Блоки, состоящие из нескольких отдельных полупроводниковых или других приборов на твердом теле: ...отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе  ,29/00 – H01L 25/11

Изобретение относится к области силовой электроники. Сущность изобретения: силовой полупроводниковый модуль содержит два электрических главных вывода, расположенных на противолежащих, по существу параллельных главных поверхностях модуля, первый из которых выполнен в виде верхней закрывающей электропроводящей платы, электроизолирующий корпус, соединенный с верхней закрывающей платой и расположенный между обоими главными выводами силового полупроводникового модуля, по меньшей мере два субмодуля, которые содержат каждый два электрических главных вывода и каждый, по меньшей мере, один полупроводниковый чип с двумя главными электродами, электрически соединенными с главными выводами субмодуля. Субмодули расположены друг возле друга, нагружены усилием прижатия и одной из обеих главных поверхностей прижаты к верхней закрывающей электропроводящей плате. По меньшей мере, два субмодуля соединены электрически последовательно. Благодаря последовательному соединению расположенных рядом субмодулей достигается удвоение максимального запирающего напряжения модуля. В результате сокращается длина и стоимость пакета высоковольтного выключателя, так как при тех же запирающих напряжениях требуется меньше компонентов, в частности, модулей и охлаждающих элементов. 14 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области силовых электронных устройств. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем корпус модуля, включающий электропроводную пластину крышки, и электропроводную пластину основания, расположенную, по существу, параллельно пластине крышки, а также изолирующую стенку корпуса, расположенную между пластиной крышки и пластиной основания, силовую полупроводниковую схему, расположенную в корпусе модуля, и содержащую, по меньшей мере, два силовых вывода, один из которых электрически соединен с пластиной крышки, а второй электрически соединен с пластиной основания, и, по меньшей мере, два вывода, которые выведены из корпуса модуля, причем один из них электрически соединен с пластиной крышки, печатная плата, сформированная, по существу, плоской и, по меньшей мере, двухслойной, выступает из корпуса модуля, причем два вывода силовой полупроводниковой схемы сформированы как проводники печатной платы - проводник управляющего вывода и проводник вывода пластины крышки, расположенные, по существу, параллельно основанию печатной платы и с противоположных сторон печатной платы, причем печатная плата механически закреплена на пластине крышки с помощью средства крепления так, что проводник вывода пластины крышки, расположенный на стороне печатной платы, обращенной к пластине крышки, электрически соединен с пластиной крышки. Силовой полупроводниковый модуль имеет улучшенную стабильность и пониженную индуктивность контактов. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем, по меньшей мере, две электропроводные пластины основания, множество полупроводниковых микросхем и корпус модуля, состоящий из электропроводной крышки и жестких элементов корпуса модуля, полупроводниковые микросхемы электрически соединены с помощью первых основных электродов с указанными, по меньшей мере, двумя пластинами основания, а с помощью вторых основных электродов через гибкие контактные элементы полупроводниковые микросхемы электрически соединены с крышкой, причем крышка соединена с жесткими элементами корпуса модуля, и жесткие элементы корпуса модуля ограничивают сжатие гибких контактных элементов. Модуль содержит множество предварительно собранных и полностью проверенных подмодулей, каждый из которых содержит пластину основания и, по меньшей мере, одну из указанных полупроводниковых микросхем, причем полупроводниковые микросхемы каждого подмодуля установлены на пластине основания этого подмодуля, и пластина основания каждого из множества подмодулей выполнена с возможностью перемещения в направлении крышки. Техническим результатом изобретения является создание силового полупроводникового модуля, обеспечивающего высокую степень стандартизации и возможность применения при различных значениях номинального тока. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к конструированию мощных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом является улучшение теплоотвода и электрических характеристик гибридной интегральной схемы. Устройство содержит транзисторы, которые выполнены в виде кристаллов с плоскими балочными выводами. На металлическом теплоотводящем основании выполнен выступ, который совпадает в плане с отверстием в диэлектрической подложке и расположен в нем, при этом высота выступа обеспечивает расположение его верхней плоскости заподлицо с лицевой стороной диэлектрической подложки. На верхней плоскости выступа выполнена выемка, сквозная со стороны плоских балочных выводов кристалла одного из транзисторов, соединенных с топологическим рисунком металлизации. На верхней плоскости выступа металлического теплоотводящего основания, по крайней мере, с одной стороны кристалла одного из транзисторов выполнена, по крайней мере, одна монтажная площадка размером равная или больше 0,3×0,3 мм, которая снабжена металлической хорошо электро- и теплопроводящей пластиной и соединена с ней. В этой металлической пластине выполнена, по крайней мере, одна канавка, в которой расположен кристалл другого транзистора, при этом она выполнена сквозной со стороны его плоских балочных выводов, соединенных с топологическим рисунком металлизации, соразмерна ему и с толщиной дна, равной 0,1-5,0 мм. Другие плоские балочные выводы кристаллов транзисторов соединены с выступом на металлическом теплоотводящем основании. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.