Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ....с выводами, проходящими через отверстия в основании – H01L 23/055

Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату. Изобретение обеспечивает герметичность корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих характеристик, обеспечение возможности использования корпуса для поверхностного монтажа БИС СВЧ-диапазона с улучшенными техническими характеристиками и большим количеством выводов. В герметичном корпусе для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащем керамическое основание, герметично соединенный с ним ободок и прилегающую герметично к ободку металлическую крышку, внешние и внутренние металлизированные контактные площадки, расположенные по периферии соответственно на внешней и внутренней стороне керамического основания, электрически соединенные попарно посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания, керамическое основание выполнено многослойным, а ободок выполнен из металла, в центральной части внешней и внутренней стороны керамического основания размещены центральные металлизированные «земляные» площадки, на внешней стороне керамического основания по периферии также расположены внешние «земляные» металлизированные контактные площадки, а часть расположенных по периферии электрически попарно соединенных между собой внутренних и внешних контактных площадок дополнительно электрически соединена с внешними «земляными» контактными площадками, центральными «земляными» контактными площадками и металлическим ободком. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: в электронной технике при конструировании корпусов для мощных транзисторов. Техническим результатом изобретения является увеличение максимально допустимой мощности транзистора, повышение надежности, упрощение процесса изготовления корпуса, снижение стоимости транзистора. Сущность изобретения: основание корпуса мощного транзистора выполнено из высокотеплопроводящей керамики - нитрида алюминия, сквозные отверстия в основании выполнены на расстоянии между осями не менее 3 мм друг от друга, одновременно с основанием, посредством горячего прессования, крышка выполнена из алюминия, ободок, контактная площадка и внутренние поверхности сквозных отверстий в основании выполнены из алюминия, при этом ободок, контактная площадка и внутренние поверхности сквозных отверстий в основании выполнены путем сканирования лучом лазера лицевой поверхности основания корпуса. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.