Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ...комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами – H01L 27/13

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним электро- и теплопроводящим веществом, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, электрически соединенную с экранным заземляющим металлизационным покрытием, по меньшей мере, один транзистор с выводами, по меньшей мере, два конденсатора, расположенные с разных сторон транзистора, при этом один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, два другие его вывода - с топологическим рисунком металлизационного покрытия, нижние обкладки конденсаторов - с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранным заземляющим металлизационным покрытием, при этом каждые - транзистор с выводами, два конденсатора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора - выполнены в виде, по меньшей мере, одного единого кристалла монолитной интегральной схемы на полуизолирующей полупроводниковой структуре с заданными легированными слоями, упомянутый единый кристалл расположен на металлизированной посадочной площадке, оба конденсатора выполнены пленочными, верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора выполнены в одном слое металлизационного покрытия упомянутого единого кристалла, в последнем выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой. Транзистор выполнен в виде полевого транзистора с барьером Шотки с шириной вывода - электрода затвора не более 500 мкм, с заданными величинами тока насыщения, не превышающего 150 мА, и напряжения отсечки, каждый единый кристалл монолитной интегральной схемы дополнительно содержит резистивный элемент с заданным электрическим сопротивлением, резистивный элемент выполнен пленочным на лицевой поверхности упомянутого единого кристалла или в виде легированного слоя в составе упомянутой полупроводниковой структуры, резистивный элемент расположен вне области канала полевого транзистора с барьером Шотки на расстоянии не менее 20 мкм от вывода - электрода истока, при этом один из концов резистивного элемента электрически соединен с верхней обкладкой одного из конденсаторов, а другой - с нижней обкладкой этого конденсатора, электрическое соединение одного из концов резистивного элемента с верхней обкладкой конденсатора выполнено в упомянутом одном слое металлизационного покрытия единого кристалла, а электрическое соединение другого конца резистивного элемента и нижние обкладки конденсаторов - в другом слое этого металлизационного покрытия, а сквозные металлизированные отверстия в упомянутом едином кристалле выполнены вне площади расположения конденсаторов. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик и их воспроизводимости, за счет расширения функциональных возможностей гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, повышение технологичности и надежности. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и расширение функциональных возможностей при сохранении электрических характеристик за счет уменьшения площади, занимаемой элементами гибридной интегральной схемы и их соединениями. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой ее стороне, пленочный конденсатор, верхняя металлическая обкладка которого выполнена в составе топологического рисунка металлизации, а нижней служит поверхность металла, заполняющего отверстие в диэлектрической подложке и выходящего на ее лицевую сторону, при этом отверстие расположено непосредственно под верхней металлической обкладкой, а в диэлектрической пленке пленочного конденсатора над его нижней и вне площади верхней металлической обкладки выполнено отверстие, через которое нижняя металлическая обкладка непосредственно соединена с топологическим рисунком металлизации. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.