компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Классы МПК:H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Царева Людмила Георгиевна
Приоритеты:
подача заявки:
1991-07-15
публикация патента:

Использование: для защиты p-n-переходов приборов, работающих в условиях отвода тепла при больших токах. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности компаунда достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; гексагональный нитрид бора 25; толуол 5. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий роливсан МВ-1 и толуол, отличающийся тем, что в его состав введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Роливсан МВ-1 70

Толуол 5

Гексагональный нитрид бора 25

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к электронной технике, в частности может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике для защиты p-n-переходов приборов от внешних воздействий, работающих в условиях отвода тепла при больших токах.

Известны электроизоляционные кремнийорганические лаки, представляющие собой растворы кремнийорганических полимеров, модифицированных или немодифицированных органическими соединениями, в органических растворителях. Лаки марок КО-916, КО-916А, КО-918, КО-921, КО-922, КО-926, КО-928, КО-945 не имеют механических включений. Массовая доля нелетучих веществ колеблется от 45компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223972% для одних марок до 70компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 202239725 для других, продолжительность желатинизации, например для КО-926 - 5-20 мин, для КО-928 1-10 мин., удельное объемное эл. сопротивление пленки лака не менее 1012 Омкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397м, электрическая прочность пленки лака не менее 60-70 МВ/м (см. ГОСТ 16508-70. Лаки кремнийорганические электроизоляционные).

Недостаток лаков - низкий коэффициент теплопроводности. Широко распространена эмаль ЭП-91, представляющая собой суспензию пигментов в эпоксидном лаке с добавлением карбомидоформальдегидной смолы (см. эмаль электроизоляционная ЭП-91 ГОСТ 15943-80): массовая доля нелетучих веществ - 36-40%; удельное объемное эл.сопротивление 1015 Ом компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 см; tg компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 при f = 106 Гц: при T = (20+2)оС компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 0,045; после действия относительной влажности (98компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223972)%; при T = (40компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 2)оС в течение 48 ч компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223970,055.

Недостатком лака является низкая теплопроводность.

Известен лак ПАИ-М (см. ШКФЛО 020.010 ТУ), который представляет собой однокомпонентную систему с содержанием нелетучих от 20 до 30% и с концентрацией следующих ионных примесей,%: Na+ 2 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 10-4 K+ 2 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 10-4 Cl 5 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 10-4

Для получения требуемой вязкости лака ПАИ-М разбавляется N,N-диметилацетамидом, диметилформамидом. После сушки лак представляет собой прозрачную пленку зеленоватого цвета. Недостатком лака ПАИ-М является необходимость использования осушенных, либо с минимальным содержанием влаги, растворителей; хрупкость, невозможность таблетирования; отсутствие теплопроводности; большое количество летучих компонентов: 70-80%. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к заявляемому изобретению является теплостойкий компаунд роливсан МВ-1 [1], который представляет собой глицериноподобную мономерно-олигомерную композицию в исходном состоянии, состоящую из ненасыщенных эфиров и олигоэфиров: бис(4-винилфениловый) эфир, метакриловый эфир 4-винил-4-(1-оксиэтил) дифенилоксида, диметакриловый эфир бис 4-(1-оксиэтил) фенилового эфира, олигоэфиры общей формулы:

компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397xArкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397CH=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397CHкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397Arкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397CH=CH)компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397Ar, где X = -CH = CH2 или

CH2=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397OOкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397

Ar = n - Ph OPh; n = 0-3, толуол.

Отверждение компаунда происходит с помощью полимеризационно-полициклоконденсационного метода; когда имеет место трехмерная совместная полимеризация ненасыщенных компонентов системы. Недостатком компаунда является невысокая теплопроводность.

Целью изобретения является повышение удельной теплопроводности компаунда.

