Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде – H01L 29/16
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/16 ...содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде
Патенты в данной категории
| КВАНТОВО-ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР Использование: микроэлектроника, интегральные схемы широкого назначения. Сущность изобретения: в квантовом интерференционном транзисторе на изолирующей подложке размещены интерференционный элемент в виде отрезка квантовой проволоки, соединенного с токовводами, а также управляющий электрод в виде периодической гребенки, ориентированной вдоль отрезка проволоки и соединенной с токовводом. Выбором параметров гребенки задают параметры периодического потенциала вдоль оси интерференционного элемента, минимальное значение коэффициента пропускания, энергетическую ширину запрещенной щели в коэффициенте пропускания с центром на уровне Ферми и по ней величину рабочей температуры. При включении смещения управляющий электрод периодически модулирует потенциал в интерференционном элементе и, если периодический потенциал меньше энергии Ферми, отсчитанной от дна рабочей подзоны проводимости проводника интерференционного элемента, возникает надбарьерное отражение на каждом скачке потенциала и многолучевая интерференция отраженных волн. 4 ил. | 2062530 патент выдан: опубликован: 20.06.1996 |
|