Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП) – C23C 16/00

Группа изобретений относится к способу нанесения покрытия на бритвенное лезвие, бритвенному лезвию (варианты) и способу нанесения покрытия на деталь бритвенного прибора. Способ нанесения покрытия на бритвенное лезвие включает нанесение в вакуумной камере на по меньшей мере одно лезвие бритвы по меньшей мере одного покрытия из по меньшей мере одного материала с использованием процесса атомно-слоевого осаждения. Причем упомянутым по меньшей мере одним покрытием покрывают полностью поверхность по меньшей мере одной боковой стороны режущей части лезвия и по меньшей мере часть поверхности тела лезвия упомянутого по меньшей мере одного лезвия. Затем производят направленное травление упомянутого по меньшей мере одного покрытия. Изобретение обеспечивает получение конформного равномерного покрытия бритвенного лезвия. Для улучшения характеристик бритья покрытие на бритвенном лезвии может быть подвергнуто травлению во время процесса осаждения, после него или и во время процесса осаждения, и после него. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к скользящему элементу, в частности поршневому кольцу с покрытием по меньшей мере на одной поверхности скольжения, которое в направлении изнутри наружу содержит адгезионный слой (10), металлосодержащий, предпочтительно содержащий вольфрам, DLC-слой (12) и не содержащий металла DLC-слой (14). Толщина не содержащего металла DLC-слоя имеет отношение от 0,7 до 1,5 к толщине металлосодержащего DLC-слоя и/или отношение от 0,4 до 0,6 к полной толщине покрытия, при этом полная толщина покрытия составляет от 5 мкм до 40 мкм. Обеспечивается улучшенный скользящий элемент в отношении комбинации коэффициента трения и характеристик износа. 7 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.

Группа изобретений относится к полупроводниковым материалам. Способ (вариант 1) включает обеспечение реакционной камеры, обеспечение полупроводниковой подложки, обеспечение прекурсорного газа или газов, выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на подложке в реакционной камере для формирования первого слоя, продувку реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген, с обеспечением уменьшения эффекта памяти легирующей примеси без удаления сопутствующего осажденного слоя из зоны реакции и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в реакционной камере для формирования второго слоя. Полупроводниковое устройство содержит полупроводниковый материал, полученный упомянутым способом. Способ (вариант 2) включает введение новой полупроводниковой подложки в указанную реакционную камеру после выполнения указанного процесса продувки и выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной новой полупроводниковой подложке. Обеспечивается воспроизводимость электрических свойств при выращивании полупроводниковых материалов. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в авиационном и энергетическом турбостроении. Осуществляют последовательное осаждение слоев хрома и алюминия с последующим высокотемпературным отжигом в вакууме при температуре 1050±5°С, остаточном давлении 1,3(10^-1-10 ^-3) Па в течение 2-5 часов. Осаждение из газовой фазы слоев хрома выполняют при термическом разложении гексакарбонила хрома Cr(СО)₆, а слоев алюминия - при термическом разложении триметилалюминия Al(СН₃)₃. При осаждении хрома гексакарбонил хрома Cr(CO)₆ нагревают до температуры 110-120°С, в зоне осаждения устанавливают температуру 400-450°С, слой хрома формируют в течение не менее 2-3 часов. При осаждении алюминия триметилалюминий Al(CH₃)₃ нагревают до температуры 100-110°С, в зоне осаждения устанавливают температуру 300-350°С, слой алюминия формируют в течение не менее 5-6 часов. Указанное устройство содержит реакционную камеру, установленную внутри вакуумной камеры и разделенную теплоизолирующей вакуумноплотной перегородкой на предварительную зону и зону осаждения, имеющие разные температурные поля. Нагреваемые контейнеры для размещения упомянутых источников материала покрытия установлены вне вакуумной камеры и соединены с помощью прогреваемых транспортных систем и прогреваемых клапанов с входом в предварительную зону реакционной камеры. Для создания температурного поля использованы нагревательная система и формирующие температурное поле экраны, размещенные в зоне осаждения реакционной камеры.Обеспечивается повышение качества покрытия в отношении прочности и сцепления с материалом турбинной лопатки при повышенных параметрах эксплуатации газотурбинного двигателя. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области производства конструкционных материалов, работающих в условиях высокого теплового нагружения и окислительной среды, в установке для силицирования паро-жидкофазным методом. Между частями реторты установки для силицирования в местах расположения стыков со стороны ее наружной поверхности формируют плавкий затвор. Плавкий затвор формируют в торцевом углублении, а в качестве материала плавкого затвора используют: Si₃N₄-Si или Ti₃SiC₅ -Ti Si₂-Si, или TiSi₂-Si. Указанные материалы получают путем пропитки установленных или сформированных на дне кольцевого углубления с перекрытием стыка пористых заготовок на основе Si₃N₄ или смеси TiC и Ti, или Ti расплавом кремния или его сплавами с Cu и Al. Достигается повышение стабильно высоких результатов по степени и равномерности силицирования при сохранении высокого ресурса работы реторт и устройства для силицирования в целом. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот. Загрузочный робот включает захватную часть и устройство перемещения, при этом загрузочный робот выполнен с возможностью осуществления нескольких операций загрузки для загрузки каждого из реакторов ALD. Каждая операция загрузки включает подхват захватной частью в зоне или на полке складирования держателя подложек c партией подложек, перемещение устройством перемещения держателя подложек с партией подложек в реакционную камеру соответствующего реактора ALD и опускание упомянутого держателя подложек вертикально сверху в соответствующую реакционную камеру. Повышается автоматизация устройства и его производительность. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к покрывающему элементу для защиты от эрозии при контакте с расплавленным алюминием субстрата из материала на основе железа, титанового материала или сверхтвердого материала. Покрывающий элемент содержит нижний слой в виде Cr металлической пленки, b слой - в виде CrN пленки, промежуточный слой и верхний а слой - в виде TiSiN пленки, причем промежуточный слой выполнен из слоистых пленок, состоящих из TiSiN пленок а слоя и CrN пленок b слоя, поочередно нанесенных на поверхность друг друга так, что пленки одинакового типа не перекрываются. Обеспечивается защита от эрозии с помощью покрывающего элемента, который обладает высокой сопротивляемостью к эрозии, резистентен к повторяющимся термическим шокам, имеет продолжительное время жизни и имеет специфичный цвет, позволяющий визуально контролировать деградацию поверхностного слоя. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области получения графитовых материалов и может быть использовано в химической технологии, атомной и электронной технике. Осуществляют осаждение пироуглерода на топливные частицы путем подачи в зону осаждения смеси углеводорода и инертного газа в течение времени , увеличения суммарного расхода газовой смеси в 1,1-1,4 раза по сравнению с исходным значением. В момент времени, равный _х=(0,45 -0,55 ), подачу углеводорода прекращают на 1-3 с, а для обеспечения оптимального режима псевдоожижения топливных частиц увеличивают расход инертного газа на величину, равную произведению расхода углеводорода в момент времени _х и отношения молекулярных масс углеводорода и инертного газа. Обеспечивается снижение коэффициента анизотропии осажденного из пироуглерода покрытия. 4 пр.

Изобретение относится к технологии производства синтетического алмазного материала, который может быть использован в электронных устройствах. Алмазный материал содержит одиночный замещающий азот в концентрации более примерно 0,5 ч/млн и имеющий такое полное интегральное поглощение в видимой области от 350 нм до 750 нм, что по меньшей мере примерно 35% поглощения приписывается . Алмазный материал получают путем химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) на подложку в среде синтеза, содержащей азот в атомной концентрации от примерно 0,4 ч/млн до примерно 50 ч/млн, при этом газ-источник содержит: атомную долю водорода, H_f, от примерно 0,40 до примерно 0,75; атомную долю углерода, C_f, от примерно 0,15 до примерно 0,30; атомную долю кислорода, O_f, от примерно 0,13 до примерно 0,40; причем H_f+C_f+O_f =1; отношение атомной доли углерода к атомной доле кислорода, C_f:O_f, удовлетворяет соотношению примерно 0,45:1<C_f:O_f< примерно 1,25:1; а газ-источник содержит атомы водорода, добавленные в виде молекул водорода, Н₂, при атомной доле общего числа присутствующих атомов водорода, кислорода и углерода между 0,05 и 0,40; при этом атомные доли H_f, C_f и O_f представляют собой доли от общего числа атомов водорода, кислорода и углерода, присутствующих в газе-источнике. Изобретение позволяет получать алмазный материал с относительно высоким содержанием азота, который равномерно распределен, и который свободен от других дефектов, что обеспечивает его электронные свойства. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 пр.

