Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ...содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ – H01L 23/26

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00H01L 23/26
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H01L 23/26 ...содержащие материалы для абсорбирования или химического связывания влаги или других нежелательных веществ

Патенты в данной категории

ПОКРЫТОЕ МОЛЕКУЛЯРНОЕ СИТО

Изобретение касается гидрофобно покрытого молекулярного сита, используемого в компонентах электронной аппаратуры и приборов. Сито включает частицы с размером 1000 нм или меньше, поверхность которых, покрыта силаном общей формулы: SiR1R 2R3R4, где радикалы R1 R2R3R4 имеют определенное строение. Способ получения покрытых частиц заключается в обработке цеолитов, алюмофосфатов или кремнеалюмофосфатов заявленными силанами. Предложены композиции и аппараты, содержащие полученные молекулярные сита. Изобретение позволяет получить молекулярные сита, эффективно улавливающие газовые молекулы и имеющие хорошую дисперсность в органических соединениях. 6 н. и 15 з.п. ф-лы, 10 ил., 6 пр.

2458735
патент выдан:
опубликован: 20.08.2012
СПОСОБ ЗАЩИТЫ КОРПУСОВ МИКРОБЛОКОВ И ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Изобретение относится к электронной технике, преимущественно микроэлектронике, и может быть использовано для защиты корпусов микроблоков и элементной базы радиоэлектронной аппаратуры от внешних агрессивных воздействий окружающей среды. Предлагаемый способ защиты корпусов микроблоков и элементной базы отличается тем, что в качестве защитной среды используют летучие ингибиторы коррозии, что позволит сохранить работоспособность радиоэлектронной аппаратуры в течение 3 лет. 5 з.п. ф-лы, 2 табл.
2110869
патент выдан:
опубликован: 10.05.1998
Наверх