Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..управление или регулирование способа покрытия – C23C 16/52

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака. Изобретение позволяет эффективно производить высококачественный поликристаллический кремний. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. Способ включает нагрев множества кремниевых стержней-затравок, помещенных в реакционную печь, с последующим осаждением на поверхностях кремниевых стержней-затравок поликристаллического кремния с помощью сырьевого газа, испускаемого из газовыпускных отверстий, расположенных во внутренней нижней части реакционной печи. Способ включает этап стабилизации осадка, на котором скорость испускания сырьевого газа из газовыпускных отверстий плавно повышают на первой стадии осаждения поликристаллического кремния, при этом 5-15% газовыпускных отверстий закрыто; этап придания формы, на котором первую скорость испускания повышают при скорости повышения более высокой, чем скорость повышения на этапе стабилизации, а затем скорость испускания плавно повышают при скорости, более низкой, чем скорость повышения; при этом длительность, требуемая для этапа придания формы, соответствует 20-35% от общей продолжительности осаждения поликристаллического кремния и 30-55% газовыпускных отверстий закрыто; и этап роста, на котором после этапа придания формы скорость испускания сырьевого газа снижают за счет уменьшения количества закрытых газовыпускных отверстий по сравнению с этапом придания формы. Изобретение позволяет получать большее количество высококачественного поликристаллического кремния, имеющего гладкую морфологию поверхности путем эффективного предохранения поверхности кремниевых стержней от деформации. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Изобретение относится к уплотнению пористых субстратов пиролитическим углеродом способом химической инфильтрации с использованием установки для осуществления этого способа. Осуществляют загрузку в печь одного или более уплотняемых пористых субстратов, подают на вход печи реакционную газовую фазу, содержащую реакционный газ-предшественник пиролитического углерода, включающий в себя, по меньшей мере, один газообразный углеводород C_xH _y, где х и y - целые натуральные числа и 1<х<6 и газ-носитель, содержащий, по меньшей мере, один газ, выбранный из метана и инертных газов. Проводят забор на выходе из печи отходящего газа и рециркуляцию в реакционную газовую фазу, подаваемую в печь, по меньшей мере, части потока газа, извлеченного из отходящего газа и содержащего реакционный газ-предшественник пиролитического углерода. Измеряют, по меньше мере, количества газа-предшественника пиролитического углерода и газа-носителя, содержащиеся в потоке газа, извлеченном из отходящего газа. В зависимости от измеренных количеств, регулируют, по меньшей мере, поступление указанного потока газа, рециркулирующего в реакционную газовую фазу, поступление из внешнего источника газа-предшественника пиролитического углерода и газа-носителя, инжектируемых в реакционную газовую фазу, и получение требуемого уровня содержания газа-предшественника пиролитического углерода в реакционной газовой фазе, поступающей на вход печи. Снижается стоимость уплотнения пористых субстатов пиролитическим углеродом. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к пленкообразующему устройству, согласующему блоку упомянутого устройства и способу управления импедансом и может найти применение при изготовлении изделий с пленочным покрытием, полученным плазмохимическим осаждением из газовой фазы. Изобретение обеспечивает управление импедансом, чтобы избежать гашения плазмы, вызванного резким изменением импеданса нагрузки, что может произойти сразу после возникновения плазмы. Пленкообразующее устройство содержит источник питания, согласующую цепь, управляющую секцию, электрод, выполненный с возможностью приема электроэнергии от источника питания через согласующую цепь и генерирования плазмы на основе электроэнергии внутри пленкообразующей камеры. В камере размещена мишень для образования пленки. Управляющая секция выполнена с возможностью управлять импедансом согласующей цепи. Управляющая секция поддерживает импеданс согласующей цепи постоянным в течение периода остановки согласования, начинающегося в первый момент времени, когда источник питания начинает подавать электроэнергию на электрод, и управляет импедансом согласующей цепи на основе мощности волны, отраженной от электрода, в течение периода автоматического согласования, начинающегося во второй момент времени, когда заканчивается период остановки согласования. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение касается устройства для выполнения процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы (PCVD), способа изготовления заготовки (варианты), способа изготовления оптического волокна (варианты) и печи для поддержания температуры подложки в процессе PCVD. Один или более легированных или нелегированных слоев наносят на внутреннюю поверхность стеклянной трубки подложки способом PCVD. Устройство содержит аппликатор, имеющий внутреннюю и внешнюю стенки, и волновод, который открывается в аппликатор. Аппликатор продолжается вокруг цилиндрической оси, и он имеет проход, примыкающий к внутренней стенке, через который могут выходить микроволны. По его цилиндрической оси помещают трубку подложки. В аппликаторе имеется, по меньшей мере, одна дроссельная канавка кольцеобразной формы, имеющая длину l и ширину b, которая центрирована вокруг цилиндрической оси внутри аппликатора. Технический результат заключается в повышении производительности процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы и уменьшении утечки высокочастотной энергии из аппликатора в процессе PCVD. 7 н. и 24 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу контроля или моделирования процесса уплотнения по меньшей мере одного пористого субстрата пиролитическим углеродом путем химической инфильтрации газовой фазой, в соответствии с которым помещают в печь партию из одного или более субстратов, подлежащих уплотнению, нагревают указанный субстрат, подают в печь реакционный газ, содержащий по меньшей мере один углеводород, являющийся источником углерода, устанавливают в печи давление, при котором реакционный газ способен диффундировать в поры нагретого субстрата с образованием в них осадка пиролитического углерода, и выпускают из печи отработанный газ через выпускную трубу, соединенную с выходным отверстием печи. Измеряют в отработанном газе содержание по меньшей мере одного соединения, выбранного из аллена, пропина и бензола. В зависимости от полученного содержания контролируют процесс путем установки по меньшей мере одного параметра, выбранного из скорости потока реакционного газа, подаваемого в печь, скорости потока по меньшей мере одного компонента газа, подаваемого в печь, времени прохождения газа через печь, температуры, до которой нагревают субстрат, и давления внутри печи. По меньшей мере один параметр устанавливают таким образом, чтобы измеряемое содержание газа поддерживалось по существу постоянным. Процесс уплотнения можно контролировать в реальном времени или моделировать. 11 з.п. ф-лы, 8 ил., 8 табл.

