Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле – H01L 23/00

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле

H01L 23/02 .корпусы, уплотнения
 23/1223/3423/4823/552 имеют преимущество
H01L 23/04 ..отличающиеся формой
H01L 23/043 ...с полой конструкцией и электропроводным основанием, служащим креплением и выводом для полупроводниковой подложки
H01L 23/045 ....остальные выводы проложены через отверстия в основании и изолированы от него
H01L 23/047 ....остальные выводы параллельны основанию
H01L 23/049 ....остальные выводы перпендикулярны основанию
H01L 23/051 ....другой вывод служит крышкой, параллельной основанию, например структура типа "сэндвич"
H01L 23/053 ...имеющие полую конструкцию и изоляционное основание, являющееся креплением для полупроводниковой подложки
H01L 23/055 ....с выводами, проходящими через отверстия в основании
H01L 23/057 ....с выводами, параллельными основанию
H01L 23/06 ..отличающиеся материалом корпуса или его электрическими параметрами
H01L 23/08 ...материалом, являющимся электрическим изолятором, например стеклом
H01L 23/10 ..отличающиеся материалом или расположением уплотнений между частями прибора, например между крышкой и основанием корпуса или между выводами и стенками корпуса
H01L 23/12 .крепежные детали, например несъемные изоляционные подложки
H01L 23/13 ..отличающиеся формой
H01L 23/14 ..отличающиеся материалом или его электрическими параметрами
H01L 23/15 ...керамические или стеклянные подложки
H01L 23/16 .заполнители или вспомогательные элементы для корпусов, например центрирующие кольца
 23/42,  23/552 имеют преимущество
H01L 23/18 ..отличающиеся материалом, его физическими или химическими свойствами, или расположением внутри собранного прибора
H01L 23/20 ...газообразные при нормальной рабочей температуре прибора
H01L 23/22 ...жидкостные при нормальной рабочей температуре прибора
H01L 23/24 ...твердые или студнеобразные при нормальной рабочей температуре прибора
H01L 23/26 ...содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ
H01L 23/28 .герметизирующие средства, например герметизирующие слои, покрытия
 23/552 имеет преимущество
H01L 23/29 ..отличающиеся материалом
H01L 23/31 ..отличающиеся расположением
H01L 23/32 .держатели для крепления готовых приборов в процессе работы, т.е. съемные фиксаторы
 23/40 имеет преимущество; соединители вообще  H 01R; для печатных схем  H 05K
H01L 23/34 .приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
H01L 23/36 ..выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла
H01L 23/367 ...охлаждение, обусловленное формой прибора
H01L 23/373 ...охлаждение, обусловленное подбором материалов для прибора
H01L 23/38 ..охладительные устройства с использованием эффекта Пельтье
H01L 23/40 ..монтажные или крепежные приспособления для съемных охлаждающих или нагревательных приспособлений
H01L 23/42 ..заполнители или вспомогательные детали для корпусов, подбираемые или приспосабливаемые для облегчения нагрева или охлаждения
отличающиеся подбором материалов для прибора  23/373
H01L 23/427 ...охлаждение путем изменения состояния, например с использованием нагревательных трубок
H01L 23/433 ...вспомогательные детали, отличающиеся формой, например поршни
H01L 23/44 ..готовые приборы, полностью погруженные в текучую среду, кроме воздуха
 23/427 имеет преимущество
H01L 23/46 ..с отводом тепла посредством потока жидкости или газа
 23/4223/44 имеют преимущество
H01L 23/467 ...потока газа, например воздуха
H01L 23/473 ...потока жидкости
H01L 23/48 .приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода, вводы
проводники вообще  H 01R
H01L 23/482 ..состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой
H01L 23/485 ...имеющие вид слоистых структур, содержащих электропроводные и изоляционные слои, например плоскостные контакты
H01L 23/488 ..состоящие из паяных или сварных конструкций
H01L 23/49 ...с использованием проволоки
H01L 23/492 ...с использованием подложек или плат
H01L 23/495 ...с использованием выводных рамок
H01L 23/498 ...с использованием выводов на диэлектрических подложках
H01L 23/50 ..для интегральных схем
H01L 23/52 .электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы
H01L 23/522 ..включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке
H01L 23/525 ...с приспосабливаемыми межсоединениями
H01L 23/528 ...компоновка структуры межсоединений
H01L 23/532 ...отличающиеся материалом
H01L 23/535 ..включающие в себя внутренние межсоединения, например, с перекрещиванием межсоединений
H01L 23/538 ..структура соединений между несколькими полупроводниковыми кристаллами, сформированными на или в изоляционной подложке
крепления  23/12
H01L 23/544 .метки, наносимые на полупроводниковые приборы, например регистрационные метки, контрольные рисунки
H01L 23/552 .защита от излучений, например света
H01L 23/556 ..от альфа-излучения
H01L 23/58 .структурные электрические схемы для полупроводниковых приборов, не предусмотренные в других группах
H01L 23/60 ..защита от электростатических зарядов или разрядов, например экраны Фарадея
вообще  H 05F
H01L 23/62 ..защита от сверхтока или перенапряжения, например плавкие предохранители, шунты
H01L 23/64 ..активно-реактивные схемы
H01L 23/66 ...для работы на высоких частотах

