Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры) – H01L 29/747
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/747 .....двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры)
Патенты в данной категории
| ТИРИСТОР С ДВУХСТОРОННИМ УПРАВЛЕНИЕМ Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов. В тиристоре с двухсторонним управлением запирающая структура не должна неконтролируемо отпираться за счет нежелательной миграции носителей зарядов. Это достигается за счет того, что степень закорачивания катодных областей возрастает в направлении разделительной области. В частности, это может быть достигнуто за счет того, что плотность закорачивающих областей на единицу площади стремится к максимальному значению в направлении разделительной области. Особенно оптимальным является использование прямолинейной сплошной закорачивающей области, проходящей вдоль разделительной области. Техническим результатом является улучшение развязывания между тиристорными структурами. 7 з. п. ф-лы, 4 ил. | 2194339 патент выдан: опубликован: 10.12.2002 |
|
| СИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы - симметричные тиристоры (ТС), представляющие собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом. Сущность изобретения: ТС включает в себя средний базовый n-слой, первый р-слой, который прилегает к среднему базовому n-слою сверху и содержит эмиттерный, управляющий и разделительный участки, выходящие на первую главную поверхность: второй р-слой, который прилегает к среднему базовому п-слою снизу и содержит эмитерный участок, выходящий на вторую главную поверхность, первый эмиттерный п-слой, первый дополнительный п-слой и вспомогательный п-слой, которые образуют p-n-переходы с первым p-слоем и выходят на первую главную поверхность, второй эмиттерный n-слой и являющийся его продолжением второй дополнительный n-слой, который образует p-n-переход с вторым p-слоем и выходят на вторую главную поверхность. Предложена конструкция ТС, приводящая к уменьшению отпирающих токов управления ТС при их включении и обеспечению примерного равенства значения этих токов управления. 5 з. п. ф-лы, 12 ил. | 2106720 патент выдан: опубликован: 10.03.1998 |
|