Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ....остальные выводы параллельны основанию – H01L 23/047

Изобретение относится к области конструктивных элементов полупроводниковых приборов с высокой нагрузкой по току, предназначенных для монтажа и обеспечения функционирования полупроводникового кристалла в электрических цепях модулей энергопитания, управления, связи и др., работающих в экстремальных условиях. Техническим результатом изобретения является создание технологичных в изготовлении герметичных корпусов полупроводниковых приборов с высокой нагрузкой по току, которые обладают эффективной теплоотводящей способностью при высокой надежности работы полупроводникового прибора в электрических цепях силовых модулей. Сущность изобретения: в корпусе полупроводникового прибора с высокой нагрузкой по току, содержащем электропроводящую подложку, обладающую повышенной теплопроводностью, на поверхности размещения полупроводникового кристалла которой смонтирована выводная рамка с выводами, расположенными параллельно основанию полупроводникового кристалла, на противоположной поверхности выводной рамки размещен керамический кожух, имеющий несколько сквозных отверстий, при этом противоположная основанию полупроводникового кристалла поверхность подложки выполнена открытой, а соединения подложки с выводной рамкой и выводной рамки с керамическим кожухом сделаны герметичными пайкой твердым припоем, сквозные отверстия в керамическом кожухе расположены перпендикулярно к поверхности размещения основания полупроводникового кристалла, при этом, по крайней мере, одно из сквозных отверстий керамического кожуха, называемое основным, имеет размеры, превышающие габаритные размеры полупроводникового кристалла, а остальные сквозные отверстия керамического кожуха имеют выход на поверхность соединения керамического кожуха с выводной рамкой, на соответствующие выводы которой установлены столбиковые выводы, размещенные в сквозных отверстиях, кроме того, на поверхности керамического кожуха, противоположной расположению выводной рамки, выполнена выемка с границами, проходящими по внешним границам сквозных отверстий или далее их, и глубиной, превышающей толщину гибких выводов полупроводникового кристалла, и установлен герметично с керамическим кожухом ободок из материала с повышенной теплопроводностью, выполненный с возможностью герметичного контакта с крышкой после монтажа полупроводникового кристалла. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.