ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее – H01L 27/00

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 27/00 Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
H01L 27/01 .содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке
H01L 27/02 .содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер, включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером
H01L 27/04 ..с подложкой из полупроводника
H01L 27/06 ...содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется
H01L 27/07 ....несколько компонентов с общей активной зоной
H01L 27/08 ...содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида
H01L 27/082 ....только биполярные компоненты
H01L 27/085 ....только компоненты с полевым эффектом
H01L 27/088 .....полевые транзисторы с изолированным затвором
H01L 27/092 ......комплементарные полевые МДП-транзисторы
H01L 27/095 .....полевые транзисторы с затвором Шотки
H01L 27/098 .....полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
H01L 27/10 ...содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией
H01L 27/102 ....биполярные компоненты
H01L 27/105 ....компоненты с полевым эффектом
H01L 27/108 .....структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой
H01L 27/11 .....структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой
H01L 27/112 .....структуры постоянных запоминающих устройств
H01L 27/115 ......электрически программируемые постоянные запоминающие устройства
H01L 27/118 ....интегральные схемы на основе базового кристалла
H01L 27/12 ..с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика
H01L 27/13 ...комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами
H01L 27/14 .содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений
компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света  31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами  G 02B 6/42
H01L 27/142 ..устройства преобразования энергии
H01L 27/144 ..устройства, управляемые при помощи излучения
H01L 27/146 ...структуры формирователей сигналов изображения
H01L 27/148 ....формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью
H01L 27/15 .с полупроводниковыми компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер
H01L 27/16 .содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты
с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле  23/38
H01L 27/18 .содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью
H01L 27/20 .содержащие пьезоэлектрические компоненты; содержащие электрострикционные компоненты; содержащие магнитострикционные компоненты
H01L 27/22 .содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля
H01L 27/24 .содержащие предназначенные для выпрямления, усиления или переключения компоненты на твердом теле без потенциального барьера, на котором имеется скачкообразное изменение потенциала, или без поверхностного барьера
H01L 27/26 .содержащие компоненты с объемным отрицательным сопротивлением
H01L 27/28 .содержащие компоненты с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части
H01L 27/30 ..с компонентами, специально предназначенными для восприятия инфракрасного излучения, света, коротковолнового или корпускулярного излучения; с компонентами, специально предназначенными как для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью такого излучения
H01L 27/32 ..с компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний, например дисплеи с плоским экраном с использованием органических светоизлучающих диодов

Патенты в данной категории

УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для обработки оптической информации. Техническим результатом является повышение точности определения дальности до объектов в одном кадре одновременно с получением тепловизионного изображения. Устройство содержит многоканальную систему считывания с каналами считывания тепловизионного сигнала и измерения дальности до объектов изображения в составе матрицы ячеек считывания форматом m×n, трансимпедансный усилитель, фильтр высоких частот, усилитель, компаратор, счетчики, строчные шины управления, столбцовые шины считывания, логические элементы И. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

2529768
выдан:
опубликован: 27.09.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ОРГАНИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к технологии наноматериалов и наноструктур и может применяться для получения тонкопленочных полимерных материалов и покрытий, используемых как в сенсорных, аналитических, диагностических и других устройствах, так и при создании защитных диэлектрических покрытий. Cпособ изготовления тонкопленочного органического покрытия из катионного полиэлектролита включает модификацию подложки, приготовление водного раствора катионного полиэлектролита с адсорбцией полиэлектролита на подложку, промывку, сушку подложку с осажденным слоем. В качестве подложки используют монокристаллический кремний с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной получаемого покрытия. Для создания отрицательного электростатического заряда модифицируют подложку в растворе щелочи, перекиси водорода и воды при 75°С в течение 15 мин. Во время адсорбции осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 2-8 мВт/см2 ис длинами волн из области собственного поглощения кремния. Изобретение позволяет уменьшить шероховатость и толщину органического покрытия. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.,5 табл., 6 пр.

