Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей – H01L 21/02

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых микроэлектромеханических устройств, а именно малогабаритных датчиков физических величин. Изобретение обеспечивает увеличение количества годных микроэлектромеханических структур за счет совершенствования способа электростатической анодной посадки. В способе изготовления микроэлектромеханических структур путем анодного соединения (анодной сварки) двухслойной структуры из пластины кремния с предварительно очищенной стеклянной подложкой при нагревании их в вакууме и приложении напряжения, предварительно пластину из кремния разделяют на кристаллы, формируют пары структур кремний - стекло, размещают их в кассету вертикально, прижимая друг к другу, кассету помещают в графитовый нагреватель и нагревают их при температуре от 370°С до 400°С, после чего подают анодное напряжение на стекло в интервале от 200 до 500 вольт для формирования слоя объемного заряда в стекле, прилегающем к поверхности кремния. В устройстве для изготовления микроэлектромеханических структур графитовый столик выполняют с боковыми стенками, в которых, как и в основании графитового столика, установлено не менее двух нагревательных элементов в каждом, на торцах двух противоположных стенок установлены токовводы для подачи анодного напряжения, на основании столика расположена кассета, в которой размещены пары структур кремний - стекло. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области сборки микроэлектронной аппаратуры с расположением электронных компонентов и содержащих их микроплат в трехмерном пространстве. Технический результат - обеспечение высоких показателей надежности соединений между электронными компонентами, входящими в состав трехмерного электронного модуля при увеличении плотности компоновки за счет минимального количества межсоединений. Достигается тем, что в способе сборки трехмерного электронного модуля, включающем размещение электронных компонентов и микроплат, имеющих контактные площадки на торцевых поверхностях, параллельно друг другу, электрическое соединение их по боковым поверхностям модуля, его контроль и герметизацию, в качестве исходных применены гарантированно годные компоненты, с помощью их и микроплат формируют пространственно ориентированные контактные площадки для создания непрерывной линии конструкции модуля, дозировано наносят склеивающий теплопроводный электроизоляционный состав на торцы микроплат, обеспечивая при этом монолитность и непрерывность клеевого шва, совмещают по контактным площадкам электронные компоненты и соединяют их, полимезируют склеивающий состав, очищают контактные площадки электронных компонентов и микроплат от пленки склеивающего состава, напыляют на гранях склеенного трехмерного электронного модуля проводники, обеспечивающие необходимые соединения между электронными компонентами и микроплатами по их контактным площадкам; наращивают проводники, расположенные на гранях трехмерного электронного модуля. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение имеет отношение к способу изготовления самостоятельного твердотельного слоя. Согласно способу берут твердотельный материал, имеющий коэффициент теплового расширения, и по меньшей мере одну поверхность, пригодную для формирования на ней слоя. Формируют слой полимера на указанной поверхности так, что адгезия сохраняется между твердотельным слоем и слоем полимера в течение всего заданного интервала температур Т между первой температурой и второй температурой. Слой полимера обладает коэффициентом термического расширения, отличным от коэффициента термического расширения твердотельного материала. Далее подвергают твердотельный материал и прикрепленный адгезией слой полимера изменению локальной температуры от первой температуры, которая не выше примерно 300°С, до второй температуры, которая ниже примерно комнатной температуры, тем самым вызывая механическое напряжение в твердотельном материале из-за разницы между коэффициентом теплового расширения твердотельного материала и коэффициентом теплового расширения слоя полимера, чтобы вызвать разламывание твердотельного материала вдоль внутренней плоскости в толщине твердотельного материала, для изготовления по меньшей мере одного самостоятельного твердотельного слоя из указанного твердотельного материала. Слой полимера дополнительно характеризуется температурой стеклования, которая ниже примерно первой температуры и выше примерно второй температуры и является достаточно низкой для предотвращения разламывания или растрескивание полимера при второй температуре. Технический результат - разработка способа термической обработки для изготовления высококачественный самостоятельных твердотельный слоев, сохраняющих характеристики исходного материала, из которого они изготовлены, и используемых для микроэлектроники. 19 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 пр.

Изобретение относится к невоспламеняющимся композициям, включающим фторированное соединение, представляющее собой 1,1,1,3,3-пентафторбутан, 1,2-дихлорэтилен и эффективное количество стабилизатора фторированного соединения или 1,2-дихлорэтилена, где количество стабилизатора составляет меньше чем 0,5% масс. от композиции. Эти невоспламеняющиеся композиции могут быть использованы в качестве растворителей для очистки и удаления флюса с компонентов электронных устройств и для обезжиривания металлов. Композиции далее могут включать пропеллент, например 1,1,1,2-тетрафторэтан. Эти композиции в особенности пригодны в качестве промывающих агентов. 4 н.з. и 12 з.п. ф-лы, 9 пр., 2 табл.

