Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ....компоненты с полевым эффектом – H01L 27/105

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. Ячейка памяти включает два электрода с расположенным между ними слоем диэлектрика. Слой диэлектрика имеет дефекты, обеспечивающие электрическую проводимость путем туннелирования носителей заряда по дефектам, и содержит включения полупроводникового материала, расположенные вблизи одного из электродов и обеспечивающие приобретение, сохранение и удаление электрического заряда, который блокирует протекание тока по дефектам слоя диэлектрика. Техническим результатом изобретения является создание двухэлектродной энергонезависимой перепрограммируемой ячейки памяти с воспроизводимыми параметрами, использующей эффект сохранения электрического заряда. 6 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. Для повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей в интегральный двунаправленный четырехконтактный коммутатор на основе комплементарных квантовых областей, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, AlGaAs-области первого и второго типа проводимости, две AlGaAs-области спейсеров собственной проводимости, две GaAs-области собственной проводимости, две управляющие металлические шины, две двунаправленные области первого типа проводимости, две двунаправленные области второго типа проводимости, две двунаправленные металлические шины и области разделительного диэлектрика, введены две дополнительные AlGaAs-области спейсеров собственной проводимости, дополнительные AlGaAs-области первого и второго типов проводимости, две управляющие AlGaAs-области первого типа проводимости, две управляющие AlGaAs-области второго типа проводимости, разделительные AlGaAs-области первого и второго типов проводимости, четыре изолирующие AlAs-области, третья и четвертая двунаправленные области второго типа проводимости, третья и четвертая двунаправленные области первого типа проводимости, две приконтактные управляющие области первого типа проводимости, две приконтактные управляющие области второго типа проводимости, шесть дополнительных управляющих металлических шин, третья и четвертая двунаправленные металлические шины, изолирующие области аморфизации. 6 ил.

Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. Сущность изобретения: интегрированные транзисторно/запоминающие структуры содержат один или более слоев полупроводникового материала, два или более электродных слоев, а также запоминающий материал, контактирующий с электродами, находящимися в указанных электродных слоях. По меньшей мере, один слой полупроводникового материала и, по меньшей мере, два электродных слоя формируют транзисторные структуры. При этом электроды первого электродного слоя образуют пары электродов истока и стока, а электроды смежного второго электродного слоя формируют электроды затвора указанных структур. Электроды истока и стока единичной транзисторной/запоминающей структуры разделены узкой канавкой, доходящей по глубине до полупроводникового слоя. При этом в полупроводниковом слое, под канавкой, выполнен транзисторный канал со сверхкороткой длиной L, а под электродами истока и стока, по обе стороны от транзисторного канала, сформированы истоковая и стоковая области. Запоминающий материал заполняет канавку и находится в контакте с электродами транзистора. Длина L транзисторного канала в данной схеме соответствует ширине канавки, а его ширина W - ширине электрода затвора, причем L составляет долю от W. В объеме запоминающего материала сформированы три ячейки памяти, расположенные соответственно между электродом истока и электродом затвора, между электродом стока и электродом затвора и в канавке между электродами истока и стока. Представлен также массив интегрированных транзисторно/запоминающих структур. Техническим результатом заявленного изобретения является создание структур, в которых осуществлена интеграция энергонезависимой памяти и высокоскоростных транзисторных контуров. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно - к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение быстродействия транзистора за счет обеспечения высокой подвижности электронов в канале при высокой их концентрации, снижения скорости деградации характеристик транзистора, обеспечения пентодных выходных характеристик короткоканального транзистора, позволяющих проектировать интегральные логические элементы на его основе, обеспечения возможности реализации трех технологически совместимых вариантов транзистора с различными передаточными вольт-амперными характеристиками для повышения эффективности использования устройства в интегральных схемах. Сущность изобретения: в интегральный полевой транзистор с размерным квантованием энергии, содержащий полуизолирующую полупроводниковую GaAs-подложку, полупроводниковый слой GaAs собственной проводимости, полупроводниковые слои AlGaAs, металлический затвор, полупроводниковые области стока и истока второго типа проводимости, металлические контакты стока и истока, полупроводниковые области стока и истока второго типа проводимости, введены полупроводниковый слой GaAs собственной проводимости, полупроводниковые слои AlGaAs собственной проводимости, полупроводниковый слой AlGaAs второго типа проводимости, сильнолегированная полупроводниковая область затвора второго типа проводимости, позволяющие использовать эффекты размерного квантования и вытеснения энергетических уровней из квантовой ямы. 8 ил.