Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции, нелинейная оптика: ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например сверхрешетки, квантовые колодцы – G02F 1/017

МПКРаздел GG02G02FG02F 1/00G02F 1/017
Раздел G ФИЗИКА
G02 Оптика
G02F Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции,которых изменяются при изменениия оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции ; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи
G02F 1/00 Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика
G02F 1/017 ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например сверхрешетки, квантовые колодцы

Патенты в данной категории

ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ВАРИАНТЫ)

Устройство относится к квантовой электронике, а именно к системам для модуляции излучения лазера в заданном спектральном диапазоне. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур содержит подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, которая изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения. В подложке выполнено оптическое окно. Центральный слой активного компонента периодической многослойной гетероструктуры выполнен удвоенной толщины по отношению к другим слоям активного компонента гетероструктуры. Активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений AIIBVI или AIIIBV . Технический результат заключается в повышении эффективности и быстродействия модулятора. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

2477503
патент выдан:
опубликован: 10.03.2013
Наверх