Изобретение относятся к получению тонкопленочных материалов, в частности тонких пленок на основе моносульфида самария, и может быть использовано для создания переключающих устройств. Способ изготовления тонких пленок стехиометрического моносульфида самария импульсным лазерным осаждением включает осаждение на подложке тонких пленок моносульфида самария в вакууме при комнатной температуре с использованием мишени из стехиометрического SmS. После осаждения тонких пленок моносульфида самария проводят отжиг полученных пленок в вакууме в диапазоне температур 700-900 K. Пленки наносят на подложку, выполненную из монокристаллического кремния с химически удаленным естественным окислом или выполненную из аморфного материала, или из оптического стекла, или из металла, или из органического материала, или из ацетилцеллюлозы. Используют мишень, полученную в виде таблетки прессованием порошка из стехиометрического SmS, или выполненную из монокристалла SmS, или из поликристалла SmS. Получаются сформированные стехиометрические пленки моносульфида самария, обладающие улучшенными оптическими, электрическими и механическими свойствами, например тензочувствительностью. 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 5 пр.

Группа изобретений относится к области обработки аудиосигналов. Согласно предложенным решениям захватывают первый аудиосигнал с помощью первого микрофона, расположенного на беспроводном мобильном устройстве, причем первый аудиосигнал представляет звук от множества источников звука. Захватывают второй аудиосигнал с помощью второго микрофона, расположенного на втором устройстве, не включенном в беспроводное мобильное устройство, причем второй аудиосигнал представляет звук от источников звука. Обрабатывают первый и второй захваченные аудиосигналы, чтобы сформировать сигнал, представляющий собой звук от одного из источников звука, отделенный от звука из других источников звука. Решения используют различные устройства, такие как гарнитуры Bluetooth, проводные гарнитуры и т.п. Техническим результатом является повышение разборчивости речи, подавление фоновых помех, обнаружение активности речи. 4 н. и 27 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник. В устройствах спиновой электроники спин используется в качестве активного элемента для хранения, обработки и передачи информации при создании магнитоэлектронных элементов и приборов. Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура для спинтроники включает ферромагнитную при температурах не менее 300 К пленку легированного полупроводникового диоксида титана на полупроводниковой подложке, при этом пленка диоксида титана легирована ванадием в количестве от 3 до 18 ат.% по отношению к титану, имеет кристаллическую структуру рутила и удельное электрическое сопротивление в диапазоне 0.01 до 0.1 Ом·см или в диапазоне от 2 до 20 кОм·см и эпитаксиально выращена на монокристаллической подложке диоксида титана в той же кристаллической модификации так, что гетероструктура отвечает формуле TiO₂:V/TiO₂. Гетероструктура предназначена для работы при комнатной и выше температурах и включает бескластерный ферромагнитный полупроводник с высокой намагниченностью, парамагнитный полупроводник и совершенный интерфейс между однородными материалами. Уникальное сочетание родственных ферромагнитного и полупроводникового слоев гетероструктуры на основе оксида титана, обеспечивающее высокое качество интерфейса, делает такие гетероструктуры перспективным продуктом для широкого практического использования в приборах спиновой электроники. 2 ил.

