Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ...с использованием микроволновых разрядов – C23C 16/511

МПКРаздел CC23C23CC23C 16/00C23C 16/511
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C23C Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
C23C 16/00 Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП)
C23C 16/511 ...с использованием микроволновых разрядов

Патенты в данной категории

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВКИ

Изобретение касается устройства для выполнения процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы (PCVD), способа изготовления заготовки (варианты), способа изготовления оптического волокна (варианты) и печи для поддержания температуры подложки в процессе PCVD. Один или более легированных или нелегированных слоев наносят на внутреннюю поверхность стеклянной трубки подложки способом PCVD. Устройство содержит аппликатор, имеющий внутреннюю и внешнюю стенки, и волновод, который открывается в аппликатор. Аппликатор продолжается вокруг цилиндрической оси, и он имеет проход, примыкающий к внутренней стенке, через который могут выходить микроволны. По его цилиндрической оси помещают трубку подложки. В аппликаторе имеется, по меньшей мере, одна дроссельная канавка кольцеобразной формы, имеющая длину l и ширину b, которая центрирована вокруг цилиндрической оси внутри аппликатора. Технический результат заключается в повышении производительности процесса плазменного химического осаждения из газовой фазы и уменьшении утечки высокочастотной энергии из аппликатора в процессе PCVD. 7 н. и 24 з.п. ф-лы, 5 ил.

2366758
патент выдан:
опубликован: 10.09.2009
Наверх