2529216
выдан:
опубликован: 27.09.2014
ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ

Изобретение относится к электронной технике. В фоточувствительном приборе с зарядовой связью, имеющем подложку первого типа проводимости, в ее приповерхностной части, внутри области объемного канала переноса второго типа проводимости дополнительно сформирована примыкающая к обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной области и имеющая с ней омический контакт дополнительная фоточувствительная область первого типа проводимости, имеющая область перекрытия с областью стоп-диффузии с образованием в этой области перекрытия омического контакта, причем находящаяся под ней область объемного канала переноса второго типа проводимости имеет более низкую концентрацию примеси, чем область объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, при этом величина потенциала объемного канала переноса под дополнительной фоточувствительной областью меньше величины потенциала объемного канала переноса под обеспечивающей перенос заряда фоточувствительной областью, а глубина залегания дополнительной фоточувствительной области в области канала переноса соответствует глубине проникновения ультрафиолетового излучения в данную полупроводниковую подложку. Изобретение обеспечивает создание фоточувствительного прибора с зарядовой связью с увеличенной чувствительностью к УФ излучению. 1 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

2528464
выдан:
опубликован: 20.09.2014
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ СО СТАБИЛИЗИРОВАННЫМ ПОЛИМЕРОМ

Изобретение относится к композиции для уменьшения пожелтения и способу получения такой композиции. Композиция состоит из фотоэлектрического устройства, содержащего металлический компонент, поливинилбутирального слоя, расположенного в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, являющейся второй подложкой, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола. Технический результат - получение композиции, пригодной для устойчивого, долгосрочного применения в фотоэлектрических модулях с металлическими элементами. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 табл., 3 пр., 1 ил.

2528397
выдан:
опубликован: 20.09.2014
МУЛЬТИСПЕКТРАЛЬНОЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к мультиспектральному считывающему устройству для считывания инфракрасных, монохромных и цветных изображений. Мультиспектральное фоточувствительное устройство содержит базовый слой со множеством макроблоков из составных считывающих пикселов, по меньшей мере, один составной считывающий пиксел содержит, по меньшей мере, два базовых считывающих пиксела, размещенных в слоях вдоль направления испускания света, причем каждый слой имеет один базовый считывающий пиксел, и базовые считывающие пикселы распределены на верхней стороне или нижней стороне, либо на верхней стороне и нижней стороне базового слоя, и каждая сторона содержит самое большее два слоя, причем полосы спектра, считываемые посредством базовых считывающих пикселов в одних и тех же составных считывающих пикселах, соответственно, являются ортогональными друг другу. Изобретение обеспечивает лучшее выполнение цветового считывания и интеграцию цветового считывания и инфракрасного считывания. 13 з.п. ф-лы, 28 ил.

2525654
выдан:
опубликован: 20.08.2014
СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБЫ И СХЕМЫ ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ С НИХ

Изобретение относится к светочувствительному устройству, а также к способу считывания и к его схеме считывания. Светочувствительное устройство содержит пиксельную матрицу и схему считывания, причем передающий затвор для соединения соседних пикселей и переноса заряда между соединенными пикселями расположен между, по меньшей мере, некоторыми указанными пикселями в пиксельной матрице, схема считывания используется для считывания заряда пикселя в пиксельной матрице, упомянутый заряд является, по меньшей мере, одним из собственного заряда упомянутого пикселя, заряда, переносимого из пикселя, соседнего с упомянутым пикселем, суперпозиции собственного заряда упомянутого пикселя и заряда, переносимого из одного или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем, и суперпозиции зарядов переноса двух или более пикселей, соседних с упомянутым пикселем. Изобретение обеспечивает удобство в обработке и считывании. 3 н. и 17 з.п.ф-лы, 24 ил.

