Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..отличающиеся материалами, из которых они сформированы – H01L 29/43

Изобретение относится к функциональным устройствам наноэлектроники и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной и спиновой памяти. Сущность изобретения: в туннельном устройстве, содержащем входной, выходной и N управляющих электродов, туннельные барьеры и межбарьерное пространство выполнены в виде упорядоченной структуры из нанообъектов, обеспечивающей одноэлектронное коррелированное туннелирование электронов в устройстве. Устройство выполнено в виде планарной структуры. Каждый управляющий электрод расположен в области упорядоченной структуры из нанообъектов, упорядоченная структура состоит из нанообъектов, обладающих магнитными свойствами, а входной и выходной электроды имеют ферромагнитные свойства для спин-поляризации электронов. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей устройства путем обеспечения управления туннельным током внешним магнитным полем или комбинацией электрического и магнитного полей и детектирования магнитного поля, в том числе пространственной неоднородности магнитного поля. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.