Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...с использованием комбинации разрядов, охватываемых двумя или более группами  ,16/503 – C23C 16/517

МПКРаздел CC23C23CC23C 16/00C23C 16/517
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C23C Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
C23C 16/00 Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
C23C 16/517 ...с использованием комбинации разрядов, охватываемых двумя или более группами  16/503

Патенты в данной категории

ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА, КОМПОНЕНТ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ТАКУЮ СТРУКТУРУ, И СПОСОБ ЕЕ ОСАЖДЕНИЯ

Изобретение относится к коррозионно-стойкой тонкопленочной многослойной структуре и коррозионно-стойкому компоненту, обладающим низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, и способу осаждения покрытия упомянутых пленок. Коррозионно-стойкая структура включает от 1 до 1000 групп, причем одна группа включает от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода и, необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL). Компонент включает такую тонкопленочную многослойную структуру. Способ включает создание в камере первичного вакуума и затем вторичного вакуума. Выполняют травление основы в активной зоне. Формируют связующий слой путем введения в активную зону камеры предварительно обработанного газа и, продолжая нагревать основу и поддерживать регулируемую температуру, формируют многослойную структуру путем введения в активную зону химически активного газа. Химически активный газ содержит единственное соединение с тетраэдрической кремниевой структурой или кремнийсодержащую смесь. В результате получают покрытие, обладающее высокими трибологическими и адгезионными свойствами, высокой механической прочностью покрытия и высокой термостойкостью. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 табл.

2418883
патент выдан:
опубликован: 20.05.2011
Наверх