Патенты в данной категории

ТЕРМООТВЕРЖДАЮЩАЯСЯ КОМПОЗИЦИЯ ЭПОКСИДНОЙ СМОЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к термоотверждающейся композиции на основе эпоксидной смолы и полупроводниковому устройству, полученному с использованием ее. Композиция содержит (А) реакционную смесь триазинпроизводной эпоксидной смолы и ангидрида кислоты при отношении эквивалента эпоксидной группы к эквиваленту ангидрида кислоты 0,6-2,0; (В) внутренний агент высвобождения из формы; (С) отражающий материал; (D) неорганический наполнитель; и (Е) катализатор отверждения. Внутренний агент высвобождения из формы компонента (В) содержит сложный карбоксилатный эфир, представленный следующей общей формулой (1):

2528849
выдан:
опубликован: 20.09.2014
СИСТЕМА ЖИДКОСТНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО УСТРОЙСТВА

Изобретение предназначено для охлаждения электронных устройств бортовой аппаратуры космических аппаратов (КА). Технический результат - повышение эффективности охлаждения устройств, содержащих радиоэлектронные компоненты и силовые модули с различными тепловыделениями, в том числе предназначенных для эксплуатации в условиях невесомости. Это достигается тем, что конструкция размещена в герметичном корпусе, состоящем из двух частей. Первая (верхняя) часть является крышкой в виде полого металлического цилиндра с полусферической торцовой стенкой с закрытой стороны и снабженного фланцем - с открытой стороны. Вторая (нижняя) часть представляет собой основание, на котором крепятся все компоненты электронного устройства. Внутри корпуса размещены электронные компоненты следующим образом: на основании установлен групповой охладитель, на котором закреплены наиболее тепловыделяющие компоненты. На основании также установлены стойки, обеспечивающие крепеж над упомянутыми компонентами горизонтального перфорированного экрана, на котором смонтированы остальные компоненты с меньшими тепловыделениями - печатные платы с радиоэлементами. Входное отверстие, расположенное в крышке, предназначено для подачи внутрь корпуса диэлектрической охлаждающей жидкости, которая, проходя внутри корпуса, омывает все электронные компоненты, охлаждая их, и поступает в каналы, имеющиеся в теле группового охладителя, обеспечивая дополнительный съем тепла, затем сливается через выходное отверстие, расположенное в основании. Внутренние каналы увеличивают эффективность теплоотдачи установленных на групповом охладителе компонентов. Охлаждающая жидкость подается в корпус под большим давлением с помощью внешнего насоса и может входить в общий циркулирующий поток охладителя всего космического аппарата. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

2528567
выдан:
опубликован: 20.09.2014
УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ ИС

Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от ИС, СБИС, силовых модулей, блоков радиоэлектронной аппаратуры и т.п. Технический результат - повышение теплоотвода от кристалла к корпусу; упрощение технологии сборки с использованием теплоотводов на основе эффекта Пельтье. Достигается тем, что в устройстве охлаждения ИС, основанном на использовании эффекта Пельтье, на ИС в керамическом корпусе наклеивается алюминиевый теплорассекатель, а на него охлаждающий полупроводниковый блок, использующий эффект Пельтье. При этом основание корпуса ИС является одновременно верхним теплопереходом охлаждающего полупроводникового блока, при этом пайка кристаллов к подложке, подложки с основанием корпуса (верхним теплопереходом ТЭМ), верхнего теплоперехода с одной поверхностью полупроводниковых ветвей p- и n-типа происходит при температуре на 20-25°C ниже температуры пайки другой поверхности полупроводниковых ветвей к нижнему теплопереходу, причем полупроводниковые ветви размещены между теплопереходами таким образом, что все горячие поверхности контактируют с одним теплопереходом, а все холодные - с противоположным и с помощью металлизации соединены в единую электрическую цепь, которая подключена к источнику питания, для контроля температуры корпуса ИС к нему крепится термопара, а для стабилизации температуры (нагрева или охлаждения) термопара соединена с блоком переключения полярности источника питания. 7 ил.

