Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки – H01L 29/15

Изобретение относится к области физики полупроводников, в частности к полупроводниковым наноструктурам, и может быть использовано при создании альтернативных источников энергии. Технический результат - создание альтернативных источников энергии с КПД преобразования световой энергии в электрическую, превышающим 31%. Сущность изобретения: фотоактивный элемент содержит два планарных электрода, один из которых прозрачный, и расположенный между ними фотоактивный слой, который выполнен в виде нейтрального полимерного слоя с внедренными в него гетерогенными полупроводниковыми нанотетраподами, ориентированными таким образом, что три их конца контактируют с прозрачным электродом, а четвертый контактирует с непрозрачным электродом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Использование: Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам электронной техники с квантовыми потенциальными ямами и может быть использовано в микроэлектронике, нанотехнологии и оптоэлектронике. Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия и снижение трудоемкости изготовления. Сущность изобретения: тонкопленочный оксидированный нанокристаллический кремний, содержащий в запрещенной зоне примесный уровень с энергией 0,14 эВ от дна зоны проводимости кремния, позволяет при воздействии приложенного электрического потенциала или электромагнитного излучения получить высокочастотные осцилляции электрического или оптического сигналов с частотой более 34 ГГц. 2 ил.