Изобретение относится к получению покрытий методом химического осаждения из газовой фазы, а именно к получению защитных покрытий из хрома и его сплавов. Способ нанесения износостойкого металлического покрытия на основе хрома включает подачу парогазовой смеси, содержащей бис-ареновое соединение хрома и летучее соединение олова к поверхности нагретого изделия в вакууме, при этом в качестве летучего соединения олова используют 0,1-1,0% тетрахлорида олова, а процесс проводят при температуре нагретого изделия от 350 до 400^°С. Износостойкое металлическое покрытие на основе хрома содержит модифицирующую добавку олова, имеет многослойную структуру из последовательно расположенных слоев на основе хрома с модифицирующей добавкой олова, обогащенных и обедненных углеродом. В обедненных углеродом слоях содержится 0,5-5,0% углерода, а в обогащенных углеродом слоях - 6,0-12,0%. Обеспечивается повышенная износостойкость покрытий, что позволяет улучшить трибологические характеристики деталей двигателей. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к способу предварительной обработки вспомогательных поверхностей установки для нанесения покрытий. Вспомогательные поверхности установки для нанесения покрытий еще перед процессом нанесения покрытия подвергают предварительной обработке путем нанесения на вышеуказанные вспомогательные поверхности антиадгезионного слоя, в качестве которого используют суспензию графитового порошка в легколетучем растворителе. При последующем процессе нанесения покрытия сцепление материала покрытия на вспомогательных поверхностях существенно снижается по сравнению с его сцеплением без предварительной обработки. Технический результат - упрощение способа очистки установки для нанесения покрытий после процесса нанесения покрытия. 2 н. и 2 з. п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на металлический тигель. Техническим результатом изобретения является снижение открытой пористости покрытия. Способ нанесения покрытия на стальные сектора тигля для стеклования включает нанесение на сталь секторов плазменным напылением смесь из стекла и керамики с последующей термической обработкой покрытия при температуре от 650°С до 850°С. При этом смесь содержит стекло с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 650°С в количестве от 50 мас.% до 70 мас.% и керамику в количестве от 30 мас.% до 50 мас.%. 9 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области высоковольтной техники, к силовым полупроводниковым устройствам и, в частности, к способу и устройству для одностадийного двустороннего нанесения слоя покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на поверхность кремниевой пластины, а также к держателю подложки для поддержки кремниевой пластины. Используют кремниевую пластину (4), содержащую первую большую сторону с первым скосом по кромке первой большой стороны и вторую большую сторону с центральным участком и вторым скосом по кромке второй большой стороны, окружающей центральный участок, причем вторая большая сторона противоположна первой большой стороне, помещают кремниевую пластину (4) на опору (31) для подложки держателя (3) подложки, причем опору (31) для подложки выполняют с возможностью обеспечения контакта лишь центрального участка второй большой стороны пластины (4) с опорой (31) для подложки. Затем помещают держатель подложки с пластиной (4) в реакционную камеру (8) плазменного реактора, в которой на первый и второй скосы одновременно воздействуют плазмой (6), для получения осажденного слоя (7) из аморфного гидрогенизированного углерода. Обеспечивается возможность одностадийного двухстороннего нанесения пассивирующего слоя, обеспечивающего электрическую неактивность участка полупроводниковой пластины. 3 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу и устройству нанесения тонкопленочных покрытий на подложки и может быть использовано для нанесений тонкопленочных покрытий с заданными оптическими, электрическими и другими характеристиками. Технический результат заключается в обеспечении возможности обработки как гибких крупноформатных подложек, так и подложек небольшого размера с высокой степенью равномерности покрытия. Подложки располагают на вращающихся барабанах, которые последовательно перемещают вдоль зон обработки технологической линии с одинаковой постоянной линейной и угловой скоростью. При этом соотношение линейной и угловой скоростей барабана выбирается таким образом, чтобы каждая точка поверхности барабана совершала не менее двух полных оборотов при прохождении зоны обработки. В технологической линии содержатся шлюзовые, буферные камеры и по крайней мере одна технологическая камера с технологическим устройством, держатели подложек и транспортная система. Держатели расположены на каретках, установленных с возможностью последовательного прохождения камер. Каждый держатель подложек выполнен в виде вращающегося барабана. Каретки выполнены с возможностью перемещения с постоянной линейной скоростью. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области порошковой металлургии и, в частности, к устройствам для нанесения металлопокрытий методом химического осаждения металлов из газовой фазы, преимущественно разложением карбонилов металлов покрытия в условиях термоциклирования покрываемых изделий. Устройство для нанесения покрытий на малогабаритные изделия содержит выполненный с возможностью качания в вертикальной плоскости реактор с цилиндрическим корпусом, на одном конце которого установлена крышка с патрубком и нагреватель, а на другом конце - термостатирующий кожух с патрубком, внутри реактора установлена рифленая линейка длинной стороной вдоль образующей цилиндрического корпуса. Устройство снабжено плоской пластинчатой пружиной изгиба, жестко соединенной с рифленой линейкой и выполненной с консольными концевыми участками, выступающими за пределы линейки по ее ширине с возможностью прижатия к внутренней поверхности цилиндрического корпуса. Обеспечивается многократное использование устройства для нанесения покрытий на малогабаритные изделия различной формы за счет возможности быстрой и легкой замены рифленой линейки.3 ил.

