Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......с затвором в виде p-n-перехода – H01L 29/808
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/808 ......с затвором в виде p-n-перехода
Патенты в данной категории
| ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ Использование: в полупроводниковых приборах, предназначенных для усиления, генерации электрических сигналов в микроэлектронике. Сущность: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированный на ее поверхности полупроводниковый слой второго типа проводимости, изолирующую область первого типа проводимости, смыкающуюся с подложкой и выделяющую в полупроводниковом слое второго типа проводимости изолированную область, в которой сформированы области истока и стока второго типа проводимости, n областей затвора первого типа проводимости, где n = 2, 3, ... , контактируют с изолирующей областью, n-областей затвора выполнены таким образом, что контактируют с изолирующей областью в одной точке. 5 ил. | 2024996 патент выдан: опубликован: 15.12.1994 |
|
| ИСТОКОВЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ Использование: в микроэлектронике, а именно в конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов, в составе схем высокоомных источников сигнала. Сущность изобретения: в истоковом повторителе, содержащем основной полевой транзистор с управляющим p - n-переходом, выполненный на полупроводниковой подложке первого типа проводимости, на поверхности которой сформирован слой второго типа проводимости, в котором с помощью изолирующей области первого типа проводимости выделена изолированная область, в которой сформированы области истока, стока и затвора, в изолированной области сформирован дополнительный транзистор, у которого область истока контактирует с одной стороны с изолирующей областью, с другой с областью затвора, стоком является область истока основного транзистора, а исток, затвор и изолирующая область имеют общий омический контакт. 1 табл., 3 ил. | 2024111 патент выдан: опубликован: 30.11.1994 |
|