Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....содержащие несколько элементов, предусмотренных в ,29/16 – H01L 29/161
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВОГО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО ЭЛЕМЕНТА Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов. Сущность изобретения: в образце материала полупроводника, в котором длина волны де Бройля превышает постоянную решетки, в приповерхностном объеме, задают ход электростатического потенциала, чем формируют квантовую проволоку, длину которой выбирают превышающей длину свободного пробега электрона, формируют туннельно прозрачные электрические контакты к квантовой проволоке на расстоянии, не превышающем длины свободного пробега электрона, и прикладывают квантующие скрещенные электрические поля для формирования интерференционного элемента на длине отрезка квантовой проволоки между туннельно прозрачными контактами. Амплитуду электрического поля выбирают исходя из числа возбуждаемых мод в квантовой проволоке, определяют коэффициент модуляции тока интерференционного элемента и устанавливают длину интерференционного элемента, которая соответствует достижению максимального значения коэффициента модуляции тока. В качестве полупроводника используют узкощелевой полупроводник, например, кадмий-ртуть-теллур, с приповерхностным объемом из пленки этого полупроводника, эпитаксиально нанесенной на пленку теллурида кадмия. 7 з.п. ф-лы, 7 ил., 3 табл. | 2111579 патент выдан: опубликован: 20.05.1998 |
|