Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...биполярные приборы – H01L 29/70

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов первого типа проводимости, формирование области затвора, формирование охранной области, формирование области затвора в уже сформированной охранной области, формирование затворной области диффундированием реагента первого типа проводимости, формирование окон второго типа проводимости, формирование истоковой области, нанесение третьего слоя фоторезиста, формирование омических контактов к истоковой области, особое напыление нескольких слоев металлов на обратную сторону пластины, а также другие операции способа, позволяющие изготовить БСИТ-транзистор с охранными кольцами. Технический результат: получены БСИТ-транзисторы с повышенным значением пробивного напряжения. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, а для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в виде тепла или излучения, а если с приобретением энергии, то теплота поглощается на этом переходе. Использование представленного устройства позволит уменьшить тепловыделения биполярных транзисторов, повысить эффективность теплопередачи, уменьшить габариты теплоотвода и тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет увеличить величину полезной мощности на единицу площади полупроводниковой структуры. Сущность изобретения: в мощной полупроводниковой структуре, содержащей ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме трапеций с параллельными высотами, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций, по крайней мере, часть ряда вышеуказанных областей второго типа проводимости выполнены в форме непрямоугольных параллелограммов, стороны которых параллельны смежным сторонам соседних областей второго типа проводимости, из которых как минимум одна не является параллелограммом. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: мощная полупроводниковая структура содержит ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме вписанных в прямоугольники трапеций с параллельными высотами и монотонным убыванием ширины каждой от большого основания к малому, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций. По крайней мере, в части ряда верхние и нижние основания трапеций у края полосы чередуются, что приводит к увеличению расстояний между их наиболее разогретыми участками и снижению максимума температуры структуры. 1 ил.

Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p -N переход, электрические контакты для подачи потенциалов и охранные кольца, расположенные в области периметра р -слоя планарного р -N перехода и выполненные в виде кольцевых канавок, вытравленных в диффузионном р -слое. Глубина, ширина канавок и их суммарная ширина удовлетворяют определенным соотношениям. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и уменьшение площади, занимаемой охранными кольцами высоковольтного полупроводникового прибора с кремниевым диффузионным планарным p -N переходом. 1 ил.

Использование: в полупроводниковой электронике. Техническим результатом изобретения является повышение отношения выходной мощности к площади полупроводниковой структуры с неравномерным распределением протяженности ее активной области в направлении, перпендикулярном продольной оси структуры. Сущность изобретения: изменение общей ширины активной области мощной полупроводниковой структуры осуществлено за счет исключения ее фрагментов из области с наихудшими условиями отвода тепла. Уменьшение таким образом площади активной области с избытком компенсируется более значительным увеличением площади ее участков с относительно лучшими условиями отвода тепла без превышения максимальной рабочей температуры полупроводниковой структуры. 2 ил.