Изобретение относится к производству углеродных материалов, а именно к технологии получения углеродных материалов осаждением из газовой фазы пироуглерода с трехмерно ориентированной структурой на углеродном изделии, и может быть использовано для восстановления фрикционного износа углеродных изделий. Осуществляют пиролиз газообразных углеводородов и осаждение из газовой фазы на нагретую поверхность углеродного изделия. В качестве углеводородов для пиролиза используют природный газ, осаждение осуществляют при температуре 1200-1300°C, при циклически изменяющемся в диапазоне от 0,1 кг/см² до 1,05 кг/см² абсолютном давлении природного газа, при этом время напуска и откачки задают в диапазонах 0,5-5 секунд и 1-10 секунд соответственно. Обеспечивается восстановление фрикционного износа углеродных изделий за счет увеличения толщины осаждаемого покрытия. 1 пр.

Изобретение относится к устройству и способу для химического осаждения материала последовательными поверхностными реакциями насыщения (варианты). Источник исходного продукта выполнен с возможностью осаждения материала на нагретую подложку в реакторе осаждения последовательными насыщающимися поверхностными реакциями. Линия подачи предназначена для подачи пара исходного продукта из источника исходного продукта в реакционную камеру. Устройство отвода тепла от нагревателя реакционной камеры предназначено для предотвращения конденсации пара исходного продукта в жидкую или твердую фазу между источником исходного продукта и реакционной камерой. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 22 ил., 3 пр.

Изобретение относится к химической промышленности и предназначено для реакторов осаждения. Пары (101) прекурсора подаются через крышку реакционной камеры по подающей линии (141, 142) в реакционную камеру реактора осаждения (110). Устанавливается вертикальный поток паров прекурсора, который вводится в вертикальном направлении сверху вниз в промежутки между вертикально расположенными подложками (170). Материал осаждается на поверхностях партии вертикально расположенных подложек (170). Изобретение позволяет повысить производительность и сократить среднее время между операциями обслуживания. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к способу осаждения одного или нескольких тонких слоев. Осуществляют введение органического материала для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующего полимер технологического газа вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7 ) субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4 ) держателя подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3), осадить тонкий слой из компонентов светоизлучающих диодов или в виде полимера. Перед введением в осадительную камеру (8) упомянутых материалов осуществляют термостатирование газовпускного устройства (3) и/или несущей поверхности (4 ) держателя подложки так, что температура (TS) несущей поверхности (4 ) держателя подложки ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Проводят стабилизацию температуры субстрата (7) при давлении (Р1) более 100 Па в осадительной камере (8) путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая выше температуры (TS) несущей поверхности (4 ) держателя подложки, но ниже температуры (TG) газовпускного устройства (3). Затем давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2). При достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают органический материал для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующий полимер технологический газ, транспортируемый посредством газа носителя. Обеспечивается нанесение покрытия при температуре субстрата, превышающей температуру несущей поверхности держателя подложки. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.