При реализации способа лазерную гетероструктуру расщепляют на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере, обеспечивая сколотые грани резонатора. Затем линейку или кристалл лазерного диода помещают в вакуумную камеру с остаточным давлением по кислороду не более 10^-10 торр, где с целью удаления образовавшихся окислов грани резонатора обрабатывают ионами плазмы аргона при отрицательном потенциале на образцах (-5) - (-10) В. Создают пассивирующий нитридный поверхностный слой на гранях резонатора с использованием плазмы, содержащей азот, при отрицательном потенциале на образцах (-20) - (-30) В. Напыляют, по меньшей мере, один слой блокирующего кислород и взаимную диффузию покрытия Si₃N₄ толщиной 20-30 нм на каждую обрабатываемую грань резонатора при отрицательном потенциале на образцах (-10) - (-15) В. После обработки ионами плазмы азота проводят локальный прогрев обрабатываемых граней резонатора ускоренными электронами плазмы ионов аргона при положительном потенциале на образцах 20-30 В. Технический результат заключается в увеличении оптической прочности выходных зеркал и выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров, увеличении долговременной надежности полупроводниковых лазеров, в упрощении процесса изготовления надежных полупроводниковых лазеров. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии подложку кремния с вицинальной поверхностью помещают в вакуум и проводят термоэлектрический отжиг, формируя на поверхности подложки моноатомные ступени, разделенные широкими террасами с первоначальной поверхностной реконструкцией, затем подложку охлаждают, формируя на террасах субатомные ступени за счет образования соседствующих областей поверхности подложки со сверхструктурной реконструкцией и областей, не подвергшихся сверхструктурной реконструкции, но и не оставшихся в состоянии первоначальной поверхностной реконструкции, равномерно распределенных по поверхности подложки, а уровень вакуума поддерживают обеспечивающим выход атомов материала подложки в вакуум при термоэлектрическом отжиге. Изобретение обеспечивает воспроизводимость измерений, повышение точности определения высоты особенностей рельефа, снижение погрешности измерений, снижение высоты калибровочного эталона. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: при изготовлении детектора короткопробежных частиц легируют ионной имплантацией в окно поверхностный слой кремния на стороне p-n перехода примесью p-типа, а на омической стороне примесью n-типа дозой 10¹⁵-10¹⁶ при энергии ионов 500-2000 кэВ, отжигают имплантированные слои при температуре 850-950°С в течение 1-2 часов. Затем проводят химическое травление в окне на омической стороне на глубину среднего пробега имплантированных в кремний ионов. Техническим результатом изобретения является создание детектора короткопробежных частиц с уменьшенной толщиной нечувствительных слоев на поверхности и низким уровнем темнового тока. 5 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к устройству полупроводниковых инжекционных лазеров и технологии их изготовления и может быть использовано для создания лазерных матриц многоканальных оптоволоконных интерфейсов. Технический результат - возможность массового изготовления линеек и матриц лазеров без ручной сборки. Инжекционный лазер содержит контактные слои и слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположеные коаксиально в канале кругового, n-угольного или фигурного сечения, выполненном в теле подложки, при этом внешний контактный слой соединен со стенками канала непосредственно или через буферные слои, на нем расположены слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, а на них центральный контактный слой, причем на торцевой поверхности слоев полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположены с одной стороны непрозрачный, а с другой стороны полупрозрачный зеркальные слои; также центральный контактный слой и внешний контактный слой соединены с токопроводящими дорожками, расположенными на подложке. Способ изготовления инжекционного лазера включает последовательное нанесение методом химического осаждения из газовой фазы на подложку слоя материалов, образующих структуру инжекционного лазера, при этом в теле подложки изготавливают сквозные каналы, а затем последовательно пропускают через них газовую фазу металлоорганических соединений, осуществляя осаждение слоев материалов на внутренней поверхности каналов; также формируют внешний контактный слой, слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, и центральный контактный слой, затем наносят токопроводящие дорожки и зеркальные слои на подложку. Устройство для газофазной эпитаксии содержит реактор, держатель подложек, входные и выходные патрубки, нагреватели, загрузочные и смотровые люки, при этом реактор разделен на зону высокого давления и зону низкого давления держателем подложек с расположенными в них подложками со сквозными каналами и имеет систему управления, обеспечивающую поддержание заданных величин давления в зонах высокого и низкого давления, а также разницы давлений газа в них, соединенную с датчиками давления, расположенными в каждой зоне реактора, и с редукционными узлами, а держатель подложек представляет собой пластину с гнездами под подложки и со сквозными отверстиями в тех местах, где у подложек имеются сквозные каналы, причем размер отверстий в держателе больше размера области с каналами в подложке. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков. Устройство содержит камеру с рабочей частью внутреннего пространства в форме цилиндра, внутри которой расположены основание, подложка для нанесения пленок, система напуска реагентов и буферных газов, нагревательные элементы и двигатель с валом. При этом основание и подложка выполнены с плоскими и гладкими рабочими поверхностями и установлены с возможностью образования регулируемого зазора между ними за счет изменения в нем давления буферного газа, противодействующего весу груза, размещенного на подложке для регулирования величины зазора между подложкой и основанием. Вал двигателя закреплен нежестко и на нем установлена подвижная муфта для передачи вращения подложке относительно неподвижного основания. В рабочей поверхности основания выполнены углубления, длина которых не превышает радиуса рабочей поверхности основания и в которых расположены отверстия для напуска реагентов в зазор. Технический результат состоит в существенном увеличении скорости наращивания тонких пленок. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области получения цветных алмазов, используемых, например, в декоративных целях. Способ преобразования цветного монокристаллического алмаза в другой цвет включает стадии, на которых цветной монокристаллический алмаз получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) и осуществляют термическую обработку полученного алмаза при температуре от 1200 до 2500°С и давлении, стабилизирующем алмаз, или в инертной или стабилизирующей атмосфере. Полученный монокристаллический алмаз может иметь форму толстого слоя или фрагмента слоя, например, ограненного как драгоценный камень. Изобретение позволяет получать алмазы с широким диапазоном цветовой гаммы (от бесцветного до различных фантазийных цветовых оттенков). 5 н. и 56 з.п. ф-лы, 5 ил., 6 табл.