2528392
выдан:
опубликован: 20.09.2014
ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС МОДУЛЯ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, а именно к корпусам электрических приборов, в частности к герметичным корпусам, и может использоваться в конструкциях, к которым предъявляются высокие требования по герметичности и теплоотводу. С целью повышения надежности и времени сохранения герметичности в корпусе, содержащем основание с внешними выводами, крышки, присоединенные к основанию пайкой по контуру, внешняя поверхность, по крайней мере, одной из крышек, вне зоны пайки содержит систему неровностей правильной формы, выполненных в виде пуклевок, а внутренняя поверхность крышки с пуклевками вне зоны пайки содержит слой геттера. 2 ил.

2526241
выдан:
опубликован: 20.08.2014
ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЕ ВНУТРЕННИЕ ИСКУССТВЕННЫЕ СТРУИ

Изобретение относится к охлаждающему устройству, использующему искусственные струи. Технический результат - улучшение активного охлаждения посредством принудительной конвекции. Достигается тем, что в устройстве (1) искусственного струйного охлаждения для охлаждения объекта (5), содержащем преобразователь (10), адаптированный так, чтобы производить волны скорости, и камеру (4), выполненную с возможностью принимать волны скорости через задействованное отверстие (8). Камера (4) является достаточно большой для того, чтобы производить у задействованного отверстия (8) внутреннюю искусственную струю внутри камеры (4). Кроме того, камера (4) выполнена с возможностью содержать объект (5), таким образом обеспечивая возможность охлаждения объекта (5) внутренней искусственной струей. Такая компоновка обычно допускает многофункциональное использование существующей камеры, содержащей подлежащий охлаждению объект, и для ее первоначальной цели (например, отражатель в лампе или модуль подсветки СИД), и в качестве камеры, производящей внутренние искусственные струи, поэтому охлаждающее устройство обычно фактически не требует дополнительного пространства и веса и может обеспечиваться по низкой цене. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил.

2525826
выдан:
опубликован: 20.08.2014
ОХЛАЖДАЮЩИЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

В частности, предметом настоящего изобретения является охлаждение силовых электронных элементов, в частности охлаждающий модуль, содержащий конденсатор, и силовой модуль, входящий в состав охлаждающего модуля, и способ охлаждения электрических и/или электронных элементов. Охлаждающий модуль (100) с конденсатором (1) содержит как минимум одну панель (11) для охлаждения электрических и/или электронных элементов. Два листа (114, 115) панели (11) соединены друг с другом посредством прокатки таким образом, что между данными листами (114, 115) образуется канал (113). Канал (113) расположен в плоскости между двумя листами (114, 115). Канал (113) для передачи тепла заполнен охлаждающим агентом (5). Охлаждение осуществляется посредством испарения охлаждающего агента (5) на испарительном участке панели (11) и конденсации охлаждающего агента (5) на конденсационном участке панели (11). От источника тепла (3), такого как электрический и/или электронный элемент, может передаваться тепловая нагрузка к теплоприемному блоку (2, 2А, 2В). Теплоприемный блок (2, 2А, 2В) предназначен для передачи тепловой нагрузки на панель (11), которая передает тепловую нагрузку в окружающую среду с помощью теплоносителя, такого как воздух (4). Технический результат - снижение вероятности засорения проходов для охлаждающего воздуха и повышение эффективности охлаждения. 3 н. и 22 з.п. ф-лы, 36 ил.

2524058
выдан:
опубликован: 27.07.2014
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ СИЛОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ

Изобретение относится к электротехнике, а именно к системам охлаждения силовых электронных устройств. Технический результат - увеличение эффективности охлаждения путем создания прочной и надежной конструкции охладителя с большой площадью для размещения охлаждаемых элементов, а также упрощение конструкции, улучшение технологичности изготовления, упрощение процесса ремонта при засорении. Достигается тем, что устройство содержит полый корпус из теплопроводящего материала и состоит из двух частей - основания, имеющего прямоугольную полость, и крышки. Внутри корпуса параллельно дну основания размещена плоская перфорированная пластина, разделяющая полость на две камеры. Вдоль двух противоположных краев пластины, которые не доходят до стенок корпуса, установлены вертикальные перегородки - одна между пластиной и крышкой, другая - между пластиной и дном полости. В основании на дне, около этих двух стенок, выполнены сквозные отверстия для подвода/отвода хладагента. Другие два края перфорированной пластины, как и края перегородок, прилегают вплотную к внутренним поверхностям стенок корпуса. Для исключения прогиба и вибраций пластины по ее поверхности с обеих сторон расположены дистанционные вставки. Отверстия в перфорированной пластине обеспечивают струйное истечение хладагента из одной камеры в другую - к охлаждаемой поверхности, являющейся дном основания, наружная сторон которого предназначена для крепления на ней силовых электронных модулей. Перфорированная пластина вместе с перегородками и дистанционными вставками прикреплена к дну полости с помощью крепежных элементов. Крышка для обеспечения возможности ремонта соединяется с основанием крепежными элементами через герметизирующую прокладку или же просто заваривается. Эффективность охлаждения обеспечивается орошением направленными струями хладагента дна основания корпуса, с наружной стороны которого крепятся электронные модули. 3 з.п.ф-лы, 1 ил.

