Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...с использованием плазменных струй – C23C 16/513

Изобретение относится к способу нанесения покрытия на металлический тигель. Техническим результатом изобретения является снижение открытой пористости покрытия. Способ нанесения покрытия на стальные сектора тигля для стеклования включает нанесение на сталь секторов плазменным напылением смесь из стекла и керамики с последующей термической обработкой покрытия при температуре от 650°С до 850°С. При этом смесь содержит стекло с температурой перехода в стеклообразное состояние ниже 650°С в количестве от 50 мас.% до 70 мас.% и керамику в количестве от 30 мас.% до 50 мас.%. 9 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. Устройство содержит вакуумную реакционную камеру, размещенный в камере электрически изолированный подложкодержатель в виде полой усеченной составной пирамиды, нагреватель подложкодержателя, систему подачи реагентов, вакуумную систему, электрически соединенные источник электромагнитного излучения, электрический вакуумный ввод, элемент реализации электромагнитного излучения и экран в виде охватывающего подложкодержатель металлического заземленного стакана. Подложкодержатель с усеченной стороны дополнительно снабжен крышкой и размещенной на внешней стороне крышки антифрикционной пластиной, а на его боковых стенках с внешней стороны установлены рабочие подложки. Элемент реализации электромагнитного излучения выполнен в виде съемного и разъемного перпендикулярно вертикальной оси экранированного полого цилиндрического корпуса с центрирующей канавкой на внутренней горизонтальной поверхности. В цилиндрическом корпусе в прямой последовательности расположены спиральная пружина и толкатель в виде диска с центрирующей канавкой со стороны спиральной пружины, выполненный с возможностью возвратно-поступательного движения вдоль вертикальной оси полого цилиндрического корпуса. Электрический вакуумный ввод, вакуумная реакционная камера, экран подложкодежателя, полый цилиндрический корпус, спиральная пружина, антифрикционная пластина, крышка и подложкодержатель расположены соосно. Угол наклона боковых стенок подложкодержателя с внешней стороны относительно вертикальной оси составляет не более 3°. Повышается качество и воспроизводимость пленок за счет обеспечения надежной и стабильной подачи электромагнитного излучения на подвижный подложкодержатель, а также повышается производительность и упрощается эксплуатация. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. Способ включае выращивание алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема H₂, на поверхности изделий из вольфрама, имеющих осевую симметрию вдоль оси вращения, в игольчатых держателях так, чтобы тело вращения могло свободно вращаться соосно своей оси и подвергаться осевому перемещению со скоростью перемещения радиальной образующей в пределах 10-50 мм/ч. 2 ил.

Изобретение относится к технологиям модификации металлических поверхностей, например к технологиям азотирования, цементации, легирования и др. Способ модификации включает формирование потока рабочего газа, содержащего несущий газ, а также химически активные реагенты и/или легирующие добавки, и направление потока рабочего газа на модифицируемую поверхность. При этом на поверхность воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением с образованием на поверхности и/или в ее приповерхностной области лазерной плазмы. Устройство для реализации способа содержит реакционную камеру 24, снабженную средством позиционирования 17 обрабатываемого объекта 14, входом для потока рабочего газа и входом 23 для лазерного излучения, источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа 28 в реакционной камере, импульсно-периодический лазер 20 и средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча, выполненное с возможностью направления лазерного луча на модифицируемую поверхность объекта. Технический результат - улучшение функциональных свойств поверхностного слоя. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к устройству для плазменного химического парофазного осаждения пленки на поверхности полосообразной подложки и может найти применение при изготовлении дисплеев. Барабаны для осаждения (2 и 3) устройства расположены напротив, параллельно друг другу, таким образом, чтобы подложка S, намотанная на них, была обращена к каждому. Элементы 12 и 13, генерирующие магнитное поле, которое сводит плазму к поверхности барабана, обращенного к зазору 5 между барабанами, расположены в каждом барабане 2 и 3 для осаждения. В устройстве имеется источник питания плазмы 14, полярность которого переменно реверсируется между одним электродом и другим электродом. Труба для подачи газа 8 предназначена для подачи газа, формирующего пленку, в зазор 5. Средство для вакуумирования предназначено для вакуумирования зазора. Один электрод источника 14 питания плазмы соединен с одним барабаном 2 для осаждения, а другой его электрод соединен с другим барабаном 3 для осаждения. В результате устройство позволяет снизить осаждение пленки на внутренней части вакуумной камеры и предотвратить отслоение пленки. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полимерным изделиям, имеющим тонкое покрытие, и способу его изготовления. Указанное покрытие содержит два покрытия, представляющих собой полимеризованный в плазме тетраметилсилан: первое покрытие SiO_xC _yH_z, где величина х равна 0-1,7, величина у равна 0,5-0,8, величина z равна 0,35-0,6, и второе покрытие SiO _xC_yH_z, где величина х равна 1,7-1,99, величина у равна 0,2-0,7, величина z равна 0,2-0,35. При этом толщина первого покрытия составляет 1-15 нанометров, а второго покрытия - 10-100 нанометров. Технический результат - повышение адгезии покрытия к изделию, увеличение стойкости покрытия к пару, окрашиванию и мытью. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологиям получения высокотвердых защитных и функциональных покрытий и может быть использовано для покрытия поверхностей деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций. Согласно способу формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ и химически активные реагенты, который направляют на обрабатываемую поверхность при давлении не ниже 0,5 атм. При этом на этот поток воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением таким образом, чтобы в фокусе лазерного луча образовалась лазерная плазма. Устройство для реализации способа включает реакционную камеру со средством позиционирования обрабатываемого объекта и входами для потока газа и лазерного излучения, источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа в реакционной камере, импульсно-периодический лазер, а также средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча. Технический результат - повышение износостойкости, ударопрочности, химической и коррозионной устойчивости покрытий. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору и может найти применение при формировании пленки большого размера, соизмеримого по диаметру с длиной СВЧ волны. Реактор содержит герметичную осесимметричную камеру с каналами для газа и установленные в ней радиальный волновод, центральная часть которого является СВЧ резонатором, держатель подложки, коллектор, газовый теплообменник и тороидальную мембрану. Газовый теплообменник содержит цилиндрическую камеру, установленную коаксиально с держателем подложки. Тороидальная мембрана образует в сечении U-образный полуволновой шлейф и расположена между радиальным волноводом и держателем подложки. Держатель подложки выполнен цилиндрическим, осесимметричным, массивным из термостойкого и теплопроводного металла. Один из каналов для газа выполнен осевым и соединен с цилиндрической камерой теплообменника, а другой канал для газа - с коллектором. Цилиндрическая камера соединена с обратной по отношению к подложке и СВЧ разряду стороной упомянутого держателя, контактирует с ней по площади от 30 до 90% площади обратной стороны держателя и соединена с коллектором посредством зазора. Держатель подложки соединен с радиальным волноводом через тороидальную мембрану. Технический результат изобретения состоит в обеспечении поддержания однородной температуры на подложке увеличенной площади. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к СВЧ плазменным реакторам для плазмохимического синтеза вещества из газовой фазы. СВЧ плазменный реактор содержит герметичный осесимметричный радиальный волновод. В центральной части волновода установлены подложка, держатель подложки. Внешняя по отношению к подложке сторона держателя соединена с теплообменником. Между держателем подложки и теплообменником, с зазором по отношению к стенке реактора, установлен теплоотводящий элемент такой формы, что площадь сечения поперечного оси симметрии теплоотводящего элемента уменьшается с увеличением расстояния от подложки. Изобретение позволяет обеспечить равномерную температуру подложкодержателя за счет избирательного теплоотводящего элемента, что позволяет получать однородные качественные пленки материала в СВЧ плазменном реакторе без применения дополнительных устройств контроля и управления. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу изготовления металлической проволоки для армирования эластомерного материала, металлической проволоки и металлокорду для армирования такого эластомерного материала. Металлическая проволока содержит металлическую сердцевину, имеющую заданный исходный диаметр, и слой металлического покрытия из латуни. Способ включает следующие этапы: (а) подвергают сердцевину по меньшей мере одной поверхностной обработке для подготовки поверхности сердцевины к нанесению слоя покрытия из латуни; (b) термически обрабатывают сердцевину; (с) напыляют на сердцевину слой металлического покрытия до заданной исходной толщины посредством технологии плазменного напыления; и (d) выполняют волочение покрытой сердцевины до конечного диаметра, который меньше заданного исходного диаметра, и получения слоя металлического покрытия с конечной толщиной, которая меньше заданной исходной толщины. Технический результат состоит в возможности получать проволоку с равномерным и однородным слоем покрытия, включая сердцевину с гладкой поверхностью, подходящей для напыления этого слоя покрытия, и структуру, подходящую для холодного деформирования на этапе волочения. 4 н. и 26 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способу для формирования тонких пленок оксида на поверхности подложки, устройству для формирования тонких пленок (варианты) и способу мониторинга процесса формирования тонких пленок и может быть использовано при изготовлении упаковок в различных отраслях производства. Газовую смесь, содержащую газообразный мономер и окисляющий реакционный газ, превращают в плазму при изменении соотношения величины потока газообразного мономера к величине потока реакционного газа таким образом, что указанное соотношение лежит в установленном диапазоне более 0 до 0,05. Это позволяет стабильно без отклонений формировать тонкие пленки, обладающие защитными свойствами по отношению к газам. В процессе образования тонкой пленки определяют, сформирована ли тонкая пленка, обладающая желаемым качеством поверхности, при помощи измерения интенсивностей альфа линии водорода и излучения кислорода, которые испускаются плазмой в ходе формирования тонкой пленки. Сравнивают измеренные значения с соответствующими эталонными интенсивностями, при которых были получены тонкие пленки, обладающие желаемым качеством слоя. Для способов формирования и мониторинга разработаны также соответствующие устройства. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 табл.

Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок. СВЧ плазменный реактор содержит осесимметричную герметичную рабочую камеру в виде цилиндра, соосно расположенную в центральной его части платформу, образующую с внутренней торцевой стороной рабочей камеры радиальный волновод, центральная часть которого является резонатором, источник СВЧ энергии, прямоугольный и цилиндрический коаксиальный волноводы, диэлектрическое окно, герметично отделяющее рабочую камеру, и конусообразный коаксиальный волновод. Основание внутреннего конуса конусообразного коаксиального волновода сопряжено с платформой, основание его внешнего конуса в общей плоскости с основанием его внутреннего конуса - с цилиндрической стенкой рабочей камеры. Диэлектрическое окно выполнено из прозрачного для СВЧ волны диэлектрика и установлено в коаксиальном конусообразном волноводе соосно с ним. В СВЧ реакторе максимально согласован волноводный тракт на пути к плазме СВЧ разряда, обеспечены минимальные потери энергии в тракте и обеспечено управление температурой подложки при использовании дополнительного источника энергии. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, микронанотехнологии, а именно к конструкции плазмохимического реактора, в котором производятся плазмохимические процессы травления и осаждения различных материалов. Плазмохимический реактор включает реакционную камеру, индуктор, держатель подложки, металлический тонкостенный цилиндрический экран и теплоотводящие стойки, свойства которых определяют скорость изменения температуры экрана и время установления его стационарной температуры. Металлический тонкостенный цилиндрический экран закреплен на теплоотводящих стойках внутри реакционной камеры пространственно изолированно от ее стенок. Технический результат заключается в обеспечении независимого управления радикальным составом плазмы и соответственно в получении качественного покрытия. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретения могут найти применение в различных отраслях машиностроения при изготовлении изделий с защитными покрытиями и относятся к области плазменной технологии нанесения покрытий, в частности, к инжекционной системе для инжектирования текучего реагента в поток плазмы, устройствам для нанесения покрытий на подложку и способу нанесения покрытий на подложку. Инжектор, используемый в упомянутых объектах, включает первую часть (6) канала для ограничения потока текучего реагента, имеющую такую форму, что внутренние стенки первой части (2) канала являются параллельными первой оси (9). Инжектор (2) имеет вторую часть канала (8), выполненную с возможностью сообщения текучего реагента с первой частью канала. Вторая часть канала (8) имеет углубление, так что внутренние стенки второй части канала (8) расходятся от первой оси (9) под заданным углом. Инжектор может дополнительно включать часть в виде наконечника, который выступает в плазму. Инжектор может быть встроен в инжекционную систему с возможностью извлечения из основания для работы в устройстве плазменного осаждения. В результате достигается однородное распределение текучего реагента и снижена вероятность закупоривания каналов при продолжительном использовании. 4 н. и 42 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения. Генерируют плазму и подложку подвергают воздействию кремнийсодержащей текучей среды-источника и вспомогательной текучей среды, обладающей способностью вытравливать некристаллически связанные атомы кремния. На пути движения обеих текучих сред к подложке создают падение давления. Устройство имеет плазменную камеру, реакционную камеру и средства подачи текучей среды-источника. Реакционная камера содержит держатель подложки и находится в открытом сообщении с плазменной камерой через проходное отверстие. Плазменная камера снабжена средствами подачи вспомогательной текучей среды и обеспечена насосными средствами для создания падения давления между плазменной камерой и держателем подложки. В результате даже при низкой температуре образуется высококачественный кристаллический кремниевый слой со значительно высокой скоростью роста. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 2 ил.