Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....туннельные диоды – H01L 29/88
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/88 ....туннельные диоды
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНОГО ПРИБОРА Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре. Сущность: способ изготовления туннельного прибора заключается в формировании на поверхности атомарно гладкой твердотельной подложки первого, второго и N управляющих электродов с последующим формированием электрически изолированной от твердотельной атомарно гладкой подложки инертной диэлектрической матрицы с фиксированно встроенными в нее активными молекулами и кластерами, являющимися центрами локализации туннелирующих электронов и, таким образом, формирующих одноэлектронные туннельные переходы. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2106041 патент выдан: опубликован: 27.02.1998 |
|
| ТУННЕЛЬНЫЙ ПРИБОР Использование: изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например, для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре. Сущность изобретения: туннельный прибор содержит входной, выходной и N управляющих электродов, туннельные барьеры и межбарьерное пространство в нем выполнены в виде упорядоченной структуры из молекул и кластеров, формирующих туннельные переходы, обеспечивающие одноэлектронное коррелированное туннелирование электронов в приборе, причем каждый управляющий электрод расположен в области упорядоченной структуры из молекул и кластеров. Туннельные барьеры и межбарьерное пространство, выполненные в виде упорядоченной структуры из молекул и кластеров, формируют туннельные переходы, которые достаточно малы для того, чтобы обеспечить проявление эффекта кулоновской блокады туннелирования электронов при относительно высоких (комнатных) температурах. Туннельный прибор характеризуется большим быстродействием, низким энерговыделением и может быть использован для создания высокочувствительных сенсоров и датчиков. 3 ил. | 2105386 патент выдан: опубликован: 20.02.1998 |
|