Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .....управляемые полевым эффектом – H01L 29/739

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с изолированным затвором, имеющий активную ячейку (5), содержащую карман (6) канала с проводимостью р-типа, окруженную третьим слоем (8) n-типа, при этом прибор содержит дополнительные карманы (11), сформированные примыкающими к карману (6) канала вне активной полупроводниковой ячейки (5), и имеет улучшенные параметры области устойчивой работы. Дополнительные карманы (11), находящиеся вне активной ячейки (5), не влияют на конструкцию активной ячейки с точки зрения шага ячейки, то есть на конструкторские нормативы в отношении размещения ячейки, и на сток дырок между ячейками, что приводит к оптимальному профилю распределения носителей на стороне эмиттера с целью уменьшения потерь в открытом состоянии. 9 з.п. ф-лы, 10 ил.

Использование: в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: биполярный транзистор с изолированным затвором не имеет элементов затвора, а ток затвора проводится в кристалле биполярного транзистора с изолированным затвором, исходя из вывода затвора, непосредственно через слои поликремния электродов затвора к отдельным ячейкам биполярного транзистора с изолированным затвором. Техническим результатом изобретения является создание биполярного транзистора с изолированным затвором, который можно изготовить простым способом и который обеспечивает при этом гомогенное включение. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.