Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...силициды – C23C 16/42

МПКРаздел CC23C23CC23C 16/00C23C 16/42
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C23C Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
C23C 16/00 Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
C23C 16/42 ...силициды

Патенты в данной категории

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И СПОСОБ МОНИТОРИНГА ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК

Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства. Газовую смесь, содержащую газообразный мономер и окисляющий реакционный газ, превращают в плазму при изменении соотношения величины потока газообразного мономера к величине потока реакционного газа таким образом, что указанное соотношение лежит в установленном диапазоне более 0 до 0,05. Это позволяет стабильно без отклонений формировать тонкие пленки, обладающие защитными свойствами по отношению к газам. В процессе образования тонкой пленки определяют, сформирована ли тонкая пленка, обладающая желаемым качеством поверхности, при помощи измерения интенсивностей альфа линии водорода и излучения кислорода, которые испускаются плазмой в ходе формирования тонкой пленки. Сравнивают измеренные значения с соответствующими эталонными интенсивностями, при которых были получены тонкие пленки, обладающие желаемым качеством слоя. Для способов формирования и мониторинга разработаны также соответствующие устройства. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 табл.

2324765
патент выдан:
опубликован: 20.05.2008
Наверх