2523022
выдан:
опубликован: 20.07.2014
МИКРОНАГРЕВАТЕЛЬ

Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано для поддержания и регулирования температуры. Изобретение позволяет повысить быстродействие регулирования температуры при сохранении устойчивости микронагревателя к термоудару, его надежностных и ресурсных характеристик. Микронагреватель содержит резистор нагрева, токовводы и контактные площадки, являющиеся продолжением токовводов, резистор нагрева выполнен в виде трехслойного меандра, токовводы и контактные площадки выполнены в едином технологическом цикле методом микроэлектронного напыления всех трех слоев: тугоплавкого химически пассивного токопроводящего слоя металла, напыленного на изолирующую подложку; резистора нагрева, токовыводов и котактных площадок из меди; тугоплавкого химически пассивного токопроводящего слоя металла, причем нанесение первого и второго слоев из тугоплавкого металла выполнено с перекрытием по отношению к слою резистора нагрева, токовводов и контактных площадок, а сверху вся структура защищена слоем из органического диэлектрика, в котором в области контактных площадок сформированы «окна» для подсоединения к ним внешних электрических проводников. 1 ил.

2522751
выдан:
опубликован: 20.07.2014
ЖИДКОСТНОЙ ОХЛАДИТЕЛЬ

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для охлаждения силовых модулей электронной аппаратуры. Технический результат - повышение технологичности и упрощение процесса изготовления, а также сокращение сроков проведения ремонтных и профилактических работ за счет наличия заглушек, обеспечение возможности параллельного и последовательного соединения охладителей для регулирования перепада давления и расхода хладагента. Достигается тем, что в качестве корпуса жидкостного охладителя используется плита из теплопроводящего материала, обе большие стороны которой предназначены для крепления силовых электронных модулей или иной тепловыделяющей аппаратуры. В одной из боковых граней плиты методом сверления выполнены каналы в виде длинных глухих отверстий для циркуляции жидкого хладагента, герметизируемых с помощью заглушек. Каналы подвода и отвода хладагента выполнены на смежных гранях методом сверления длинных глухих отверстий, пересекающих отверстия с заглушками. Отверстия на всех гранях лежат в одной плоскости. В каналах с заглушками могут быть установлены турбулизаторы в виде спиралей из плоской ленты. Концы турбулизаторов в зонах отверстий для подвода и отвода хладагента могут иметь вид прямолинейного отрезка для уменьшения гидравлического сопротивления в этих зонах. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

2522181
выдан:
опубликован: 10.07.2014
РЕБЕРНАЯ ОБЪЕДИНЕННАЯ ПОДЛОЖКА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕБЕРНОЙ ОБЪЕДИНЕННОЙ ПОДЛОЖКИ

Изобретение относится к силовой электронике. Предложен способ изготовления реберной объединенной подложки, в котором соединение металлической монтажной пластины с керамической подложкой выполняется способом соединения жидким металлом, а образование множества теплоизлучающих ребер в части для резки, которая является частью металлической базовой пластины, выполняется за счет фиксации фиксатором для прикладывания нагрузки на растяжение на поверхность части для резки, на которой должны быть образованы теплоизлучающие ребра, и за счет выполнения обработки по образованию пазов для образования множества пазов за счет передвижения многоножевого устройства, состоящего из множества находящихся рядом друг с другом дискообразных режущих инструментов, по поверхности, к которой приложена нагрузка на растяжение, при вращении многоножевого устройства. Также согласно изобретению предложена конструкция реберной положки. Изобретение обеспечивает возможность простого изготовления реберной объединенной подложки с интегрированными теплоизлучающими ребрами при малом шаге за счет исключения изгиба металлической базовой пластины и волнистости (волнообразной формы) теплоизлучающих ребер. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл.,3 пр.

2521787
выдан:
опубликован: 10.07.2014
ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА

Изобретение относится к устройству для охлаждения полупроводникового кристалла (111). Охлаждающее устройство для полупроводникового кристалла (111) содержит радиатор (112), термически соединенный с полупроводниковым кристаллом (111) для рассеивания тепла, корпус (150), к которому прикреплен радиатор (112), причем радиатор расположен в корпусе (150), первый канал (153) потока текучей среды для обеспечения принудительного потока текучей среды внутри корпуса (150) и из него и тракт потока текучей среды, выполненный с возможностью направления текучей среды в первом направлении между первым каналом (153) потока текучей среды и радиатором (112), а также для направления потока текучей среды вдоль радиатора (112) во втором направлении из корпуса (150) или в него, отличном от первого направления. Изобретение обеспечивает охлаждающее устройство, обладающее улучшенной хладопроизводительностью, работающее с меньшим поглощением пыли, меньшим шумом, и компактное по размерам при меньшей стоимости. 5 н. и 14 з.п. ф-лы, 16 ил.