2524055
выдан:
опубликован: 27.07.2014
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЗАТВОРАМИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ИЛИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к силовой электронике, в частности к способам и устройствам для управления затворами полевых транзисторов или затворами биполярных транзисторов с изолированными затворами. Техническим результатом изобретения является создание способа и устройства для управления затворами полевых транзисторов или затворами биполярных транзисторов с изолированными затворами, обеспечивающих высокую стабильность и надежность процесса управления затворами, высокую электрическую прочность гальванической развязки устройства управления и силовых элементов транзисторов, исключение генерации электрических помех в устройстве управления от токов в выходных цепях управляемых транзисторов. В способе управления затворами полевых транзисторов или биполярных транзисторов с изолированными затворами путем совместной передачи управляющей информации и энергии для управления затворами между источником и приемником управляющей информации и энергии для управления затворами транзисторов создают беспроводной энерготранспортирующий канал в электроизолирующей среде светопроводящего стержня путем размещения на одном из торцов стержня мощного светодиода, на другом торце стержня матричного солнечного элемента, при помощи светодиода в направлении к матричному солнечному элементу в стержне возбуждают световой поток, энергию светового потока преобразуют в матричном солнечном элементе в энергию электрического тока, с помощью которой питают затвор транзистора, при этом управляющую информацию кодируют путем изменения времен включенного и выключенного состояний светодиода. 6 н. п. ф-лы, 4 ил.

2523598
выдан:
опубликован: 20.07.2014
ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЯ

Обеспечено твердотельное устройство захвата изображения, способное на подавление генерирования темнового тока и/или тока утечки. Твердотельное устройство захвата изображения имеет первую подложку, снабженную фотоэлектрическим преобразователем на ее первичной поверхности, первую структуру разводки, имеющую первый контактный участок, который содержит проводящий материал, вторую подложку, снабженную частью периферийной схемы на ее первичной поверхности, и вторую структуру разводки, имеющую второй контактный участок, который содержит проводящий материал. В дополнение, первый контактный участок и второй контактный участок соединены так, что первая подложка, первая структура разводки, вторая структура разводки и вторая подложка расположены в указанном порядке. Кроме того, проводящий материал первого контактного участка и проводящий материал второго контактного участка окружены пленками предотвращения диффузии. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 11 ил.

2521224
выдан:
опубликован: 27.06.2014
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

2521222
выдан:
опубликован: 27.06.2014
КОНДЕНСИРОВАННОЕ ПОЛИЦИКЛИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ И ОРГАНИЧЕСКОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ ЭТО СОЕДИНЕНИЕ

Изобретение относится к органическим светоизлучающим устройствам на основе конденсированного полициклического соединения. Светоизлучающее устройство включает пару электродов, содержащих анод и катод, и слой органического соединения, размещенный между электродами и представляющий собой эмиссионный слой. Слой органического соединения содержит, по меньшей мере, конденсированное полициклическое соединение, охарактеризованное заявленной формулой, в которой радикалы, каждый независимо, выбирают из группы, состоящей из атома водорода, фенильной группы и фенильной группы, замещенной двумя трет-бутильными группами. Органическое светоизлучающее устройство с использованием этого соединения имеет оптический выход с высокой эффективностью и высокой яркостью, и является долговечным. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

2519514
выдан:
опубликован: 10.06.2014
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК ФОТОПРИЕМНИК

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой эффективности и устранения эффекта «памяти» и влияния клеевого соединения на величину фототоков фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонкой базой, скоммутированных с мультиплексором, на тыльную сторону матрицы фоточувствительных элементов нанесено просветляющее покрытие, содержащее встроенный заряд, знак которого противоположен знаку основных носителей заряда в базе МФЧЭ. 3 ил.

