ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: .....с выключением приборов по управляющему электроду – H01L 29/744

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/744 .....с выключением приборов по управляющему электроду

Патенты в данной категории

СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к силовому полупроводниковому приборостроению и может использоваться при создании мощных полностью управляемых гибридных ключей. Техническим результатом изобретения является создание мощного гибридного ключа на силовом запираемом тиристоре с каскодным МОП-драйвером в одном таблеточном корпусе. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом приборе, содержащем силовой запираемый тиристор и каскодный МОП-драйвер, кристаллы силового запираемого тиристора и МОП-транзисторов помещены в один таблеточный корпус, а в качестве теплопроводящих электроизолирующих слоев используются нанокристаллические алмазные пленки, получаемые газофазным синтезом или плазменно-газофазным синтезом. В качестве МОП-транзисторов могут использоваться группы параллельно соединенных кристаллов, равномерно расположенных вокруг кристалла запираемого тиристора. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

2420830
патент выдан:
опубликован: 10.06.2011
Наверх