Группа изобретений относится к нанесению покрытий. Устройство для осаждения латерально структурированных слоев на субстрат посредством теневой маски, поверхностно наложенной на предназначенную для нанесения покрытия поверхность субстрата, включает держатель субстрата. Держатель субстрата имеет первые магнитные зоны, предназначенные для магнитного притяжения соответствующих этим первым магнитным зонам вторых магнитных зон теневой маски. Первые магнитные зоны выполнены с возможностью приведения в активное положение с притяжением вторых магнитных зон к поверхности субстрата и с возможностью приведения в неактивное положение для наложения или снятия теневой маски. Причем первые магнитные зоны образованы расположенными в выемках контактной поверхности держателя субстрата, в частности постоянными магнитными элементами, которые по месторасположению соответствуют вторым магнитным зонам. Теневая маска включает расположенные в виде сетки перемычки из магнитного материала, контактная поверхность которых переходит в вогнутую или наклонную боковую поверхность перемычек. Обеспечивается наложение маски на поверхность субстрата без зазоров. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к элементу для резания, покрытому твердым материалом и имеющему несколько слоев, нанесенных методом химического парофазного осаждения. Внешний слой содержит Ti _1-xAl_xN, Ti_1-xAl_xC и/или Ti_1-xAl_xCN, где 0,65 x 0,9, предпочтительно 0,7 x 0,9. Упомянутый слой имеет сжимающие напряжения в диапазоне от 100 до 1100 МПа, предпочтительно от 400 до 800 МПа. Под внешним слоем расположен слой TiCN или Аl₂О₃. Элемент для резания имеет улучшенное тепловое сопротивление и прочность при циклических нагрузках. 6 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую пленку на монокристаллической подложке кремния выращивают методом химического осаждения из газовой фазы. Проводят синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем формирования переходного слоя между подложкой и пленкой карбида кремния со скоростью не более 100 нм/ч при нагреве упомянутой подложки до температуры от 700 до 1050°C с использованием газовой смеси, содержащей 95-99% водорода и в качестве источников кремния и углерода SiH₄, C₂H₆, С₃ Н₈, (CH₃)₃SiCl, (CH₃ )₂SiCl₂, при этом C/Si 2, и формирования монокристаллической пленки карбида кремния с помощью подачи в реактор парогазовой смеси водорода и CH ₃SiCl₃ при поддержании в реакторе абсолютного давления в диапазоне от 50 до 100 мм рт.ст. В качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градусов и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градусов. Обеспечивается улучшение совместимости двух материалов слоя карбида кремния и подложки кремния с различным периодом кристаллических решеток, при этом понижаются механические напряжения в гетероструктуре и получаются более низкие плотности дефектов в слое карбида кремния. 6 н.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к получению поликристаллического кремния. Реактор для химического осаждения поликристаллического кремния включает реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, соединенный с опорной плитой для формирования камеры осаждения, по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, источник электрического тока для подведения тока к по меньшей мере одному накальному элементу, источник кремнийсодержащего газа, соединенный с реакционной камерой для создания потока кремнийсодержащего газа через реакционную камеру и вертикальную трубу, соединенную с источником кремнийсодержащего газа, для ввода потока кремнийсодержащего газа в реакционную камеру. Вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений поликристаллического кремния в реакционной камере. Обеспечивается улучшение течения газа во всем объеме реакционной камеры, что позволяет повысить выход поликристаллического кремния, улучшается качество поликристаллического кремния и снижается потребление энергии. 3 н. и 19 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака. Изобретение позволяет эффективно производить высококачественный поликристаллический кремний. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Группа изобретений может быть использована при изучении физики плазмы высоких плотностей энергии, в микроэлектронике, в газовой диагностике и ядерной энергетике. Способ включает создание заданной газовой среды, нагрев подложки, подачу металлоорганического соединения к подложке, его разложение с формированием слоя вольфрама на подложке и удаление продуктов разложения. Подачу металлоорганического соединения осуществляют по центру вращающейся подложки в среде сопутствующего газа и меняют направление вращения подложки при формировании слоев. Подвод, разложение металлоорганического соединения и удаление продуктов разложения производят циклически. Устройство содержит реактор с герметичным корпусом, размещенные в реакторе электрическую печь и подложку, сопряженные с реактором систему создания и поддержания необходимой газовой среды, систему создания и поддержания заданного давления и систему подачи металлоорганического соединения. Система подачи металлоорганического соединения размещена напротив подложки для его подачи по центру подложки и снабжена системой подачи сопутствующего газа. Изобретение обеспечивает получение вольфрамовых слоев с высокой степенью чистоты толщиной от сотен нанометров до десятков микрон с гомогенной наноразмерной структурой. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл., 9 пр.