2519024
выдан:
опубликован: 10.06.2014
ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННАЯ ЯЧЕЙКА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ МАТРИЦЫ

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к фоточувствительным матрицам приемников оптических, рентгеновских излучений и изображений для применения в фотоаппаратах, видеокамерах, сотовых телефонах, медицинских рентгеновских панелях, а также в универсальных твердотельных экранах, способных одновременно как принимать фотоизображение, так его и воспроизводить на этом же экране. Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы согласно изобретению содержит фоточувствительный элемент, шины общую, питания, адресную и разрядную, транзистор выборки строк, затвор которого соединен с адресной шиной, при этом ячейка дополнительно содержит конденсатор и биполярный n-p-n (p-n-p) транзистор, коллектор которого соединен с шиной питания, а эмиттер - с разрядной шиной, база со стоком p(n)канального МОП транзистора - выборки строк, общая шина соединена с первым выводом конденсатора, второй вывод которого соединен с коллектором биполярного транзистора. Также согласно изобретению предложены еще три варианта функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы. Изобретение обеспечивает улучшение чувствительности, быстродействия фоточувствительной матрицы, а также возможность двойного использования в качестве приемника и передатчика изображения. 4 н.п. ф-лы, 6 ил.

2517917
выдан:
опубликован: 10.06.2014
ПРИЕМНИК ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ БОЛОМЕТРИЧЕСКОГО ТИПА

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. Функции (ТЧЭ) и (ПЭЭ) объединены в одном элементе, который выполнен в виде 2N периодических решеток, ориентированных взаимно перпендикулярно друг к другу. Решетки состоят из n тонкопленочных монокристальных полосок, изготовленных из Bi1-xSbx (0<x<12), и представляют собой n фазированных антенн с периодом L= /2. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: ( /n+ R0/2Z), <20a×b/ , R0/2Z<0,5, где - интервал регистрируемых длин волн на основной длине волны , Z=120 Ом - импеданс свободного пространства, - температуропроводность среды, непосредственно контактирующей с мембраной, а - ширина, b - длина полосок, Ro - сопротивление квадратного участка поверхности полоски, - время выхода на стационарное состояние при воздействии прямоугольного импульса электромагнитной энергии. Технический результат заключается в повышении быстродействия устройства. 1 ил.

2515417
выдан:
опубликован: 10.05.2014
МАТРИЦА СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ДЕТЕКТОРОВ СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО И ДАЛЬНЕГО ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно к многоэлементным приемникам субмиллиметрового и дальнего инфракрасного излучения, и может найти применение в терагерцовой микроскопии, при исследовании полупроводниковых излучателей, в системах безопасности, медицине и др. Технический результат изобретения заключается в снижении влияния ВЧ-тока каждой планарной антенны на соседние антенны и, как следствие, в уменьшении взаимовлияния соседних антенн друг на друга. Матрица сверхпроводящих детекторов на электронном разогреве содержит соединенные друг с другом планарные антенны с интегрированным в каждую элементом, чувствительным к ИК-излучению, причем ветви каждой антенны имеют форму логарифмических спиралей. На каждом участке, соединяющем антенны друг с другом, выполнена по меньшей мере одна продольная прорезь или заужение. Этот участок обладает повышенным волновым сопротивлением, и, благодаря конструктивной интерференции волн, отраженных от ближнего и дальнего краев отрезка, на конце спирали реализуется режим, близкий к режиму холостого хода. ВЧ-ток отражается в месте начала отрезка с повышенным волновым сопротивлением, и антенна работает в режиме, близком к уединенной антенне. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

2515416
выдан:
опубликован: 10.05.2014
ОРТОГОНАЛЬНЫЙ МАГНИТОТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Ток базы и кармана задается через полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода, а два другие полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода служат коллекторными нагрузками. Магнитное поле, перпендикулярное подложке, с помощью полоскового трансформера преобразуется в магнитное поле, параллельное подложке. Часть полоскового трансформера расположена над активной частью магнитотранзистора. Полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода заданы с соотношением ширины канала более 2:1 в задающем ток базы и кармана полевом транзисторе и в полевых транзисторах нагрузки коллекторов. Полевые транзисторы нагрузки коллекторов соединены по схеме токового зеркала. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь согласно изобретению в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

