Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток – H01L 29/68

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого выполнен, по меньшей мере, один мощный схемный элемент, а противоположной стороной полупроводниковый кристалл расположен соосно на металлизированном, по меньшей мере, с двух противоположных сторон теплоотводящем основании, выполненном из высокотеплопроводящего материала, и соединен с ним слоем припоя. Часть поверхности металлизированного теплоотводящего основания, на которой расположен полупроводниковый кристалл, выполнена выпуклой либо вогнутой формы, при этом упомянутая форма части поверхности металлизированного теплоотводящего основания выполнена соосно и симметрично относительно центральной оси полупроводникового кристалла, форму выпуклости либо вогнутости и соответственно величину выпуклости либо вогнутости части поверхности металлизированного теплоотводящего основания между ее центром и краем определяют из заявленного соотношения. Изобретение позволяет повысить надежность и выходную мощность мощного полупроводникового прибора за счет снижения внутренних напряжений и повышения эффективности отвода тепла. 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковым переходным приборам, в частности к стабилитронам с регулировкой рабочего тока, и может быть использовано в многопереходных полупроводниковых приборах - биполярных транзисторах или тиристорах. Техническим результатом изобретения является стабильное поддержание напряжения питания нагрузки, возможность управления рабочим током и упрощение схемы управления. Сущность изобретения: стабилитрон с регулировкой рабочего тока содержит соединенные последовательно между собой источник питания, сопротивление нагрузки, ограничительное сопротивление в цепи нагрузки. Стабилитрон снабжен триодным стабилитроном, включенным параллельно сопротивлению нагрузки, и ограничительным сопротивлением, включенным между базой и коллектором триодного стабилитрона. 2 ил.

Изобретение относится к элементам микро- и наноэлектроники и может быть использовано в качестве резонатора в устройствах микро- и наноэлектроники как элемент, стабилизирующий несущую тактовую частоту. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в уменьшении размеров резонатора, ограниченных методом литографии; получении элемента непосредственно в интегральных схемах; изготовлении резонатора с параметрами, заданными непосредственно при технологическом процессе, не требующими последующей юстировки. Сущность изобретения: в структуру тонкопленочного полупроводникового электронного резонатора входят следующие слои: слой, образующий омический контакт с прилежащим полупроводниковым слоем, полупроводниковый слой, металлический слой, имеющий омические контакты к прилежащим полупроводниковым слоям, полупроводниковый слой и слой, образующий омический контакт с прилежащим полупроводниковым слоем, причем в структуре имеется общее электронное облако, образованное омическими контактами металлического слоя и прилежащими полупроводниковыми слоями, которое при приложении переменного напряжения к крайним слоям колеблется около положения равновесия и входит в резонанс, частота которого определяется толщиной металлического слоя, которая должна быть меньше длины свободного пробега электрона. 1 ил.