2521785
выдан:
опубликован: 10.07.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОХЛАЖДАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к области создания охлаждающих элементов. Технический результат: повышение к.п.д. Сущность: в качестве материала для термоэлемента используют полимерный материал - полианилин, допированный различными химическими добавками. Изготовление полимерного материала с p- и n-проводимостью осуществляют путем процесса электрополимеризации из водного раствора анилина и соляной кислоты с химическими добавками. 1 ил.

2521146
выдан:
опубликован: 27.06.2014
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТВОДА ТЕПЛА ОТ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для обеспечения отвода тепла от тепловыделяющих радиоэлементов и может быть использовано при построении преобразователей, мощных усилителей, выпрямителей и умножителей. Технический результат - создание устройства, обеспечивающего отвод тепла от тепловыделяющих радиоэлементов при разных температурных коэффициентах линейного расширения материалов плоского теплопроводящего керамического электроизолятора и радиатора одновременно с электроизоляцией радиоэлементов от радиатора. Достигается тем, что между керамическим электроизолятором, с одной стороны которого припаяны радиоэлементы, и радиатором, который расположен с другой стороны электроизолятора, вводят пластину из медно-молибденового композитного псевдосплава, которую крепят с помощью одного винта на радиатор. Температурные коэффициенты линейного расширения электроизолятора и медно-молибденового композитного псевдосплава (МД) одинаковы. Пластина из сплава МД и радиатор соединены винтом в одной точке. При изменении температуры их поверхности, разделённые теплопроводящей смазкой, скользят друг по другу. Заливка части устройства, кроме радиатора, электроизолирующим компаундом обеспечивает высокопотенциальную изоляцию. Для увеличения расстояния между токопроводящими частями устройства, находящимися под разными потенциалами, керамический электроизолятор выполнен так, что по периметру выступает относительно края пластины из сплава МД на несколько миллиметров, а топология металлизации с двух сторон располагается на таком же расстоянии от края керамического электроизолятора. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

2519925
выдан:
опубликован: 20.06.2014
СПОСОБ ПОКРЫТИЯ ОБОЛОЧКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО КОМПОНЕНТА

Изобретение относится к способу покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки, соответственно, края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки. Способ включает этап, на котором в указанную канавку наносят гибридный материал, содержащий изолирующее связующее со взвешенными частицами полупроводникового материала, и этап, на котором сверху на токопроводящие дорожки и гибридный материал наносят слой изолирующего материала. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения на подступах к токопроводящим дорожкам, повышение порога появления паразитных разрядов, являющихся причиной пробоя изолирующих материалов, а также улучшение условий старения керамики. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

2519077
выдан:
опубликован: 10.06.2014
АДАПТИВНЫЙ ОХЛАЖДАЮЩИЙ БЛОК МОЩНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

Группа изобретений относится к охлаждающему блоку мощного полупроводникового устройства (100). Блок содержит теплоотвод с активным охлаждением (102) и контроллер (208; 300), контроллер (208; 300) выполнен с возможностью регулирования эффективности охлаждения теплоотвода (102) в зависимости от температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток, содержащегося в мощном полупроводниковом устройстве (100), причем контроллер (208; 300) выполнен с возможностью приема сигнала температуры, определяющего фактически измеренное значение температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток, при этом контроллер (208; 300) содержит модуль выбора, выполненный с возможностью выбора между режимом управления с обратной связью и режимом управления с упреждением для регулирования эффективности охлаждения. Изобретение обеспечивает регулирование охлаждения в зависимости от температуры полупроводникового перехода, проводящего большой ток. 4 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

2518495
выдан:
опубликован: 10.06.2014
ТЕПЛООТВОД И БЛОК ДЛЯ ПЛОСКИХ КОРПУСОВ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ ОХЛАЖДЕНИЕ И КОМПОНОВКУ

Изобретение относится к силовой электронике, а более конкретно к современному охлаждению силовой электроники. Технический результат - улучшение тепловых характеристик и компоновки блоков силовых преобразователей, в которых используются устройства в плоских корпусах. Это достигается теплоотводом (300), предназначенным для непосредственного охлаждения по меньшей мере одного корпуса (20) электронного устройства. Корпус электронного устройства имеет верхнюю контактную поверхность (22) и нижнюю контактную поверхность (24). Теплоотвод содержит охлаждающий элемент (310), выполненный по меньшей мере из одного теплопроводящего материала. Данный охлаждающий элемент ограничивает впускные коллекторы (12) хладагента и выпускные коллекторы (14) хладагента. Впускные и выпускные коллекторы расположены с чередованием. Охлаждающий элемент дополнительно ограничивает милликаналы (16), выполненные с возможностью приема хладагента из впускных коллекторов и подачи хладагента к выпускным коллекторам. Милликаналы, впускные и выпускные коллекторы дополнительно выполнены с возможностью непосредственного охлаждения одной из контактных поверхностей корпуса электронного устройства, верхней или нижней, благодаря непосредственному контакту с хладагентом, так что данный теплоотвод выполнен в виде единого целого. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 8 ил.

