Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ....диоды с регулируемой емкостью, например варакторы – H01L 29/93
Патенты в данной категории
| СБОРКА ИЗ ДВУХ ВАРИКАПОВ С ОБЩИМ КАТОДОМ (ВАРИАНТЫ)
Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью. Предлагается три варианта сборки из двух варикапов с общим катодом. Во всех вариантах сборки боковые поверхности р+-n-n+-мезоструктур выполнены наклонными относительно их центральных осей, и их наклонные поверхностные полупроводниковые слои преобразованы в поверхностные диэлектрические слои. В первом варианте сборки две мезоструктуры сформированы на прямоугольном n+-основании с его одной стороны и оканчиваются общей контактной площадкой к нижней стороне n+-основания и двумя контактными площадками к двум р+-слоям мезоструктур. Общий катодный вывод образует внешняя проводящая поверхность нижней прямоугольной пластины, гальванически соединенная с общей площадкой к n+-основанию мезоструктур. Анодными выводами сборки являются слои металла, нанесенные на внешнюю поверхность верхней диэлектрической пластины, длина и ширина которой равны длине и ширине нижней пластины и в которой выполнены два сквозных металлизированных отверстия, и на ее внутреннюю поверхность нанесены контактные металлические площадки, гальванически соединенные с анодными контактными площадками к р+-слоям мезоструктур. Пространство между внутренними поверхностями нижней и верхней пластин и боковыми поверхностями мезоструктур заполнено высокотемпературным эластичным герметиком до торцевых краев обеих пластин. Техническим результатом изобретения является увеличение верхней рабочей частоты и добротности варикапов в сборке. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил. |
2325002 патент выдан: опубликован: 20.05.2008 |
|
| ВАРИКАП
Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью, предназначенным для использования в частотно-избирательных устройствах. Сущность изобретения состоит в том, что в варикапе, содержащем корпус, размещенную в корпусе р+-n-n+-мезоструктуру, ограниченную двумя контактными площадками к р+- и n+-слоям, и два внешних вывода, места выхода р+-n-перехода и примыкающих к этому переходу р+- и n-слоев на боковые поверхности мезоструктуры выполнены наклонными относительно ее центральной оси. Наклонные поверхностные полупроводниковые слои мезоструктуры преобразованы в поверхностные диэлектрические слои. В состав варикапа дополнительно введены две пластины, выполненные из неорганического материала, на первых и вторых поверхностях которых расположены проводящие электрический ток поверхностные слои, гальванически соединенные между собой, контактные площадки мезоструктуры гальванически соединены с проводящими слоями, расположенными на вторых поверхностях пластин. Пространство между вторыми, внутренними, поверхностями пластин и боковыми поверхностями мезоструктуры заполнено высокотемпературным эластичным герметиком до торцевых краев пластин. При этом пластины и герметик выполняют роль корпуса варикапа, а проводящие поверхностные слои, расположенные на первых, наружных, поверхностях пластин, - роль его внешних выводов. Техническим результатом изобретения является увеличение верхней рабочей частоты и добротности варикапа. 14 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2320050 патент выдан: опубликован: 20.03.2008 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано в микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора, линии передачи. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит изолирующий слой, на одной части поверхности которого сформирован проводящий участок, а на другой части поверхности - первый слой, выполненный из полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности первого слоя выполнен второй слой, выполненный из полупроводника или металла, образующий с первым слоем полупроводниковый переход с другим омическим контактом, причем часть изолирующего слоя, контактирующая с первым слоем, сформирована из высокоомного полупроводника. Выбор профиля легирования и толщины первого слоя ограничен условием полного обеднения первого слоя или его части основными носителями заряда до пробоя полупроводникового перехода при подаче на него внешнего смещения, определяемого по представленной формуле. Техническим результатом изобретения является создание прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения, поданного на омические контакты к полупроводниковому переходу, регулировать в широких пределах величину емкости конденсатора, образованного между омическим контактом к первому слою и проводящим участком, выполненным на изолирующем слое, а также регулировать в широких пределах величину сопротивления изолирующего (полупроводникового) слоя. 3 з.п. ф-лы, 17 ил. |
2279736 патент выдан: опубликован: 10.07.2006 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Использование в микроэлектронике. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит первый полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом к нему, на части поверхности которого сформирован второй полупроводниковый или металлический слой, образующий с первым полупроводниковым слоем полупроводниковый переход, с другим омическим контактом, на части внешней поверхности прибора сформирован изолирующий слой, на части внешней поверхности которого выполнен проводящий участок. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения, поданного на омические контакты к полупроводниковому переходу, регулировать величину емкости конденсатора, образованного между омическим контактом к полупроводниковому слою и проводящим участком, выполненным на изолирующем слое. 7 з.п. ф-лы, 5 ил. |