2515377
выдан:
опубликован: 10.05.2014
ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к электронной технике. Сущность: электронное устройство содержит термоэлектрический преобразователь (100) с гетероструктурными полупроводниковыми слоями (38), выполняющими термоэлектрическое преобразование, фотоэлектрический преобразователь (102), в котором, по меньшей мере, часть гетероструктурного полупроводникового слоя (38) выполняет фотоэлектрическое преобразование, транзистор (104) и/или диод, содержащий, по крайней мере, часть полупроводниковых слоев гетероструктуры, выполняющих функции рабочего слоя. Технический результат: возможность использования технологии монолитных интегральных схем для объединения термоэлектрического преобразователя с фотоэлектрическим преобразователем и транзистором и/или диодом, предотвращение помех между термоэлектрическими элементами p-типа и n-типа. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 11 ил.

2515214
выдан:
опубликован: 10.05.2014
КОНЦЕНТРАТОРНЫЙ КАСКАДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к концентраторным каскадным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют концентрированное солнечное излучение в электроэнергию. Концентраторный каскадный фотопреобразователь содержит подложку (1) p-Ge, в которой создан нижний p-nпереход (2), и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой (3) n-Ga0,51 In0,49P, буферный слой (4) n-Ga0,99 In0,01As, нижний туннельный диод (5), средний p-n переход (9), содержащий базовый слой (10) и эмиттерный слой (11), а также широкозонное окно (12), верхний туннельный диод (13), верхний p-n переход (14), содержащий слой (15) тыльного потенциального барьера, базовый слой (16) и эмиттерный слой (17), а также широкозонное окно (18), и контактный n+-подслой (19). При этом нижний туннельный диод содержит n - широкозонный слой (6), n ++-туннельный слой (7) и p++-туннельный слой (8), примыкающий непосредственно к базовому слою (10) среднего p-n перехода (9). Изобретение обеспечивает снижение последовательного сопротивления концентрационного каскадного фотопреобразователя для обеспечения повышения эффективности преобразования высококонцентрированного солнечного излучения. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

2515210
выдан:
опубликован: 10.05.2014
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ СВЧ-МОЩНОСТИ

Изобретение относится к СВЧ-монолитным интегральным схемам и предназначено для использования в качестве защитных схем, например в устройствах, содержащих малошумящие усилители. Cхема сверхширокополосного ограничителя СВЧ-мощности отражательного типа согласно изобретению построена не как фильтр нижних частот, а представляет собой отрезок копланарной линии передач (либо копланарной линии передач с заземляющей плоскостью), сочлененный с планарными распределенными pin-структурами, включенными встречно-параллельно относительно соответствующих проводников копланарной линии (либо копланарной линии с заземляющей плоскостью). Изобретение обеспечивает возможность повысить значение верхней рабочей частоты и увеличить максимальное значение входной мощности ограничителя.

1 ил.

2515181
выдан:
опубликован: 10.05.2014
МУЛЬТИСПЕКТРАЛЬНОЕ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к мультиспектральному светочувствительному устройству и способу его изготовления. Мультиспектральное светочувствительное устройство содержит по меньшей мере один непрозрачный слой основы; причем каждый слой основы имеет по меньшей мере две стороны, причем по меньшей мере две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света любого спектра, излучаемого с фронтального направления расположенной стороны. Альтернативно, мультиспектральное светочувствительное устройство содержит по меньшей мере один прозрачный слой основы; причем каждый слой основы имеет по меньшей мере две стороны, причем по меньшей мере две из сторон снабжены группами светочувствительных пикселей, каждая группа светочувствительных пикселей используется для восприятия света спектра, представляющего интерес, излучаемого с фронтального направления или тыльного направления расположенной стороны. Настоящее изобретение можно использовать для одновременного восприятия разных видов двух направлений или для восприятия вида одного направления с использованием одного и того же устройства восприятия для осуществления восприятия в двух направлениях и, таким образом, для повышения производительности устройства восприятия. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 32 ил.