Изобретение относится к системам автоматического цифрового управления объектами и может быть использовано в микроэлектронной промышленности. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности работы системы управления линией фотолитографии и повышение экономической эффективности за счет более рационального использования сети передачи данных. Сущность изобретения: в способе управления линией фотолитографии каждый модуль линии устанавливают на несущей раме, производят подключение всех блоков каждого модуля к кабельной системе, проводят запуск отладочного режима работы, при котором осуществляют пакетный обмен информацией по сети с использованием принципа состязательности, по результатам которого определяют характеристики технологических объектов каждого модуля, загрузку сети, параметр обмена и оптимальную частоту опроса устройств. При реализации управления информацию о состоянии технологического объекта каждого модуля предварительно обрабатывают, формируя пакеты данных, и отправляют на обработку УЭВМ по сети; для получения регулирующих воздействий осуществляют прием пакетов и распаковку информации. Если во время процесса управления время отклика сигнала, отправляемого с модуля на УЭВМ, превосходит ранее найденное более чем на 15%, производят перерасчет частоты обмена информацией каждого устройства с ЭВМ по вышеприведенной формуле для оптимальной частоты опроса устройств. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs ₂:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

Изобретение относится к тонкопленочной технологии, в частности к изготовлению гибридных интегральных микросхем (ГИМС). Технический результат - повышение качества защиты и электроизоляции поверхности топологического рельефа рисунка ГИМС, снижающее отказы из-за возможных замыканий на участках пересечения элементов рисунка навесными монтажными проводниками и преждевременной деградации физико-химических свойств токоведущих дорожек, а также повышение технологичности изготовления и увеличение конструкторских возможностей создания ГИМС за счет расширения интервала величин рельефа топологического рисунка в сторону увеличения при уменьшении межэлементных зазоров рисунка. Достигается тем, что в способе изготовления тонкопленочной структуры ГИМС сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона, включающем получение на поверхности подложки рисунка пассивных и коммутационных элементов, после получения рисунка элементов наносят защитный диэлектрический слой полиимидного лака на поверхность микросхемы посредством центрифугирования, прерывающегося с соблюдением запаса времени перед снижением текучести полиимидного лака в связи с началом его высыхания, в течение этого запаса времени выдерживают микросхему в условиях растекания полиимидного лака по всей поверхности топологического рельефа рисунка указанных элементов, включая их боковую поверхность, и заполнения межэлементных пространств и проводят сушку полиимидного лака. Затем во время подготовки поверхности микросхемы к монтажу навесных компонентов и навесных монтажных проводников, методом фотолитографии нанесенного полиимидного лака с использованием позитивного фоторезиста, формируют на поверхности элементов рисунка в местах их пересечения навесными монтажными проводниками и в случае эксплуатационной необходимости на поверхности других элементов рисунка - двухслойное защитное диэлектрическое покрытие в виде специально сохраненного и сочетающего функции дополнительного защитного диэлектрического слоя, предотвращающего преждевременную деградацию физико-химических свойств элементов рисунка и усиливающего их электроизоляцию, и контрастного слоя, улучшающего визуально-оптический контроль качества защиты и электроизоляции, технологического слоя позитивного фоторезиста на нанесенном на поверхности элементов рисунка защитном диэлектрическом слое полиимидного лака, и оба слоя сформированного защитного диэлектрического покрытия подвергают совместному термическому упрочнению, причем указанные слои наносят при формировании двойного слоя защитного диэлектрического покрытия без превышения общей толщины, соответствующей основным электрофизическим параметрам микросхемы, обеспечивающим допустимый СВЧ режим ее работы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной стадии обжига лазерным уплотнением поверхности. Достигается тем, что подложка после низкотемпературного обжига и лазерного фрезерования канавок для пасты подвергается сканированию лазерным лучем с площадью