2278449 патент выдан: опубликован: 20.06.2006 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Изобретение относится к микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник, на поверхности которого сформированы две сильнолегированные области противоположного с полупроводником типа проводимости с омическими контактами к ним, слой изолятора, сформированный на части поверхности полупроводника, имеющий общую границу с упомянутыми сильнолегированными областями, проводящий слой, сформированный на внешней поверхности упомянутого слоя изолятора, изолирующий слой, проводящий участок, сформированный на внешней поверхности изолирующего слоя. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения, поданного между проводящим слоем и омическим контактом, регулировать величину емкости конденсатора, образованного между омическим контактом и проводящим участком, выполненным на изолирующем слое. 7 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2278448 патент выдан: опубликован: 20.06.2006 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Использование: при создании параметрических усилителей и генераторов и перестраиваемых в широких пределах резонансных контуров. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит диэлектрический или полупроводниковый слой, на поверхности которого сформирован проводящий участок, выполненный в виде спирали, на поверхности спирали сформирована полупроводниковая пленка электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом, на поверхности которой выполнен p-n переход либо барьер Шоттки с другим омическим контактом с неоднородным вдоль направления пересекающего витки спирали профилем легирования. Выбор профиля легирования пленки и толщины пленки ограничен условием полного обеднения пленки либо ее части основными носителями заряда до пробоя p-n перехода либо барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения, удовлетворяющего заявленному соотношению. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при изменении величины управляющего напряжения, подаваемого на p-n переход либо барьер Шоттки, регулировать величину индуктивности. 4 ил. | 2163045 патент выдан: опубликован: 10.02.2001 |
|
ВАРИКАП
Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы. Сущность изобретения: варикап состоит из полупроводника с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n-переход с другим контактом. Полупроводник выполнен в виде пленки, размещенной на подложке, под рабочим участком пленки 0  x Xmax, z1(x) z z2(x), в том числе однородно легированным вдоль x и имеющим однородную толщину вдоль x, подложка, выполненная из полупроводникового материала противоположного с пленкой типа проводимости, сформирована с неоднородным вдоль x примесным профилем, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки либо его части основными носителями заряда до пробоя p-n-перехода при подаче на него внешнего смещения. Омический контакт к пленке выполнен в виде полосок, соединенных друг с другом, или одной полоски, при этом выбор зависимости емкости от напряжения определен выбором функциональной зависимости размера рабочего участка пленки F(x) = z2(x) - z1(x) в направлении z, либо выбором толщины пленки D(x), где x, z - координаты в плоскости общей с подложкой поверхности пленки, в том числе и прямоугольные. Технический результат изобретения заключается в получении варикапов с высокой добротностью практически с любой наперед заданной зависимостью емкости от напряжения, в том числе и варикапов, коэффициент перекрытия по емкости которых не лимитируется напряжением пробоя. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.
|
2119698 патент выдан: опубликован: 27.09.1998 |
|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Использование: микроэлектроника, при создании параметрических усилителей и генераторов и безинерционных конденсаторов переменной емкости. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник в виде пленки с полупроводниковым переходом, сформированным с неоднородным вдоль поверхностной координаты x примесным профилем. На поверхности полупроводника сформированы вдоль поверхностной координаты y проводящие полоски, выполненные с зазором относительно друг друга и омического контакта, причем проводящие полоски соединены с проводящими участками, сформированными на слое диэлектрика или высокоомного полупроводника, на другой поверхности диэлектрика или высокоомного полупроводника сформирована проводящая площадка. Поверх свободной поверхности прибора сформирован диэлектрический или высокоомный слой. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового прибора, позволяющего при измерении величины управляющего напряжения регулировать величину емкости конденсатора, образованного между проводящими пластинами. 1 з.п. ф-лы, 4 ил. | 2117360 патент выдан: опубликован: 10.08.1998 |
|
ВАРАКТОР
Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют, с помощью напряжения, а именно к варакторам. Сущность: в варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область выполнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором вдоль поверхности, в направлении x, создан неоднородный профиль распределения примеси Ni(x) (Nmax<N 2R(Umiпрn), где R( Umiпрn ) - толщина области пространственного заряда при минимальном напряжении пробоя Uпр, R(0,Nmin) - толщина области пространственного заряда при нулевом смещении. Заданный закон изменения емкости варактора от напряжения обеспечивают выбором функциональной зависимости y(x), размера p-n перехода в направлении y. Рабочая область варактора также может быть полупроводниковой пленкой толщиной d на подложке, p-n переход сформирован на одной стороне, а толщина пленки удовлетворяет условию: R(0, Nmin)<dR( Umiпрn ). Получены варакторы с наперед заданной убывающей зависимостью C(U), в том числе и линейной, с большими коэффициентами перекрытия по емкости, которые не лимитируются напряжением пробоя. Существенно упрощена технология изготовления приборов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
2102819 патент выдан: опубликован: 20.01.1998 |
|
ВАРИКАП
