Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером – H01L 29/92

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при разработке варикапов на основе системы металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), предназначенных для управления частотой и фазой переменного сигнала в радиотехнических устройствах ВЧ и СВЧ диапазона. Изобретение обеспечивает возможность использования варикапа в качестве емкостного ключа. Сущность изобретения: в варикапе на основе системы МДП, содержащем полупроводник электронной проводимости, диэлектрик, управляющий электрод и узел стока неосновных носителей с p-n-переходом, область дырочной проводимости p-n-перехода узла стока неосновных носителей имеет глубину, равную толщине полупроводника, и выполнена в виде цилиндрического слоя, внутри которого расположена часть исходного полупроводника электронной проводимости, соединенная с управляющим электродом. 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при разработке МДП-варикапов, предназначенных для устройств ВЧ и СВЧ диапазона для управления частотой и фазой переменного сигнала; направлено на увеличение предельного допустимого управляющего напряжения и на повышение стабильности минимального значения емкости прибора. Сущность изобретения: МДП-варикап содержит полупроводник, имеющий толщину меньше ширины области пространственного заряда, диэлектрик, управляющий электрод, узел стока неосновных носителей с p-n-переходом и контакт к полупроводнику. Под контактом к полупроводнику в области локализации элементов узла стока сформирован слой вспомогательного диэлектрика. Эффективность предложения обеспечивается тем, что МДП-варикап предлагаемой конструкции может быть использован в качестве как настроечного, так и в качестве переключательного элемента в широком классе устройств ВЧ и СВЧ диапазона. 2 ил.

Изобретение относится к области твердотельной микро- и наноэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание простым и технологичным путем широкого спектра твердотельных суперконденсаторов как основы гибридных устройств без внешних источников питания, функционирующих за счет накопленного в суперконденсаторе электрического заряда. Сущность изобретения: в суперконденсаторе, состоящем из подложки из диэлектрического материала или высокоомного полупроводника, на которой последовательно расположены слой металла, который имеет структурно сопряженную когерентную границу со следующим слоем суперионного проводника, и верхний электрод из проводящего материала, который также имеет структурно сопряженную когерентную границу со слоем суперионного проводника, новым является то, что верхний электрод выполнен из материала, обеспечивающего формирование барьера Шоттки с односторонней проводимостью на границе с предыдущим слоем. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.