Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..путем облучения, например фотолиза, радиолиза, корпускулярного излучения – C23C 16/48

Изобретение относится к области технологий микроэлектроники, а именно к способам получения тонких пленок на подложках. В реакционную зону подают поток инертного газа-носителя с первым летучим реагентом, формируют на подложке из газовой фазы мономолекулярный слой из молекул первого летучего реагента. Затем осуществляют импульсно-периодическое лазерное облучение с периодом следования импульсов, достаточным для самоохлаждения облучаемой зоны и для формирования на подложке мономолекулярного слоя. Импульсно-периодическое лазерное облучение проводят с нагревом подложки поглощенным излучением до температуры хемосорбции адсорбированных молекул первого летучего реагента. Затем удаляют неадсорбированные молекулы первого летучего реагента газовым потоком, содержащим инертный газ-носитель и второй летучий реагент. Формируют из молекул второго летучего реагента мономолекулярный слой. Повторно проводят упомянутое импульсно-периодическое лазерное облучение до температуры прохождения химической реакции упомянутых реагентов в мономолекулярных слоях с образованием мономолекулярного слоя из молекул химического соединения в виде тонкой пленки. Затем осуществляют удаление неадсорбированных молекул и непрореагировавших реагентов. В качестве двух летучих реагентов могут использовать пары пиролитически разлагающегося химического соединения, которые вводят в поток инертного газа, причем лазерное облучение проводят с обеспечением терморазложения молекул реагентов. Получаются пленки, обладающие улучшенной структурой и улучшенными электрическими и механическими параметрами - большей электрической прочностью и меньшими внутренними механическими напряжениями. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии изготовления макро- и микроизделий - эмиттеров электронов с пониженной работой выхода электронов и с большим ресурсом работы, предназначенных для термоэмиссионных элементов электродуговых катодов генераторов плазмы и термоэмиссионных катодов электровакуумных или газонаполненных приборов, являющихся источником электронов. Способ изготовления эмиттера электронов из вольфрама с легирующими добавками заключается в том, что вводят в вакуумную камеру смесь гексафторида вольфрама, водорода и летучего фторида или иодида легирующей добавки в соотношении, соответствующему заданному составу эмиттера, воздействуют на указанную смесь лазерным лучом и отводят продукты реакции из камеры, при этом формируют эмиттер осаждением восстановленных вольфрама и легирующей добавки на подложку, выполненную из вольфрама, и размещенную по центру лазерного луча на держателе, перемещая при этом подложку относительно лазера со скоростью, равной скорости осаждения вольфрама и легирующей добавки. Техническим результатом является повышение ресурса работы вольфрамовых эмиттеров электронов за счет гомогенного распределения легирующих добавок с более низкой, чем у вольфрама, работой выхода электронов, снижение эрозии эмиттера за счет исключения окисления, повышение и возможность регулирования концентрации легирующих добавок, регулирование структуры вольфрама, снижение расхода материалов. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения нанокристаллических пленок рутила и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, а также при получении защитных и других функциональных покрытий. Способ включает формирование методом магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения нанокристаллической пленки титана на оксидированной поверхности пластины из кремния и оксидирование пленки. Оксидирование осуществляют в окислительной газовой среде при импульсном облучении пленки титана фотонами с использованием импульсных ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в течение 1,6-1,8 с при длительности импульсов 10 ^-2 с и дозе поступающего на пленку излучения от 230 до 260 Дж·см^-2. Технический результат - увеличение скорости оксидирования, снижение термической нагрузки на подложку, повышение плотности получаемой пленки. 3 ил.

Изобретение относится к технологиям модификации металлических поверхностей, например к технологиям азотирования, цементации, легирования и др. Способ модификации включает формирование потока рабочего газа, содержащего несущий газ, а также химически активные реагенты и/или легирующие добавки, и направление потока рабочего газа на модифицируемую поверхность. При этом на поверхность воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением с образованием на поверхности и/или в ее приповерхностной области лазерной плазмы. Устройство для реализации способа содержит реакционную камеру 24, снабженную средством позиционирования 17 обрабатываемого объекта 14, входом для потока рабочего газа и входом 23 для лазерного излучения, источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа 28 в реакционной камере, импульсно-периодический лазер 20 и средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча, выполненное с возможностью направления лазерного луча на модифицируемую поверхность объекта. Технический результат - улучшение функциональных свойств поверхностного слоя. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологиям получения высокотвердых защитных и функциональных покрытий и может быть использовано для покрытия поверхностей деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций. Согласно способу формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ и химически активные реагенты, который направляют на обрабатываемую поверхность при давлении не ниже 0,5 атм. При этом на этот поток воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением таким образом, чтобы в фокусе лазерного луча образовалась лазерная плазма. Устройство для реализации способа включает реакционную камеру со средством позиционирования обрабатываемого объекта и входами для потока газа и лазерного излучения, источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа в реакционной камере, импульсно-периодический лазер, а также средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча. Технический результат - повышение износостойкости, ударопрочности, химической и коррозионной устойчивости покрытий. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам нанесения покрытий и может быть использовано при изготовлении печатных плат. Способ включает помещение подложки в реактор, нагревание подложки и транспортирование паров прекурсора в зону реактора. Процесс ведут до образования на подложке металлической пленки необходимой толщины. При этом подложку нагревают до температуры 50-70°С, в зону реакции подают пары прекурсора с температурой 25-50°С в смеси с водородом и подвергают подложку ультрафиолетовому облучению в диапазоне длин волн 126-172 нм. Причем поток водорода подают со скоростью 0,3-4,0 л/ч, а пары прекурсора с помощью транспортного газа аргона подают со скоростью 2-4 л/ч. Технический результат - упрощение способа, расширение его функциональных возможностей, повышение качества покрытия. 3 з.п. ф-лы.