ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами – H01L 29/10

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/10 ...с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами

Патенты в данной категории

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ ЗАТВОРОМ

Использование: в микроэлектронике. Сущность: биполярный транзистор с изолированным диэлектриком затвором, содержащий одну или более областей эмиттера, базы, коллектора, истока, стока, электрически соединенных по одноименным областям, и затвор, расположенный над канальной областью, которая соединяется в объеме с другими областями одинакового и противоположного типа проводимости. При этом канальная область и соединенная с ней в объеме другая область одинакового типа проводимости соединены по поверхности невыпрямляющим контактом, который примыкает к слою диэлектрика, изолирующего затвор от канальной области. Все это позволяет увеличить ток коллектора максимальный, уменьшить время переключения и напряжение насыщения коллектор-эмиттер за счет отсутствия паразитных тиристоров и транзисторов, снижения паразитных емкостей и сопротивлений, связанных с названным выше невыпрямляющим контактом. 2 ил.
2065642
патент выдан:
опубликован: 20.08.1996
Наверх