Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....диоды Зеннера – H01L 29/866

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к высоковольтным полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: в периферии полупроводникового прибора, содержащей периферийный P-N-переход кольцевого типа, покрытый диэлектрической пленкой и окруженный над диэлектрической пленкой спиральной токопроводящей пленкой с диодами Зенера, концы спирали подсоединены к Р- и N-областям перехода на поверхности полупроводникового прибора, спираль токопроводящей пленки с диодами Зенера имеет расстояние между витками, выбранное из заданного условия. Техническим результатом изобретения является нейтрализация влияния зарядов на стабильность обратных утечек и пробивного напряжения. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Использование: изобретение относится к области полупроводниковых ограничителей напряжения, диодов Зеннера, варакторов и других полупроводниковых приборов и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений, а также при конструировании названных приборов. Техническим результатом изобретения является увеличение мощности и эксплуатационной надежности ограничителя напряжения в корпусе для поверхностного монтажа при сохранении толщины прибора. Ограничитель напряжения содержит размещенные в изолирующем плоском корпусе полупроводниковый кристалл кремния с одним или двумя P-N-переходами, соединенный с положительным и отрицательным выводами через металлические прокладки, являющиеся тепловыми компенсаторами. Глубина залегания P-N-перехода от поверхности кристалла составляет менее 50 мкм, что позволяет мгновенно передавать тепло, возникающее после воздействия импульса мощности, на теплоемкие компенсаторы. Теплопроводность и теплоемкость каждой металлической прокладки больше не менее чем в два раза соответственно теплопроводности и теплоемкости кристалла. При этом толщины металлических прокладок и выводов выбраны из условия обеспечения определенного соотношения между количеством тепла, которое может быть передано теплопроводностью одним выводом к радиатору и количеством тепла выделяемого на одном P-N-переходе при воздействии импульса мощности. 1 ил., 2 табл.

Использование: в области полупроводниковых ограничителей напряжения, диодов Зеннера, высоковольтных выпрямительных столбов, составных варакторов и других полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является увеличение мощности и эксплуатационной надежности ограничителя напряжения. Сущность изобретения: ограничитель напряжения, содержащий размещенные в изолирующем корпусе с положительным и отрицательным выводами полупроводниковые кристаллы кремния с, по крайней мере, одним P-N-переходом, которые последовательно соединены друг с другом и с выводами через металлические прокладки, являющиеся тепловыми компенсаторами, кристаллы выполнены одинакового размера и имеют равные значения напряжения лавинного пробоя, при этом суммарная величина напряжения лавинного пробоя последовательно соединенных кристаллов равна величине напряжения лавинного пробоя ограничителя напряжения, теплоемкость и теплопроводность каждой металлической прокладки больше не менее чем в три раза соответственно теплоемкости и теплопроводности каждого кристалла, а количество кристаллов, обеспечивающих надежную работу ограничителя при максимально допустимой импульсной мощности, определено из заявленного соотношения. 5 ил.