки электронной аппаратуры и улучшении показателей надежности компоновки. Способ изготовления трехмерного электронного прибора включает контроль активных компонентов на пластине, резку пластины на активные компоненты, очистку, изготовление подложек групповых микроплат, посадку компонентов в окна подложек групповых микроплат, нанесение проводников на групповые микроплаты, электротермотренировку и контроль компонентов в составе групповых микроплат, вырезку годных микроплат и сборку их в пакет, нанесение проводников на грани пакета, монтаж внешних выводов, изготовление средств теплоотвода, герметизацию прибора, его финишный контроль и упаковку. 9 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает параллельное размещение гирлянд (ГД) с заданным числом последовательно соединенных светоизлучающих элементов (СЭ) в светоизлучающей матрице (СМ). В интегральном поле СМ размещают ГД вертикально параллельно друг другу и соединяют с между расположенными горизонтально чередующимися по полярности шинами питания (ШП). Количество ШП определяют исходя из количества СЭ в ГД и ГД, укладывающихся в стороне края подложки (П) в первом случае без возникновения остатка количества ГД. Во втором случае возникновения остатка количества ГД оставшиеся ГД размещают горизонтально между дополнительно вводимыми ШП. В третьем случае возникновения дополнительного остатка количества ГД ГД размещают произвольно, а оставшиеся неиспользуемые ячейки (Я) под СЭ используют под контактные площадки (КП) для соединения токосъемниками (ТС) ШП с внешними выводами корпуса СМ СЭ. Для внешнего с активной излучающей стороны П соединения ШП с выводами корпуса СМ СЭ ТС, сравнимыми по толщине с размером Я СЭ, виртуальную сетку (ВС) СМ относительно, например, левого и нижнего краев П одновременно или с одной стороны сжимают поля Я СЭ на величины, достаточные по площади для образования КП в верхней и правой сторонах П, соединенных с соответствующими ШП для осуществления их соединения ТС для внешних выводов СМ СЭ. При наличии остатка количества Я под СЭ при формировании СМ в количестве, равном или больше двух, оставшиеся неиспользуемые Я под СЭ используют как КП без изменения размеров ВС. В результате обеспечивают максимальную плотность размещения ГД СЭ, исключение пересечения последовательных соединений СЭ в ГД, возможную многофункциональность СМ при раздельном подключении питания к КП ГД СЭ, повышение процента выхода годных изделий. Изобретение обеспечивает возможность повышения плотности размещения, сохранения излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы и повышение процента выхода годных изделий. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 18 ил.

Изобретение относится к области сборки микроэлектронной аппаратуры с расположением электронных компонентов и содержащих их микроплат в трехмерном пространстве. Технический результат - обеспечение высоких показателей надежности соединений между электронными компонентами, входящими в состав трехмерного электронного модуля при увеличении плотности компоновки за счет минимального количества межсоединений. Достигается тем, что в способе сборки трехмерного электронного модуля, включающем размещение электронных компонентов и микроплат, имеющих контактные площадки на торцевых поверхностях, параллельно друг другу, электрическое соединение их по боковым поверхностям модуля, его контроль и герметизацию, в качестве исходных применены гарантированно годные компоненты, с помощью их и микроплат формируют пространственно ориентированные контактные площадки для создания непрерывной линии конструкции модуля, дозировано наносят склеивающий теплопроводный электроизоляционный состав на торцы микроплат, обеспечивая при этом монолитность и непрерывность клеевого шва, совмещают по контактным площадкам электронные компоненты и соединяют их, полимезируют склеивающий состав, очищают контактные площадки электронных компонентов и микроплат от пленки склеивающего состава, напыляют на гранях склеенного трехмерного электронного модуля проводники, обеспечивающие необходимые соединения между электронными компонентами и микроплатами по их контактным площадкам; наращивают проводники, расположенные на гранях трехмерного электронного модуля. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к силовому полупроводниковому модулю. Технический результат - предложение силового полупроводникового модуля, обладающего высокой взрывоустойчивостью и изготавливаемого с особенно оптимальными затратами. Достигается тем, что в силовом полупроводниковом модуле (1), включающем в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и у которого имеются электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), предлагается построить изолирующие боковые стенки (13) в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14, 15, 16) прилегают друг к другу контактными областями. 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. Сущность изобретения: светоизлучающий модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле, которое оборудовано для защиты светоизлучающего устройства от перегрева. При повышенной температуре соединение устройства может достигать критического уровня, что приводит к катастрофической поломке устройства. Согласно изобретению термореле оборудовано, чтобы шунтировать полупроводниковое светоизлучающее устройство. Это является особым преимуществом, так как тепловая защита, выполняемая термореле, приведена в соответствие непосредственно с температурой устройства в условиях эксплуатации. Светоизлучающий модуль обеспечивает тепловую защиту, регулируемую и настроенную на температуру соединения полупроводникового светоизлучающего устройства. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к блоку микроэлектродной матрицы для датчиков или нейронных протезов. Блок микроэлектродной матрицы изготовлен с использованием жидкокристаллического полимера и содержит микроэлектродную матрицу. Блок содержит: секцию подложки, содержащую жидкокристаллический полимер, электродную секцию, принимающую и передающую биосигналы, и секцию крышки, изолирующую и защищающую электродную секцию и содержащую жидкокристаллический полимер, причем электродная секция находится в контакте с поверхностью секции подложки, секция крышки соединена с поверхностью секции подложки, на которой расположена электродная секция, и между секцией подложки и соединенной с ней секцией крышки образуется пространство, независимое от окружающей среды. Изобретение также относится к способу изготовления блока микроэлектродной матрицы, содержащему стадии формирования установочных отверстий в секции подложки, содержащей жидкокристаллический полимер, и в секции крышки, содержащей жидкокристаллический полимер, формирование сквозных отверстий (окон) для экспонирования электродной секции в секции крышки, формирование электродной секции на одной из поверхностей секции подложки, выравнивание секции подложки и секции крышки с помощью установочных отверстий и соединение друг с другом секции подложки и секции крышки, и обрезание секции подложки и секции крышки, соединенных друг с другом, для придания внешней формы. Изобретение обеспечивает возможность стабильно и быстро изготавливать блоки микроэлектродных матриц, при этом собранные в единый блок секции могут быть использованы для получения высокоплотных многоканальных систем. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области конструирования электронных устройств с применением трехмерной технологии и с использованием бескорпусных электронных компонентов. Технический результат - создание трехмерного электронного устройства с конфигурацией произвольной пространственной формы, обеспечивающей получение оптимальных характеристик практически любой электронной аппаратуры, особенно эффективно при создании сверхбыстродействующих наземных и бортовых вычислительных комплексов. Достигается тем, что трехмерное электронное устройство выполняют в виде усеченного цилиндра, или усеченной пирамиды, или в виде составной фигуры из их комбинаций, непосредственно соединенных между собой, при этом микроплаты на своих торцах снабжены внешними контактами, электрически соединенными с компонентами микроплат, а трехмерные электронные модули - внешними контактными полями, расположенными по их торцам или граням. Внешняя коммутационная плата может быть выполнена в виде гибкой печатной платы с контактными полями для присоединения к любой поверхности трехмерных модулей, внешние контактные поля могут быть выполнены из плоских, покрытых токопроводящим материалом зон, соединенных с внешней коммутационной платой, расположенных на внешних торцах каждого трехмерного модуля, или из консольных, выступающих за габариты трехмерных электронных модулей, металлических или полимерных металлизированных контактов, электрически соединенных с внешней коммутационной платой. Рассмотрены случаи выполнения внешней коммутационной платы, позволяющие универсализировать трехмерные электронные модули произвольной пространственной конфигурации. 