Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......тонкопленочные транзисторы – H01L 29/786

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, содержащий шину затвора, первую изолирующую пленку, оксидно-полупроводниковый слой в форме островка, вторую изолирующую пленку, шину истока, электрод стока и пассивирующую пленку, а также контактную площадку, содержащую первый соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина затвора, второй соединительный элемент, изготовленный из той же проводящей пленки, что и шина истока и электрод стока, и третий соединительный элемент, сформированный на втором соединительном элементе. Второй соединительный элемент соприкасается с первым соединительным элементом в первом окне, предусматриваемом в первой и второй изолирующих пленках, третий соединительный элемент соприкасается со вторым соединительным элементом во втором окне, предусматриваемом в пассивирующей пленке, а второй соединительный элемент покрывает торцевые поверхности первой изолирующей пленки и второй изолирующей пленки в первом окне, но не покрывает торцевую поверхность пассивирующей пленки во втором окне. В результате этого конусная форма контактного отверстия контактной площадки может контролироваться с высокой точностью. Изобретение обеспечивает уменьшение повреждения маски. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к полупроводниковому устройству со схемой защиты от электростатического разряда. Полупроводниковое устройство включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом. Тонкопленочный диод включает в себя полупроводниковый слой с первой, второй и канальной областями, электрод затвора, первый электрод, соединенный с первой областью и электродом затвора, и второй электрод, соединенный со второй областью. Если тип удельной проводимости тонкопленочного диода является n-типом, то анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода. Если тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, то катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода. Схема защиты не включает в себя другие диоды, которые соединены с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду. В результате ухудшение свойств тонкопленочного диода может быть уменьшено при сведении к минимуму увеличения размера схемы. 11 з.п. ф-лы, 37 ил.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора. Сущность изобретения: тонкопленочный транзистор содержит первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг на друге в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, второй конденсатор, содержащий область, в которой третий и четвертый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, четыре выводные шины, проходящие от соответствующего электрода конденсатора в плоскостном направлении, первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, и второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину, третий электрод конденсатора и электрод истока не соединены друг с другом, четвертый электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом. Изобретение позволяет создать тонкопленочный транзистор, возникновение дефекта в котором может быть предотвращено даже в случае утечки в конденсаторе, соединенном с корпусом транзистора. 13 н. и 24 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, содержит этапы, на которых формируют первый транзистор и второй транзистор, толщина канальных слоев первого и второго транзисторов является взаимно различной, и применяют термообработку по меньшей мере к одному из канальных слоев первого и второго транзисторов. Изобретение обеспечивает расширение технических средств, позволяющих получить инвертор с оксидными полупроводниковыми тонкопленочными транзисторами, имеющими различные пороговые напряжения, упрощение способа получения инвертора с такими характеристиками, снижение его стоимости. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам оптоэлектроники и устройствам памяти. Сущность изобретения: в устройстве памяти, включающем подложку с нанесенными тонкими слоями оксида церия и кремния, и металлическими электродами для записи и стирания информации, подложка выполнена из стекла, подвергнутого предварительной очистке ацетоном, изопропиловым спиртом, на которую нанесен слой оксида церия при температуре, превышающей 600°С, толщиной более 3 нм и пленка кремния толщиной 50-100 нм. Изобретение позволяет увеличить время хранения информации, упростить технологию изготовления и снизить затраты на производство. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: в аморфный оксид, состав которого изменяется в направлении толщины слоя, содержит соединение, имеющее в кристаллическом состоянии состав, представленный формулой In_2-XM3_XO₃ (Zn_1-YM2_YO)_m, где М2 - элемент группы II с атомным номером меньше, чем у Zn (например, Mg или Са), М3 - элемент группы III с атомным номером, меньше чем у In (например, В, Al, Ga или Y), х находится в промежутке от 0 до 2, у находится в промежутке от 0 до 1, и m равно 0 или натуральному числу, меньшему чем 6, и при этом аморфный оксид имеет концентрацию электронных носителей не менее чем 10¹²/см³ и менее чем 10¹⁸/см³ и имеет подвижность электронов, которая увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей. Техническим результатом изобретения является предоставление аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования в активном слое транзистора. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить связь между проводящим каналом транзистора и каждым из электродов истока и стока, тем самым сокращая изменение параметров транзистора. 5 н. и 4 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к аморфному оксиду и полевому транзистору с его использованием. Сущность изобретения: аморфное оксидное соединение, имеющее состав, который при нахождении указанного соединения в кристаллическом состоянии описывается формулой In _2-XM3_XO₃(Zn_1-YM2_Y O)_m, где М2 представляет собой Mg или Са, М3 представляет собой В, Al, Ga или Y, 0 Х 2, 0 Y 1, и m представляет собой 0 или натуральное число меньше 6, или смесь таких соединений, причем упомянутое аморфное оксидное соединение дополнительно содержит один тип элемента или множество элементов, выбранных из группы, состоящей из Li, Na, Mn, Ni, Pd, Cu, Cd, C, N, P, Ti, Zr, V, Ru, Ge, Sn и F, и упомянутое аморфное оксидное соединение имеет концентрацию электронных носителей в пределах от 10¹⁵/см³ до 10¹⁸ /см³. Техническим результатом изобретения является предоставление аморфного оксида, который функционирует, как полупроводник для использования в активном слое тонкопленочного транзистора. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к полевым транзисторам с использованием аморфного оксида для активного слоя. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем активный слой и изолирующую затвор пленку, активный слой содержит слой оксида, содержащего In, Zn и Ga, аморфную область и кристаллическую область, и при этом кристаллическая область отделена от первой поверхности раздела, которая является поверхностью раздела между слоем оксида и изолирующей затвор пленкой, расстоянием в 1/2 или менее толщины активного слоя и находится в пределах 300 нм от поверхности раздела между активным слоем и изолирующей затвор пленкой или находится в точечном состоянии в контакте с этой поверхностью раздела. Изобретение обеспечивает получение полевого транзистора с высокой дрейфовой подвижностью. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил.