2516227
выдан:
опубликован: 20.05.2014
МОДУЛЬ ВЫПРЯМИТЕЛЯ ТОКА С ОХЛАЖДАЕМОЙ СИСТЕМОЙ ШИН

Изобретение относится к модулю выпрямителя тока. Технический результат - создание модуля выпрямителя тока, система шин которого может охлаждаться простыми средствами без дополнительной трассировки и увеличения веса устройства в целом. Достигается тем, что модуль выпрямителя тока содержит, по меньшей мере, два силовых полупроводниковых модуля (2, 4), теплопроводно механически соединенных с жидкостным теплоотводом (6) и посредством системы (8) шин, которая имеет, по меньшей мере, две изолированные друг от друга токоведущие шины, электропроводно связанных с выводами модуля выпрямителя тока. Система (8) шин соединена с, по меньшей мере, одной линией (24) подачи охладителя, причем система (8) шин и линия (24) подачи охладителя образуют единый конструктивный узел. Посредством этой линии (24) подачи охладителя в соответствии с изобретением отводится дополнительная мощность потерь в ламинированной системе (8) шин. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

2514734
выдан:
опубликован: 10.05.2014
ТЕПЛОВОЙ ДИОД

Изобретение относится к области теплотехники, в частности к регулировке температурных режимов теплонагруженных устройств, и может быть использовано в твердотельной и вакуумной электронике, в авиационном двигателестроении, а также других областях техники. Тепловой диод содержит, по меньшей мере, два находящихся в контакте теплопроводных материала, причем находящимися в контакте материалами образованы слои, материалы которых имеют разную дебаевскую температуру, при этом, по крайней мере, часть слоев выполнена из материалов, дебаевская температура которых последовательно возрастает от слоя к слою. Технический результат - снижение инерционности работы, повышение эффективности передачи тепла и расширение области применения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

2511948
выдан:
опубликован: 10.04.2014
СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при конструировании эффективных систем охлаждения модулей мощных светодиодов. Технический результат - обеспечение высокоэффективного отвода тепла от расположенных на поверхности модуля полупроводниковых светодиодов при минимальном значении сопротивления теплопередачи. Достигается тем, что система охлаждения светодиодного модуля состоит из теплоотводящего основания, совмещенного с радиатором, выполненного из микропористого материала с микроканалами и заполненного жидким теплоносителем, и установленных на нем светодиодов, Микроканалы расположены в теплоотводящем основании под светодиодами перпендикулярно плоскости установки светодиодов, причем их торцы, прилегающие к светодиодам, образуют в максимальной близости к р-n переходам светодиодов поверхность, интенсифицирующую кипение и испарение за счет нанесенного между каждым светодиодом и торцом прилегающего микроканала слоя микропористого материала, размер пор которого существенно меньше размера пор материала, заполняющего теплоотводящее основание светодиодного модуля, причем размер пор слоя микропористого материала уменьшается по направлению к светодиоду. Система требует одноразового заполнения жидкостью и менее чувствительна к вариациям первоначального объема жидкости. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2510732
выдан:
опубликован: 10.04.2014
ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ

Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

2509789
выдан:
опубликован: 20.03.2014
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. 1 ил.

2507632
выдан:
опубликован: 20.02.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, УСТРОЙСТВО ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА И СИСТЕМА ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК

Предложено устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик включает в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на промежуточной подложке и выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона через диэлектрик, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, два корпусированных полупроводниковых прибора, включающих литой блок полимерного компаунда, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл и антенную структуру, и диэлектрический тракт передачи сигналов, расположенный между двумя корпусированными полупроводниковыми приборами передачи сигналов миллиметрового диапазона. Указанные корпусированные полупроводниковые приборы установлены так, что между их антенными структурами расположен указанный диэлектрический тракт передачи сигналов. Изобретение обеспечивает создание конструктивно простой схемы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, которая не зависит ни от соединителей, имеющих некоторое число клемм, ни от кабелей, требующих относительно большой площади для монтажа. 7 н. и 18 з.п. ф-лы, 39 ил.