2512074
выдан:
опубликован: 10.04.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем. Изобретение может быть использовано также в СВЧ микроэлектронике при создании монолитных усилителей мощности и в силовой электронике при создании монолитных преобразователей. В полупроводниковом источнике излучения (ИИ) генерирующая излучение монолитная матрица p-n мезоструктур на теплопроводящей диэлектрической подложке установлена внутри кристаллодержателя, выполненного в виде устройства с высокой скоростью отбора тепла от кристалла и передачи его всей конструкции кристаллодержателя. Кристаллодержатель, содержащий диэлектрическую крышку, спаянную с металлическим основанием, вместе с матрицей p-n мезоструктур, вставленной в окно диэлектрической крышки и соединенной с ней пайкой по краям окна, образует герметичную полость, частично заполненную капиллярно-пористым материалом. На тыловой поверхности подложки кристалла и смежной с ней внутренней поверхности диэлектрической крышки сформирована единая сеть капиллярных каналов. Это обеспечивает многократное снижение теплового сопротивления полупроводникового источника излучения и обеспечивает равномерное распределение температуры по площади кристалла. На поверхности диэлектрической крышки сформированы входные контакты, обеспечивающие надежность и удобство монтажа изделия. Изобретение обеспечивает возможность уменьшения теплового сопротивления ИИ и увеличение излучаемой ИИ мощности, создание конструкции ИИ, позволяющей получать изделия светотехники с большой площадью излучения, компактно расположенных светоизлучающих матриц. Кроме этого, при наличии плотного расположения элементарных ИИ решается задача получения ИИ с наиболее высокой плотностью мощности (яркости) излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

2511280
выдан:
опубликован: 10.04.2014
НАНОСТРУКТУРНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК (БОЛОМЕТР) С БОЛЬШОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ ПОГЛОЩЕНИЯ

Изобретение относится к области создания детекторов инфракрасного излучения и касается болометрического ИК-детектора. Детектор состоит из мембраны площадью S с термочувствительным элементом (ТЧЭ) и поглотителем электромагнитной энергии (ПЭЭ), прикрепленной к подложке с помощью токопроводящих шинок. ТЧЭ и ПЭЭ объединены в одном элементе, который выполнен в виде покрытия из тонкопленочного монокристального материала Bi1-x Sbx (0<x<12). Покрытие максимально покрывает поверхность мембраны и включает полоску, которая отделена зазорами шириной l от остальной части покрытия за исключением концов полоски, соединенных с остальной частью покрытия. Кроме того, покрытие разделено щелью на две части, электрически соединенные указанной полоской. Параметры болометра удовлетворяют следующим соотношениям: R/2Z<1, где R - удельное поверхностное сопротивление пленки, Z=120 Ом - импеданс свободного пространства; S/ 1>l2/ 2, где 1 - температуропроводность среды, непосредственно контактирующей с мембраной, 2 - температуропроводность материала мембраны. Технический результат заключается в упрощении конструкции и повышении удельной обнаружительной способности устройства. 1 ил.

2511275
выдан:
опубликован: 10.04.2014
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к устройству отображения, оснащенному оптическим датчиком в области пикселей. Техническим результатом является повышение чувствительности и высокое отношение сигнал/шум в светочувствительном датчике. Устройство отображения содержит оптический датчик, содержащий высокочувствительный светочувствительный элемент. Светочувствительный элемент оснащен диодом (D1), схемой межсоединений для сигнала сброса (RST) для подачи сигнала сброса, схемой межсоединений для сигнала считывания (RWS) для подачи сигнала считывания, накопительным узлом, потенциал (VINT ) которого изменяется в зависимости от количества света, принятого диодом (D1) с момента подачи сигнала сброса до момента подачи сигнала считывания, усилительным элементом (C1) для усиления потенциала (VINT) в соответствии с сигналом считывания и элементом (M2), переключающим датчик, для считывания усиленного потенциала в схему выходных межсоединений. Потенциал экранирующей пленки (LS), обеспеченной на задней поверхности диода, зафиксирован равным постоянному потенциалу (VLS), который удовлетворяет следующему соотношению: VLS VRST.H. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 63 ил.