Изобретение относится к металлическим покрытиям, нанесенным путем химико-термического осаждения из паровой фазы, а также к продуктам и способам. Проводят транспортировку металлсодержащего предшественника в транспортной среде через камеру к основе при температуре в транспортном объеме меньшей температуры разложения металлсодержащего предшественника. Осаждение металлического слоя на основу проводят путем разложения на основе металлсодержащего предшественника. Температура у основы выше температуры разложения металлсодержащего предшественника. Температуру основы и температуру металлсодержащего предшественника в транспортном объеме измеряют напрямую. Скорость осаждения и качество указанного металлического слоя на указанной основе контролируют путем регулирования указанной температуры основы и температуры металлсодержащего предшественника в транспортном объеме при использовании транспортных сред, которые насыщены предшественником. Температуру регулируют между транспортными средами и основой и при поддержании для транспортных сред условий по меньшей мере близких к насыщению, при этом улучшается качество тонкой пленки из осажденного металла, а образование побочного продукта - металлической пыли - сильно снижено. 5 н. и 39 з.п. ф-лы, 2 табл., 10 ил.

Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства. Газовую смесь, содержащую газообразный мономер и окисляющий реакционный газ, превращают в плазму при изменении соотношения величины потока газообразного мономера к величине потока реакционного газа таким образом, что указанное соотношение лежит в установленном диапазоне более 0 до 0,05. Это позволяет стабильно без отклонений формировать тонкие пленки, обладающие защитными свойствами по отношению к газам. В процессе образования тонкой пленки определяют, сформирована ли тонкая пленка, обладающая желаемым качеством поверхности, при помощи измерения интенсивностей альфа линии водорода и излучения кислорода, которые испускаются плазмой в ходе формирования тонкой пленки. Сравнивают измеренные значения с соответствующими эталонными интенсивностями, при которых были получены тонкие пленки, обладающие желаемым качеством слоя. Для способов формирования и мониторинга разработаны также соответствующие устройства. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 табл.