Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .защита от излучений, например света – H01L 23/552

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00H01L 23/552
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H01L 23/552 .защита от излучений, например света

Патенты в данной категории

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ РАДИАЦИИ

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в составе радиоэлектронной аппаратуры наземного, морского и аэрокосмического базирования для защиты от воздействия радиации. Техническим результатом является существенное уменьшение задержки времени срабатывания защиты, что уменьшает разрушающее воздействие радиации на микросхемы, входящие в защищаемый блок, т.к. уменьшается время нахождения защищаемых микросхем в аварийной ситуации. Устройство содержит детектор излучений (1), подключенный к усилителю сигналов детектора (2), который соединен с блоком выдачи команд управления питанием (3), один выход которого соединен с управляющим входом вторичного источника питания (ВИП) (4), другой - с управляющим входом блока включения опережающей защиты (6), выход которого через первый резистор (Р) (7) соединен с базой силового импульсного транзистора (Т) (5). Выход ВИП (4) соединен с первым выходом устройства и коллектором Т (5), между базой и эмиттером которого включен второй Р (8). Общие шины ВИП (4) и блока включения опережающей защиты (6) соединены со вторым выходом устройства и эмиттером Т (5). Входы питания этих блоков подключены к питающей сети. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

2322757
патент выдан:
опубликован: 20.04.2008
КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ Р-N ПЕРЕХОДОВ

Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное.
2101802
патент выдан:
опубликован: 10.01.1998
Наверх