2510931
выдан:
опубликован: 10.04.2014
НОВОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ И ВКЛЮЧАЮЩЕЕ ЕГО ОРГАНИЧЕСКОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к органическому соединению формулы (1), в которой каждый из R1 - R16 независимо выбран из атома водорода, метила, этила, н-пропила, изопропила, н-бутила, изобутила, вторбутила, третбутила, октила, 1-адамантила, 2-адамантила, незамещенной фенильной группы, фенильной группы, замещенной алкильной группой, и незамещенной бифенильной группы. Также изобретение относится к органическому светоизлучающему устройству, дисплейному устройству, устройству ввода изображения, устройству для освещения, а также источнику света для экспонирования для образующих электрографические изображения устройств на основе данного соединения. Данное соединение имеет высокий квантовый выход и излучают свет, подходящий в качестве зеленого света. 7 н. и 4 з.п. ф-лы, 26 пр., 6 табл., 1 ил.

2510390
выдан:
опубликован: 27.03.2014
ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к устройствам формирования изображения. Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя подложку, область датчика изображения и схему обработки сигналов, которые электрически соединены друг с другом, область с низкой теплопроводностью, расположенную между областью датчика изображения и схемой обработки сигналов, и сквозное отверстие, сформированное в подложке, при этом область с низкой теплопроводностью находится в сквозном отверстии и имеет более низкую теплопроводность, чем у подложки. Изобретение обеспечивает возможность простой реализации уменьшения размера и улучшение качества снимаемых изображений. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 25 ил.

2510100
выдан:
опубликован: 20.03.2014
УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

Изобретение относится к устройству отображения, снабженному оптическим датчиком в пиксельной области. Техническим результатом является повышение точности при захвате изображений посредством улучшения линейности характеристик чувствительности фотодиода. Оптический датчик, предусмотренный на подложке активной матрицы устройства отображения, включает в себя: фотодиод (D1a) для приема падающего света; линию (RSTa) сигнала сброса для подачи сигнала (RST) сброса к оптическому датчику; линию (RWSa) сигнала считывания для подачи сигнала (RWS) считывания к оптическому датчику; и переключающий элемент (M1a) датчика для считывания фотоэлектрического тока, выходящего из фотодиода (D1a) согласно сигналу считывания, в течение периода от подачи сигнала сброса до подачи сигнала считывания. Потенциал VLS светоэкранирующей пленки (LS), предусмотренной на тыльной стороне фотодиода (D1a), устанавливается на уровне высокого потенциала в течение периода, который перекрывает период, пока подается сигнал сброса. 4 з.п. ф-лы, 21 ил.

2507605
выдан:
опубликован: 20.02.2014
ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАХВАТА ИЗОБРАЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

Изобретение относится к устройствам захвата изображения. Твердотельное устройство захвата изображения включает в себя множество пикселей, причем каждый из множества пикселей содержит участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный для генерации зарядов в соответствии с падающим светом, участок удержания заряда, сконфигурированный так, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, и участок передачи, сконфигурированный так, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания заряда и узлом считывания. Участок удержания заряда включает в себя управляющий электрод. Вторая полупроводниковая область второго типа проводимости расположена на поверхности полупроводниковой области между управляющим электродом и электродом передающего затвора. Третья полупроводниковая область первого типа проводимости расположена под второй полупроводниковой областью. Третья полупроводниковая область расположена в более глубоком местоположении, чем первая полупроводниковая область. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности передачи заряда от участка удержания заряда к плавающей диффузионной области. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 7 ил.

