Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в  ,29/16, ,29/18, ,29/20, ,29/22 и  ,29/24 – H01L 29/26

МПКРаздел HH01H01LH01L 29/00H01L 29/26
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/26 ...содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в  29/1629/1829/2029/22 и  29/24

Патенты в данной категории

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Использование: в микроэлектронике при производстве полевых транзисторов на арсениде галлия с увеличенным быстродействием за счет уменьшения длины затвора. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает выделение активной области прибора на полупроводниковой структуре, формирование омических контактов, нанесение диэлектрического слоя на поверхность структуры, формирование металлической маски с окном под электрод затвора и последущее анодное окисление металлической маски для уменьшения размера окна, травление диэлектрического слоя и формирование затвора. 9 ил.
2031483
патент выдан:
опубликован: 20.03.1995
Наверх