Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .полупроводниковые подложки – H01L 29/02

Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики. Изобретение позволяет получить полупроводниковые приборы для безопасных электронных элементов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем кристалл со структурно интегрированными пассивными и активными компонентами, полевой транзистор с обеднением канала, диод сток-подложка и высокоомный резистор интегрированы в структуру кристалла так, что обрыв электрических соединений его внутренних компонентов является невозможной неисправностью. В другом варианте полупроводникового прибора для безопасного электронного элемента, по крайней мере, одной контактной площадке кристалла соответствуют два внешних вывода полупроводникового прибора, каждый из которых связан с контактной площадкой кристалла несоприкасающимися друг с другом перемычками. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.