Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .структурные электрические схемы для полупроводниковых приборов, не предусмотренные в других группах – H01L 23/58
Патенты в данной категории
| ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА (ИМС) С ЗАЩИТОЙ ОТ АНАЛИЗА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Использование: в интегральных микросхемах для защиты от анализа, осуществляемого путем несанкционированного доступа. Сущность изобретения: в интегральной микросхеме с подложкой, имеющей компоненты микросхемы, и, по меньшей мере, одну плоскость разводки с первыми проводящими дорожками, предназначенными для соединения компонентов интегральной микросхемы, в плоскости разводки свободные от первых проводящих дорожек области заполнены вторыми проводящими дорожками для защиты интегральной микросхемы от анализа, осуществляемого путем несанкционированного доступа. В способе изготовления интегральной микросхемы при формировании монтажной схемы свободные от первых проводящих дорожек области плоскости разводки заполняют вторыми проводящими дорожками для защиты интегральной микросхемы от анализа, осуществляемого путем несанкционированного доступа. Техническим результатом заявленного изобретения является создание при низких затратах интегральной микросхемы, обеспечивающей высокую защиту против действующего извне несанкционированного анализа. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2263372 патент выдан: опубликован: 27.10.2005 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С ЗАЩИТНЫМ ПОКРЫТИЕМ ПОВЕРХНОСТИ Изобретение относится к полупроводниковым интегральным схемам. Предложена полупроводниковая интегральная схема, содержащая схемы, реализованные по меньшей мере в одном слое полупроводниковой подложки и упорядоченные по меньшей мере в одной группе, и по меньшей мере один проводящий защитный слой (SL), размещенный по меньшей мере над одной из таких групп схем и электрически соединенный по меньшей мере с одной из схем (1, 2). Подложка полупроводниковой интегральной схемы имеет по меньшей мере один датчик защиты (SS), который выполнен с возможностью сохранения некоторого состояния энергонезависимым образом, при этом датчик защиты (SS) своим выводом обнаружения связан с проводящим защитным слоем (SL) или по меньшей мере с одним из проводящих защитных слоев. При этом выходной вывод датчика защиты (SS) соединен по меньшей мере с одной из схем (2) таким образом, что функционирование схемы в соответствии с ее назначением невозможно, если на выходе датчика защиты приложен определенный энергонезависимый уровень. В результате схема защищена от несанкционированного анализа с применением метода фокусированного потока ионов. 5 з.п.ф-лы, 4 ил. | 2213390 патент выдан: опубликован: 27.09.2003 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СХЕМА, В ЧАСТНОСТИ, ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИНТЕГРАЛЬНОМ МОДУЛЕ Изобретение относится к полупроводниковой схеме, которая содержит один рабочий блок со схемой управления, например с микропроцессором, и с запоминающим устройством данных, один блок инициализации рабочего блока или соответственно рабочих блоков, один рабочий блок соединен через одну выполненную разъединяемой соединительную линию (1) с одним блоком инициализации. Для повышения надежности блок инициализации после завершения изготовления полупроводниковой схемы на длительное время отделяют от рабочего блока за счет того, что соединительные линии разъединяют. Для затруднения реактивации разъединенных соединительных линий полупроводниковая схема содержит в области одной соединительной линии (1) находящуюся в соединении с блоком инициализации и/или с рабочим блоком потенциальную линию (2, 3), блок инициализации и/или рабочий блок выполнены с возможностью переведения в неактивное состояние при соединении потенциальной линии или соответственно одной из потенциальных линий (2,3) с соединительной линией (1) или соответственно с одной из соединительных линий. Технический результат: повышение защиты от нежелательных изменений. 2 с. и 8 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2189071 патент выдан: опубликован: 10.09.2002 |
|
| ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам получения высокостабильного опорного напряжения. Новым в источнике опорного напряжения, содержащем усилитель постоянного тока на основе операционного усилителя, является то, что в схему введен диод на основе широкозонного полупроводника, биполярный транзистор, два токозадающих резистора, причем база транзистора соединена с диодом, эмиттер транзистора - с токозадающим сопротивлением и входом усилителя постоянного тока, выход усилителя постоянного тока соединен с коллектором транзистора и через второй токозадающий резистор со светодиодом и базой транзистора, вторые выводы светодиода и первого токозадающего резистора соединены с общим проводом схемы. 2 ил. | 2119212 патент выдан: опубликован: 20.09.1998 |
|