Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) – H01L 29/49
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 29/00 Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер; конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них
H01L 29/49 ...электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник)
Патенты в данной категории
| ЭЛЕМЕНТ УСТРОЙСТВА ПАМЯТИ СО СТРУКТУРОЙ МЕТАЛЛ - ИЗОЛЯТОР - МЕТАЛЛ Использование: устройства памяти, реализуемые с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: элемент устройства памяти включает два металлических электрода, разделенных электроизолирующим зазором, и частицы углеродистой фазы в зазоре, размещенные в среде, содержащей органическое вещество. В структуре обеспечен доступ молекул органического вещества к зазору. Зазор выполнен в виде промежутка, не содержащего частиц металла, причем его ширина находится в интервале 2 - 100 нм. Металлические электроды могут разделяться слоем твердого диэлектрика, образуя слоистую структуру, тогда торец слоя диэлектрика открыт для доступа молекул органического вещества, а толщина слоя диэлектрика задает ширину зазора. 1 з. п. ф-лы, 4 ил. | 2072591 патент выдан: опубликован: 27.01.1997 |
|