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варикап, состоящий из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного в пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с другим контактом. На рабочем участке пленки 0 xxmax, Z1(x)zZ2(x) создан либо неоднородный профиль распределения примеси Ni(x, y), либо неоднородный профиль толщины пленки D(x), либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки основными носителями заряда до пробоя p-n перехода или барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения: ,где Ui(x) - напряжение пробоя полупроводниковой пленки в сечении x; y - координата, отсчитываемая от общей с подложкой поверхности пленки в направлении вдоль толщины пленки, q - элементарный заряд;  s - диэлектрическая проницаемость полупроводниковой пленки; Uk - встроенный потенциал; омический контакт к пленке сформирован на свободной поверхности ее рабочего участка и выполнен в виде полосок, соединенных друг с другом или одной полоски, при этом заданная зависимость емкости от напряжения C(U) в диапазоне внешних запирающих напряжений UminUUmax обеспечивается либо выбором функциональной зависимости размера рабочего участка пленки F(x)=Z2(x)- Z1(x) в направлении z, либо выбором D(x), либо Ni(x,y), где x,z - криволинейные ортогональные координаты в плоскости общей с подложкой поверхности пленки, в том числе и прямоугольные, за пределами рабочего участка пленки выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения пленки основными носителями заряда при минимальном внешнем смещении на p-n переходе (U= Umin): . 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
|
2086045 патент выдан: опубликован: 27.07.1997 |
|
ВАРАКТОР
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варакторам, полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор, состоит из рабочей области, выполненной в виде полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости, с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, причем рабочая область выполнена в виде полупроводниковой пленки, размещенной на изолирующей или полуизолирующей подложке. Вдоль рабочей области создан либо неоднородный профиль распределения примеси Ni(х, y), либо неоднородный профиль толщины пленки D(х), либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, p-n переход или барьер Шоттки сформирован на участке, содержащем этот профиль, выбор толщины пленки и профиля легирования ограничены условием полного обеднения рабочей области пленки основными носителями заряда до пробоя барьера при подаче на него внешнего смещения: ,где Ui(X) - напряжение пробоя полупроводниковой пленки в сечении xy; y - координата, отсчитываемая от поверхности пленки вдоль ее толщины; q - элементарный заряд; s - диэлектрическая проницаемость полупроводниковой пленки. Кроме того омический контакт к пленке выполнен по периметру ее рабочей области с зазором относительно последней, причем величина зазора больше расстояния, при котором происходит пробой p-n перехода при максимальном запирающем напряжении на переходе, которое равно минимальному запирающему напряжению, при котором рабочая область пленки полностью обеднена основными носителями заряда, при этом заданная зависимость емкости от напряжения C(U) в диапазоне внешних запирающих напряжений UminUUmax обеспечивается либо выбором функциональной зависимости размера p-n перехода или барьера Шоттки F(x) в направлении Z, либо выбором D(x), либо Ni(x, y), где x, z - криволинейные ортогональные координаты в плоскости поверхности пленки в том числе и прямоугольные, причем F(x) непрерывная или кусочно-непрерывная функция координаты x. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.
|
2086044 патент выдан: опубликован: 27.07.1997 |
|
ВАРАКТОР
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, реактивностью которых управляют с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор состоит из рабочей области из однородно легированного полупроводника с омическим контактом, на которой сформирован p-n переход с другим контактом. Рабочая область выполнена в форме усеченной треугольной призмы: стороны основания L1, L2 и D. На боковых гранях рабочей области с основаниями L1 и L2 сформированы p-n переходы и/или барьеры Шоттки с общим контактом, а на грани с основанием D изготовлен омический контакт. Емкость варактора C от обратного смещения U в диапазоне обратных смещений Umin UUmax удовлетворяет условию: ,где S1 и S2 - геометрические площади граней с основаниями L1 и L2 соответственно; R(U) - толщина области пространственного заряда в полупроводнике при обратном смещении U;  o = 8,85 10-12 Ф/м; - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника. Концентрацию примеси в рабочей области и ее геометрические параметры выбирают так, что при увеличении обратного смещения за счет перекрытия ОПЗ от противолежащих граней изменяются действующие площади обкладок S1(U) и S2(U); при этом необходимый закон изменения S(U) обеспечивают либо соответствующим выбором зависимости высоты грани f(H) от расстояния H, измеренного вдоль L1 и L2 от точки пересечения сторон L1 и L2 со стороной D, либо - при заданной f(H) - выбором зависимости расстояния между L1 и L2 от H, причем размер стороны D удовлетворяет условию: 2R(Uпр) 2R(O), где Uпр - напряжение пробоя. Рабочая область может быть легирована неоднородно. Одна из граней варактора с основанием L1 и L2 представляет собой границу раздела легированный полупроводник - изолирующая подложка. 2 з.п. ф-лы. 9 ил.
|
2083029 патент выдан: опубликован: 27.06.1997 |
|
| ВАРАКТОР МАГНЕТРОННОГО ТИПА Использование: в электронике и радиотехнике больших мощностей, в частности в колебательных системах с управляемым реактивным элементом. Изобретение может быть использовано в ускоряющих станциях быстроциклирующих ускорителей. Сущность изобретения: для увеличения долговечности варактора и расширения области рабочих реактивных мощностей в варактор магнетронного типа, включающий центральный электрод, неразрезной анод, электромагнит и систему подавления паразитных колебаний, введен отрицательный эмиттирующий электрод, расположенный с зазором у торца центрального электрода. 1 ил. | 2055448 патент выдан: опубликован: 27.02.1996 |
|