9 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к многоуровневым интегральным схемам, более точно к системам и методам активного терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: в устройстве интегральной схемы, содержащем уровень с активными схемами и термоэлектрическим устройством, термоэлектрическое устройство сформировано внутри сквозных соединений в слое упомянутого уровня и облегчает тепловой поток между областью интегральной схемы и термоэлектрическим устройством. В одной реализации термоконтроллер представляет собой термоэлектрическое устройство (ТЕ), такое как элемент Пельтье. Активные термоконтроллеры могут представлять собой р-n-переходы, созданные в многоуровневой интегральной схеме, и могут служить для переноса тепла в горизонтальном и вертикальном направлениях, по желанию. Изобретение позволяет усовершенствовать систему терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой и экранной заземляющей металлизацией на обратной сторонах; кристаллы навесных компонентов: активных - полупроводниковых приборов и пассивных - конденсаторов, расположенные на лицевой стороне подложки и соединенные с топологическим рисунком металлизации, на лицевой поверхности подложки расположен пленочный полимерный носитель, на наружной стороне которого выполнены плоские пленочные внутрисхемные соединительные проводники, которые соединены с контактными площадками активных и пассивных навесных компонентов и с топологическим рисунком металлизации через сквозные отверстия, выполненные в полимерном носителе. Толщина полимерного носителя выполнена от 5 до 100 мкм, а диэлектрическая проницаемость полимера - от 1,5 до 8,0. В пленочном полимерном носителе вдоль пленочных проводников топологического рисунка металлизации и на расстоянии от него не более 1 мм, а также под внутрисхемными соединительными проводниками выполнены дополнительные отверстия с плотностью от 10 до 90% общей площади полимерного носителя. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области технологии изготовления электронной аппаратуры с применением бескорпусных электронных компонентов при расположении их и связей между ними в трехмерном пространстве. Техническим результатом изобретения является создание технологического процесса изготовления трехмерного электронного модуля и его составных частей для реализации высокой плотности компоновки, щадящего теплового режима работы, возможности эксплуатации электронного оборудования данного типа в жестких климатических, механических и радиационных условиях при сохранении ремонтопригодности модуля до его окончательной герметизации. Способ изготовления трехмерного электронного модуля включает операции предварительной приклейки компонентов к маскам сублимирующим клеем, применение торцевых масок для напыления проводников на торцевые поверхности компонентов и микроплат, применение теплорастекателя, выравнивающего тепловой фон по всему модулю. Технология основана на применении стандартного технологического оборудования. 3 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение по краям светоизлучающей матрицы (СМ) контактных площадок (КП), предпочтительно объединенных в группы для питания гирлянд (ГД), и самих ГД с заданным числом последовательно соединенных светоизлучающих элементов (СЭ) в интегральном поле СМ. Пути формирования ГД сжимают в форме лабиринта, избегая тупиковых соединений СЭ, при этом разность количества СЭ в ГД и в периметре сторон СМ или в периметрах соприкасающихся ГД от одной КП до соответствующей другой КП ГД выбирают четной. В результате обеспечивают максимальную плотность размещения ГД СЭ, исключение пересечения последовательных соединений СЭ в ГД, возможную многофункциональность СМ при раздельном подключении питания к КП ГД СЭ, повышение процента выхода годных изделий. Изобретение обеспечивает возможность нахождения приемов размещения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице для повышения плотности размещения при наличии контактных площадок для соединения выводов светоизлучающей матрицы, сохранения излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы в процессах изготовления и повышение процента выхода годных изделий. 5 з.п. ф-лы, 2 табл., 9 ил.

Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах. Сущность изобретения: устройство трехмерной (3-D) многоуровневой интегральной схемы содержит первый и второй полупроводниковые кристаллы, наложенные друг на друга, множество сквозных переходных отверстий, сформированных, чтобы проходить, по существу, между активными слоями первого и второго полупроводниковых кристаллов, и выполненных с возможностью обеспечения связи между первым и вторым полупроводниковыми кристаллами, и активную схему, сформированную, по меньшей мере, частично внутри, по меньшей мере, одного из множества сквозных переходных отверстий, причем первый и второй полупроводниковые кристаллы совместно используют активную схему, по меньшей мере, для защиты от электростатического разряда. Изобретение позволяет осуществить экономию пространства и сократить площадь кристалла, требуемую для схемы ESD-защиты. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к источнику света, который производит белый свет. Заявленный источник однородного света высокой яркости содержит, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов одинакового типа, каждая из которых производит свет с длинами волн, которые отличаются на 5 нм или более, и элемент преобразования длины волны, который включает в себя, по меньшей мере, два материала преобразования длины волны, которые преобразуются свет в разные цвета. Интенсивность света, производимого микросхемами светоизлучающих диодов, варьируется, чтобы предоставить регулируемую коррелированную цветовую температуру точки белого. Элемент преобразования длины волны может представлять собой, например, пакет или смесь из люминофора или люминесцентной керамики. Более того, процесс изготовления источника света упрощается, поскольку все микросхемы светоизлучающих диодов изготовляются посредством одной и той же технологии, что устраняет необходимость в изготовлении разных типов микросхем. Технический результат - упрощение изготовления и управления источником света с регулируемой точкой белого. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к изготовлению и производству интегральных светоизлучающих приборов. Способ согласно изобретению включает размещение гирлянд (ГД) с определенным числом (ОЧ) последовательно соединенных светоизлучающих элементов (СИЭ) в интегральном поле в последовательных от центра замкнутых прямоугольных или квадратных полях СИЭ. Если это количество не соответствует кратности, то его остаток или недоимок переносят или проносят из соседних избыточных по количеству СИЭ прямоугольных полей, несколько видоизменяя границы прилегающих полей. Образованные ГД СИЭ размещают в полях группами или в чередующейся последовательности между собой и соединяют все ГД параллельно. Площадь СИЭ и размер подложки определяют исходя из заданной мощности излучения, количества элементов в ГД и количества ГД при постоянной плотности тока в СИЭ. Технический результат: повышение плотности размещения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице, неизменности формы излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд, надежности светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации и, соответственно, повышение процента выхода годных изделий. 10 з.п. ф-лы, 14 табл., 9 ил.

Использование: электронная техника, при изготовлении многокристальных модулей. Сущность изобретения: многокристальный модуль содержит, по крайней мере, два пакета корпусов с интегральными схемами оперативной и постоянной памяти, коммутационную плату и процессор, установленные на основании. На основании установлен набор микроплат и крышка, образующие в сборе с основанием герметичный корпус, при этом на внутренних поверхностях крышки и основания установлены соответственно коммутационная плата и процессор, связанные с микроплатами корпуса проволочными соединениями, а на наружной поверхности основания выполнены внешние выводы, электрически соединенные с крышкой и микроплатами посредством коммутационной платы и сквозных токопроводящих каналов. Предложенная конструкция многокристального модуля позволяет значительно расширить функциональные возможности модуля, обеспечить его ремонтоспособность. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится области силовых электронных средств, в частности к шунтирующему модулю, для замыкания ячейки преобразователя. Сущность изобретения: шунтирующий модуль для шунтирования первого и второго входа ячейки преобразователя модульного преобразователя содержит бистабильное механическое реле, силовой электронный переключатель, модуль возбуждения для переключения реле и силового электронного переключателя. Бистабильное механическое реле выполнено с возможностью электрического соединения первого входа со вторым входом, силовой электронный переключатель выполнен с возможностью электрического соединения первого входа со вторым входом. Шунтирующий модуль содержит накопитель энергии для подачи питания к механическому реле, силовому электронному переключателю и модулю возбуждения, причем модуль возбуждения содержит схему пассивного детектирования избыточного напряжения, и, если напряжение превышено, накопитель энергии заряжается за счет избыточного напряжения. Модуль возбуждения содержит дополнительный электронный переключатель, который закрыт, когда напряжение на накопителе энергии превышает заданное значение, и модуль возбуждения подает ток от накопителя энергии к бистабильному реле и/или к силовому электронному переключателю, и модуль возбуждения имеет гистерезис, так что, если напряжение на накопителе энергии недостаточно повышено, к реле и/или силовому электронному переключателю все еще подается ток от накопителя энергии. Изобретение обеспечивает преобразователь, с удобными для технического обслуживания и надежными ячейками преобразователя. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Использование: электронная техника, в частности использование при изготовлении многокристальных модулей. Сущность изобретения: многокристальный модуль выполнен в виде пакета кристаллодержателей, каждый из которых содержит установленные друг на друга металлизированные микроплаты, нижняя в виде сплошной подложки, средняя и верхняя в виде рамок, на которых размещены интегральная схема и контактные площадки, электрически связанные проволочными соединениями между собой и микропроводниками металлизации микроплат с внешними выводами, в качестве которых использованы каналы, образованные соосными сквозными отверстиями и расположенные по периферии микроплат, подложка и рамки микроплат в кристаллодержателях выполнены соответственно прямоугольной и овальной форм, а каналы размещены с каждой стороны модуля с равным шагом по дуге таким образом, что центры каналов и контактных площадок микроплат, имеющие одинаковые порядковые номера, соединены проводниками равной длины. Использование изобретения исключает нежелательные концентрации тепла в отдельных зонах конструкции модуля, обеспечивая тем самым надежность работы интегральных схем и изделия в целом. 5 ил.