2506662
выдан:
опубликован: 10.02.2014
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ДАТЧИК МИКРОПЕРЕМЕЩЕНИЙ С МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ

Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей способности. Технический результат достигается благодаря тому, что микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем содержит консоль 1, сформированную в кремниевом кристалле 2 с образованием зазора 3, магниточувствительный элемент 4 и постоянный магнит 5. При этом поверхность кристалла 1 покрыта изолирующим слоем 6. На поверхности изолирующего слоя 6, по меньшей мере, на части консоли 1 и, по меньшей мере, на части поверхности кристалла 1, включая край зазора 3, противолежащий концу консоли 1, на изолирующем слое размещен магнитопровод 7 из пленки магнитомягкого материала. Постоянный магнит 5 размещен на магнитопроводе 7. Магниточувствительный элемент 4 размещен в области изменения магнитного поля, формируемого постоянным магнитом 5, при перемещении консоли 1. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

2506546
выдан:
опубликован: 10.02.2014
СПОСОБ УЛУЧШЕНИЯ ФОТОСТАБИЛЬНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ТИПА ЯДРО-ОБОЛОЧКА С ОБОЛОЧКОЙ ИЗ ОРГАНИЧЕСКИХ, МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ ИЛИ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Изобретение относится к способу улучшения фотостабильности полупроводниковых квантовых точек типа ядро-оболочка, в которых внутреннее полупроводниковое ядро покрыто оболочкой из органических, металлоорганических или кремнийорганических соединений. Данное изобретние может найти применение в производстве различных люминесцентных материалов, светодиодов дисплеев (компьютерных мониторов и телевизоров по технологии QDLED), источников белого света, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Для улучшения фотостабильности квантовых точек типа ядро-оболочка предлагается использовать метод прямого фторирования, т.е. обработку квантовых точек смесями фтора с газами-разбавителями - азотом, кислородом, воздухом, гелием, аргоном, ксеноном, двуокисью углерода и т.д. Прямое фторирование квантовых точек существенно улучшает их фотостабильность. 5 з.п. ф-лы.

2505886
выдан:
опубликован: 27.01.2014
КМОП-ТРАНЗИСТОР С ВЕРТИКАЛЬНЫМИ КАНАЛАМИ И ОБЩИМ ЗАТВОРОМ

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от каналов диэлектриком и сформирован на непроводящей области, расположенной между транзисторами. Стоки каналов МОП-транзисторов соединены между собой с помощью омических контактов на нижней стороне структуры, а истоки транзисторов имеют отдельные выводы на верхней стороне. Изобретение позволяет упростить конструкцию, уменьшить размеры и повысить быстродействие КМОП-транзистора. 1 ил.

2504865
выдан:
опубликован: 20.01.2014
СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретения могут быть использованы в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, оптической пеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля. Изобретения направлены на повышение чувствительности и обеспечение оптического управления характеристиками фотовольтаического детектора, в частности динамическим диапазоном и чувствительностью. Указанный результат в части способа достигается тем, что способ предусматривает создание опорной эдс за счет пространственного разделения зарядов, возникающих при облучении структур, формируемых на основе полупроводниковых материалов и включающих в себя потенциальный барьер и массив квантово-размерных объектов в области барьера, излучением с энергией частиц в области фундаментального поглощения в структурах или при инжекции носителей заряда через потенциальный барьер вследствие облучения таких структур излучением с энергией частиц, достаточной для инжекции носителей заряда, облучение квантово-размерных объектов детектируемым электромагнитным излучением, регистрацию изменения эдс при облучении структуры детектируемым электромагнитным излучением. Указанный результат в части устройства достигается тем, что оно содержит формируемую на основе полупроводниковых материалов структуру с потенциальным барьером, в области которого создан массив квантово-размерных объектов, источник опорного излучения для облучения структуры с целью создания опорной эдс и прибор, регистрирующий изменение эдс при облучении устройства детектируемым электромагнитным излучением. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 пр., 3 ил.

2503090
выдан:
опубликован: 27.12.2013
Наверх