Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее: ....только биполярные компоненты – H01L 27/082
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 27/00 Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее
H01L 27/082 ....только биполярные компоненты
Патенты в данной категории
| КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ БИПОЛЯРНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ Использование: микроэлектроника, комплементарные биполярные транзисторные структуры интегральных схем. Сущность изобретения: комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы содержит биполярные n-p-n- и p-n-p-транзисторы, выполненные в многослойной полупроводниковой структуре и изолированные областями диэлектрика. Проводники к областям эмиттера, базы и коллектора каждого транзистора присоединены к соответствующим областям и изолированы слоями диэлектрика. Область коллектора p-n-p-транзистора отделена от подложки p-типа проводимости областью n-типа проводимости. Проводники к областям эмиттера n-p-n-транзистора и базы p-n-p-транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния первого уровня, легированного донорной примесью, проводники к областям базы n-p-n-транзистора и эмиттера p-n-p-транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния второго уровня, легированного примесью. Области эмиттеров указанных транзисторов сформированы диффузией из легированных поликремниевых проводников к этим областям. Проводники к областям коллекторов транзисторов выполнены из металла и присоединены к соответствующим областям на дне сформированных в структуре углублений. Расстояния между проводниками к областям транзисторов определены толщиной слоев диэлектрика, изолирующих проводники. Изобретение обеспечивает повышение плотности упаковки и быстродействия ИС. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2111578 патент выдан: опубликован: 20.05.1998 |
|