Изобретение относится к сборке интегральных схем, а более конкретно к мостиковым межсоединениям между прилегающими интергальными схемами в корпусе с подложкой. Сущность изобретения: система мостиковых межсоединений интегральных схем включает в себя первый кристалл и второй кристалл, предоставленные в прилегающей конфигурации и электрически соединенные друг с другом с помощью мостикового кристалла. Мостиковый кристалл включает в себя сквозные отверстия через кремний для соединения проводящих линий межсоединений на мостиковом кристалле с первым кристаллом и вторым кристаллом. Активные схемы, иные чем линии межсоединений, могут быть предусмотрены на мостиковом кристалле. По меньшей мере, один или более дополнительных кристаллов могут быть уложены в стопку на мостиковом кристалле и соединяться с мостиковым кристаллом. Техническим результатом изобретения является упрощение процесса монтажа, снижение затрат на материалы межсоединений и обеспечение соединения между микросхемами с меньшим шагом, чем обычно допустимо при проволочном монтаже и эквивалентных межсоединениях с балочными выводами. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области конструирования радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано в миниатюрных приемопередающих устройствах. Сущность изобретения: в объемном модуле для радиоэлектронной аппаратуры, имеющем жесткую конструкцию с выводами, помещенную в металлический корпус и залитую компаундом, содержащем электрически и механически соединенные между собой прямоугольные печатные платы с экранирующими слоями и установленными радиоэлектронными компонентами, две из которых расположены горизонтально, остальные - вертикально, и образующие своими гранями (в том числе торцевыми) контуры объемной симметричной относительно, как минимум, двух из плоскостей симметрии, проходящих через вертикальную ось модуля, фигуры, причем верхняя горизонтальная плата лежит не ниже уровня верхних торцевых граней всех вертикальных плат, а нижняя - не выше уровня нижних торцевых граней этих плат и имеет внешние выводы, являющиеся выводами модуля, каждая вертикальная печатная плата состоит из двух отдельных половин той же высоты, которые находятся в плоскостях, проходящих через вертикальную ось модуля, а одна из боковых торцевых граней каждой половины максимально приближена и параллельна этой оси, и лежащих зеркально симметрично относительно указанных плоскостей симметрии или вертикальной оси модуля, причем ортогональная проекция верхней или нижней торцевой грани любой из больших или меньших половин хотя бы на одну из плоскостей симметрии находится в пределах контура горизонтальных плат, и содержат контактные площадки вдоль верхней и нижней сторон, горизонтальные платы имеют форму круга с центром, лежащим на оси модуля, на контуре которого находятся концы проекций на этот круг меньших половин вертикальных плат, причем указанные контактные площадки сгруппированы вблизи контура соответственно верхней и нижней горизонтальных плат, на которых находятся ответные контактные площадки, введены дополнительные печатные платы. При этом половины любой вертикальной печатной платы могут находиться в одной плоскости. Большие половины вертикальных печатных плат могут иметь длину, равную длине меньших половин. Заявленное изобретение обеспечивает создание объемного модуля для радиоэлектронной аппаратуры с уменьшенными габаритами при низкой трудоемкости изготовления, хорошей помехоустойчивости и ремонтопригодности. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.