2507631
выдан:
опубликован: 20.02.2014
КАСКАДНОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерного процессора. Технический результат - получение сверхнизких температур в процессе охлаждения и теплоотвода. Это достигается тем, что применяются светоизлучающие термомодули. Светоизлучающий термомодуль позволяет уменьшить паразитный кондуктивный перенос со стороны горячего спая, который нагревается гораздо меньше за счет того, что часть энергии уходит в виде излучения, а не преобразуется в тепло на горячем спае. Уменьшение кондукции между горячими и холодными спаями позволяет выполнять р-n-переходы и сами спаи в виде тонких пленок. Конструкция термоэлектрического устройства представляет собой каскадный (многослойный) термомодуль, состоящий из термомодулей, в которых в качестве полупроводниковых ветвей р-типа 4 и n-типа 5 выбраны такие материалы, что протекающий ток на одном из спаев 2 будет формировать излучение, а не нагрев, как в обычном термомодуле, причем в другом спае 3 будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье. Каскады разделены электроизолирующими слоями 1 с высокой прозрачностью и теплопроводностью. Питание осуществляется постоянным током от источника 6. 1 ил.

2507613
выдан:
опубликован: 20.02.2014
МОДУЛЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ

Изобретение относится к модулю полупроводникового преобразователя электроэнергии. Технический результат - создание модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии с охлаждаемой ошиновкой (8) по меньшей мере двух модулей (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, который можно нагружать электрически сильнее по сравнению со стандартным модулем полупроводникового преобразователя электроэнергии, при этом может выдерживаться допустимая температура для изоляционного слоя (32) и материала ламинирования ошиновки (8). Достигается тем, что модуль полупроводникового преобразователя электроэнергии, содержащий по меньшей мере два модуля (2, 4) силовых полупроводниковых приборов, которые механически соединены с обеспечением теплопроводности с жидкостным теплоотводом (6), и которые с помощью ошиновки (8), которая имеет по меньшей мере два изолированных друг от друга с помощью изоляционного слоя (32) шинопровода (26, 28; 28, 30), соединенных электрически с контактами (10, 12, 14) модуля полупроводникового преобразователя электроэнергии, изоляционный слой (32) имеет два изолирующих слоя (36, 38), которые соединены с замыканием по материалу друг с другом так, что между этими обоими изолирующими слоями (36, 38) имеется полое пространство (40) заданной формы, которое на стороне входа и выхода заканчивается по меньшей мере в одной боковой поверхности (48, 50) этого изоляционного слоя (32), и это полое пространство (40) на стороне входа и выхода снабжено соответствующим патрубком (42), которые соединены каждый с возможностью прохождения жидкости с жидкостным теплоотводом (6). 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

2504864
выдан:
опубликован: 20.01.2014
КОРПУСЫ С МНОГОСЛОЙНОЙ УКЛАДКОЙ КРИСТАЛЛОВ В УСТРОЙСТВЕ ТИПА КОРПУС НА КОРПУСЕ, СПОСОБЫ ИХ СБОРКИ И СИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ИХ

Изобретение относится к полупроводниковым микроэлектронным устройствам и к процессам их сборки. Устройство с многослойной укладкой кристаллов включает в себя подложку корпуса и промежуточный блок с укладкой микросхем, расположенной в зазоре, который соответствует промежуточному блоку. Устройство типа корпус на корпусе с многослойной укладкой кристаллов включает в себя верхний корпус, расположенный на промежуточном блоке. Изобретение обеспечивает получение оптимальных многослойных структур кристаллов. 4 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 ил.

2504863
выдан:
опубликован: 20.01.2014
ПРИВЕДЕНИЕ В КОНТАКТ УСТРОЙСТВА С ПРОВОДНИКОМ

Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область контакта, а способ содержит этапы компоновки проводника на инкапсулирующей оболочке и взаимного соединения проводника с областью контакта, без предварительного удаления инкапсулирующей оболочки между проводником и областью контакта. Это изобретение обладает преимуществом в том, что инкапсулирующую оболочку между проводником и областью контакта не надо предварительно удалять. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

2504050
выдан:
опубликован: 10.01.2014
ОТВЕРЖДАЕМАЯ ОРГАНОПОЛИСИЛОКСАНОВАЯ КОМПОЗИЦИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к отверждаемой композиции и к полупроводниковому устройству, в котором используют эту композицию. Отверждаемая композиции включает (А) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы: R1 aSiO(4-a)/2, в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30% мол. от всех групп, обозначенных R1, представляют собой арильные группы; и «а» представляет собой число в диапазоне от 0,6 до 2,1; (В) органополисилоксан, который содержит в одной молекуле по меньшей мере два связанных с кремнием атома водорода и по меньшей мере 15% мол. от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп; (С) органополисилоксан с разветвленной цепью, имеющий следующую усредненную формулу блока:

(R2SiO 3/2)b(R2 2SiO2/2)c(R2 3SiO1/2)d(SiO4/2 )e(XO1/2)f, в которой каждый R2 независимо обозначает алкильную группу, алкенильную группу, арильную группу или эпокси-содержащую органическую группу; однако в одной молекуле по меньшей мере 5% мол. от всех групп, обозначенных R2, представляют собой алкенильные группы, по меньшей мере 15% мол. от всех групп, обозначенных R2 , представляют собой арильные группы, и по меньшей мере 10% мол. от всех групп, обозначенных R2, представляют собой эпокси-содержащие органические группы, Х обозначает атом водорода или алкильную группу и «b» представляет собой положительное число, «с» представляет собой 0 или положительное число, «d» представляет собой 0 или положительное число, «е» представляет собой 0 или положительное число, «f» представляет собой 0 или положительное число, «с/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 10, «d/b» представляет собой число в диапазоне от 0 до 5, «e/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,3 и «f/(b+c+d+e)» представляет собой число в диапазоне от 0 до 0,02; и (D) катализатор гидросилилирования. Компонент (В) применяют в таком количестве, что мольное соотношение связанных с кремнием атомов водорода, содержащихся в компоненте (В), и алкенильных групп, содержащихся в компонентах (А) и (С), находится в диапазоне от 0,1 до 5. Компонент (С) содержится в количестве от 0,1 до 20 мас.ч. на 100 мас.ч. суммарного содержания компонентов (А) и (В). Компонент (D) содержится в количестве, достаточном для ускорения отверждения композиции. Композиция способна образовать отвержденный объем, который обладает высоким показателем преломления и прочным сцеплением с подложками. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

2503696
выдан:
опубликован: 10.01.2014
ОТВЕРЖДАЕМАЯ ОРГАНОПОЛИСИЛОКСАНОВАЯ КОМПОЗИЦИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к отверждаемой композиции и к полупроводниковому устройству, в котором используется эта композиция. Отверждаемая органополисилоксановая композиция включает (А) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три алкенильные группы и по меньшей мере 30% мольн. от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп, (В) органополисилоксан с линейной цепью, который содержит арильные группы и на обоих концах молекулы имеет концевые диоргановодородсилокси-группы, (С) органополисилоксан с разветвленной цепью, который содержит в одной молекуле по меньшей мере три диоргановодородсилокси-группы и по меньшей мере 15% мольн. от всех связанных с кремнием органических групп в форме арильных групп и (D) катализатор гидроксисилилирования. Изобретение обеспечивает образование отвержденного объема, который обладает высоким коэффициентом преломления, высоким коэффициентом пропускания, а также твердостью и хорошим сцеплением с подложкой. 2 н. и 8 з.п. ф-лы., 1 табл., 3 пр., 1 ил.

2503694
выдан:
опубликован: 10.01.2014
ПОПЕРЕЧНОЕ РАССЕИВАНИЕ ТЕПЛА 3-D ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении. Поперечное рассеивание тепла может проходить вдоль всей длины слоя, а проводящий тепло материал может быть электрически изолирующим. Сквозные соединения сквозь кремний могут быть сконструированы в определенных областях, чтобы способствовать рассеиванию тепла от проблемных тепловых областей. Изобретение обеспечивает улучшение рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

2502154
выдан:
опубликован: 20.12.2013
ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С НИЗКИМ УРОВНЕМ ШУМА

Охлаждающее устройство 1, использующее пульсирующую текучую среду для охлаждения объекта, содержащее: преобразователь 2, имеющий мембрану, выполненную с возможностью генерирования волн давления с рабочей частотой fw, и полость 4, заключающую первую сторону мембраны. Полость 4 имеет по меньшей мере одно отверстие 5, выполненное с возможностью испускания пульсирующего потока текучей среды за вычетом потерь к указанному объекту, при этом отверстие 5 сообщается со второй стороной мембраны. Полость 4 является достаточно маленькой для предотвращения действия текучей среды в упомянутой полости 4 как пружины в резонирующей системе масса-пружина в рабочем диапазоне. Это является преимуществом, так как объемная скорость u1 около отверстия но существу равна объемной скорости u1' около второй стороны мембраны, за исключением знака минус. Таким образом, при рабочей частоте пульсирующая текучая среда за вычетом потерь может быть в значительной степени подавлена благодаря противофазе волн давления со второй стороны мембраны, вызывая в результате близкую к нулю объемную скорость в дальней области. Таким образом, обеспечивается низкий уровень звука при низкой стоимости и без необходимости обеспечения механической симметрии. 2 н.з.п., 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

2501982
выдан:
опубликован: 20.12.2013
Наверх