Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды – H01L 29/864
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/864 ....инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды
Патенты в данной категории
| ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД (ВАРИАНТЫ) Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления лавинно-пролетных полупроводниковых диодов, в электронной промышленности, в радиоэлектронике в качестве активных элементов генераторов и усилителей СВЧ. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются подавление краевого эффекта, повышение мощности генерации СВЧ колебаний, снижение уровня электротепловой деградации. Сущность изобретения по первому варианту заключается в следующем. В лавинно-пролетном диоде первый металлический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из немагнитного металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния. На его внешней поверхности выращен вырожденный монокристаллический кремниевый n+типа слой цилиндрической формы, на внешней поверхности которого последовательно сформированы имеющие цилиндрическую форму активный монокристаллический кремниевый n типа слой и вырожденный монокристаллический кремниевый p+типа слой. Поверх последнего нанесен второй металлический контакт в виде двух цилиндрических слоев заданной длины, выполненных из разных немагнитных металлов. Удельная электропроводность верхнего цилиндрического слоя металла в паре больше удельной электропроводности нижнего цилиндрического слоя металла по направлению протекания электрического тока. Предложены 3 варианта изобретения. 3 с. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2168800 патент выдан: опубликован: 10.06.2001 |
|