Производственная установка и электрод для использования с производственной установкой предназначены для осаждения материала на несущую подложку. Несущая подложка имеет первый конец и второй конец, находящиеся на расстоянии друг от друга. На каждом конце несущей подложки расположено контактное гнездо. Производственная установка включает в себя корпус, который образует камеру. По меньшей мере один электрод расположен проходящим через корпус, причем этот электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом. Электрод имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, которая приспособлена контактировать с контактным гнездом. На внешней поверхности электрода, вне области контакта, расположено внешнее покрытие. Внешнее покрытие имеет электропроводность по меньшей мере 9×10⁶ Сименс/метр и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, который основан на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. Изобретение обеспечивает замедление зарастания электрода и увеличение его полезного срока службы. 2 н. и 26 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к производственной установке для осаждения материала на несущую подложку и к электроду для использования с такой производственной установкой. Несущая подложка имеет находящиеся на расстоянии друг от друга первый конец и второй конец. На каждом конце несущей подложки расположено контактное гнездо. Производственная установка включает в себя корпус, который образует камеру. По меньшей мере один электрод расположен проходящим через корпус, причем электрод по меньшей мере частично расположен внутри камеры для соединения с контактным гнездом. Электрод имеет внешнюю поверхность, имеющую область контакта, которая приспособлена контактировать с контактным гнездом. На области контакта внешней поверхности электрода расположено покрытие области контакта. Покрытие области контакта имеет электропроводность по меньшей мере 9×10⁶ Сименс/метр и сопротивление коррозии большее, чем у серебра в ряду электродных потенциалов, который основан на использовании морской воды комнатной температуры в качестве электролита. Изобретение позволяет уменьшить проблему зарастания электрода и увеличить производительность и срок службы электрода. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано для получения нанопорошков плазмохимическим методом. Композиционный нанопорошок включает частицы, состоящие из ядра, состоящего из слоев карбонитрида титана и нитрида титана, и оболочки, состоящей из слоя никеля, при следующем соотношении слоев ядра и оболочки, мас.%: TiC_xN_y, где 0,28 x 0,70; 0,27 y 0,63; - 24-66; TiN₀,₆ - 30-67; Ni - 4-9. Способ включает подачу прекурсора, содержащего никелид титана и карбид титана, в камеру испарителя-реактора, обработку в потоке азотной плазмы при скорости потока плазмы 60-100 м/сек и при скорости подачи прекурсора 100-140 г/час, последующее охлаждение в потоке азота и улавливание продукта испарения на поверхности фильтра. Прекурсор содержит указанные компоненты при следующем соотношении TiNi:TiC=25-50:50-75. Получается нанокомпозиционный порошок, обеспечивающий получение твердых сплавов более высокой твердости. 2 н.п. ф-лы, 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к производству инструментов, режущая поверхность которых покрывается специальными покрытиями, повышающими характеристики резания. Способ нанесения покрытия на по крайней мере часть режущего инструмента в виде режущей вставки включает осаждение на основу инструмента из газа по меньшей мере одного слоя карбонитрида титана. Осаждение начинают при температуре основы, равной 850-950°С, после чего температуру основы повышают по меньшей мере на 40°С и продолжают осаждение по крайней мере в течение заданного времени при повышенной температуре. Слой карбонитрида титана осаждают из газа, содержащего метал, азот и тетрахлорид титана. Содержание газа осаждения берут в составе 1 части в молях метана, от 8 до 11 частей в молях азота и от 15 до 25 частей в молях водорода. В состав газа дополнительно включают от 1 до 8 объемных процентов тетрахлорида титана. Режущий инструмент или режущая вставка имеют покрытие, выполненное с по меньшей мере одним слоем карбонитрида титана, имеющим нанокомпозитную структуру, образованную из кристаллов с неоднородным распределением химических элементов, при этом кристаллы по своему химическому составу в центре и приграничной зоне имеют различное содержание углерода и азота. Получается режущий инструмент со слоем карбонитрида металла, на который могут осаждаться дополнительные слои с высокой прочностью сцепления и который имеет высокую износостойкость. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.

Изобретение относится к элементу для резания, имеющему несколько слоев, нанесенных методом химического парофазного осаждения. На упомянутый элемент нанесен слой Ti_1-xAl_x N и/или Ti_1-xAl_xC, и/или Ti_1-x Al_xCN, где x находится в диапазоне от 0,65 до 0,95, на который нанесен слой Al₂O₃ в виде внешнего слоя. Получается элемент, обладающий покрытием с лучшим термоизоляционным эффектом в отношении теплопереноса. 7 з.п. ф-лы.