Изобретение относится к аморфному оксиду, применяемому в активном слое полевого транзистора. Сущность изобретения: аморфный оксид, содержащий по меньшей мере один микрокристалл и имеющий концентрацию электронных носителей в пределах от 10¹² /см³ до 10¹⁸/см³, содержит, по меньшей мере, один элемент, выбранный из группы, состоящей из In, Zn и Sn, и граница раздела зерен упомянутого по меньшей мере одного микрокристалла покрыта аморфной структурой. Техническим результатом изобретения является получение аморфного оксида, который функционирует как полупроводник для использования его в активном слое тонкопленочного транзистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем электрод истока, электрод стока, изолятор затвора, электрод затвора и активный слой, активный слой содержит аморфный оксид, в котором концентрация электронных носителей ниже 10 ¹⁸/см³ и в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей. По меньшей мере, один из электрода истока, электрода стока и электрода затвора является прозрачным для видимого света, при этом ток, протекающий между электродом истока и электродом стока, если к электроду затвора не приложено напряжение, не превышает 10 микроампер. Транзисторы согласно изобретению обладают улучшенными характеристиками в отношении, по меньшей мере, одного из свойств: прозрачность, электрические свойства тонкопленочного транзистора, свойства пленки, изолирующей затвор, предотвращение тока утечки и адгезивность между активным слоем и подложкой. 9 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.

Использование: наноэлектроника и микроэлектроника, в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах в качестве быстродействующих усилителей для средств широкополосной цифровой мобильной связи, а также для построения микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в полевом нанотранзисторе, содержащем слой полупроводникового материала, в котором выполнен проводящий канал, слой тонкого диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводникового материала, затвор, выполненный на поверхности тонкого диэлектрика, контакты сток, исток, слой полупроводникового материала расположен на слое нижнего диэлектрика, выполненного на полупроводниковой подложке, являющейся нижним затвором, проводящий канал наноструктурирован в виде периодической решетки квантовых проволок, слой тонкого диэлектрика обхватывает каждую квантовую проволоку проводящего канала с трех сторон, а затвор выполнен в виде металлической полоски нанометровой ширины и обхватывает каждую квантовую проволоку проводящего канала с трех сторон, причем тонкий диэлектрик содержит окна, в которых выполнены металлические контакты сток и исток, подсоединенные к каналу. В качестве полупроводникового материала может быть использован кремний. В качестве диэлектрика может быть использована термическая двуокись кремния. В качестве полупроводниковой подложки может быть использована подложка из кремния. Технический результат: повышение степени интеграции, уменьшение размеров полевого нанотранзистора, исключение короткоканальных эффектов при работе полевого нанотранзистора, повышение крутизны и радиационной стойкости полевого нанотранзистора, повышение экологичности производства. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.