Цель достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора (BNг) при следующем соотношении ингредиентов, мас.% : Роливсан НВ-1 70

Гексагональный нитрид бора BNг 25 Толуол 5

Гексагональная структура BNг состоит из графитоподобных сеток, расположенных одна под другой, с чередованием атомов B и N, построенных из правильных гексагонов с углом между связями 120оС, с координатами атомов в элементарной ячейке BNг:

B - 0,0,0; 1/3, 2/3, 1/3;

N - 1/3, 2/3, 0; 0,0,1/2 и плотностью 2,279 г/см3.

BNг устойчив в нейтральных и восстановительных газовых средах, устойчив против окисления: окисление начинается при T = 750 - 800оС. Заметное разложение BNг в парах H2O наступает при Т = 130оС. BNг не разлагается концентрированными и разбавленными HCl, HNO3, царской водкой, смесью HNO3 с пероксидом водорода, а также растворами щелочей при температуре кипения.

BNг не взаимодействует с Br, Cu, Au, Ag, B, Ia, In, Je, Si, Sn, Al, Co, Ni, Fe и их оксидами при T < 1000оС.

BNг относится к числу наиболее легких и деформативных веществ из всех модификаций нитрида бора. Его твердость по минералогической шкале Мооса находится между 1 и 2. Малая твердость, высокая дисперсность, легкость скольжения между слоями, хорошая теплопроводность позволяют успешно использовать порошок BNг в качестве передающей давление и тепло среды в отвержденном компаунде.

Изготовление компаунда продемонстрировано на следующем примере.

1. Компаунд составлен из роливсана МВ-1 70%; гексагонального нитрида бора BNг 25%; толуола - 5%.

Если увеличение дозировки BNг приводит к значительному эффекту теплопроводности, но к неравномерному распределению покрытия по толщине наносимого слоя и увеличению вязкости, то уменьшение дозировки не обеспечивает наглядного эффекта отвода тепла.

2. Роливсан МВ-1 помещается в емкость, которая нагревается в воздушном термостате (ТУ 16531409-72) или в жидкостном ультратермостате УТ-15 (ТУ 64-1-26-22-75) при Т = 60-70оС до получения гомогенной массы при периодическом взбалтывании.

3. Производится отбор необходимого количества роливсана в стеклянную, фарфоровую или из нержавеющей стали емкость и взвешивание на лабораторных равноплечных весах 3 кл. ВЛР-1 кг. (ГОСТ 24ЛО4-80).

4. Соединяются тщательным перемешиванием расчетные количества толуола и BNг, а следующим этапом - с подогретым роливсаном.

Жизнеспособность подготовленного компаунда составляет не менее 24 ч.

Для проведения испытаний подготовлены макетные образцы в форме "таблеток" диаметром 14компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223972 мм и высотой 4компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223971 мм. В качестве материала формы использовалось кварцевое стекло. Отверждение компаунда производилось в термостате. Измерение коэффициента теплопроводности компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 производилось на измерителе теплопроводности экспресс-методом ИТЭМ-1М.

Результаты измерений коэффициента теплопроводности компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397 , состав компаунда, габариты отвержденной "таблетки", режим отверждения сведены в таблицу.

Использование компаунда существенно повышает способность передавать тепло от разогретого объема в окружающее пространство и способно обеспечить значение интенсивности отказов в течение минимальной наработки полупроводниковых приборов компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022397э = 3 х 10-7 1/ч.

Класс H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

способ изготовления микроэлектромеханических структур и устройство для его осуществления -  патент 2511282 (10.04.2014)
способ сборки трехмерного электронного модуля -  патент 2492549 (10.09.2013)
изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером -  патент 2472247 (10.01.2013)
невоспламеняющиеся композиции, содержащие фторированные соединения, и применение этих композиций -  патент 2469016 (10.12.2012)
способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария -  патент 2459012 (20.08.2012)
повышение разборчивости речи с использованием нескольких микрофонов на нескольких устройствах -  патент 2456701 (20.07.2012)
ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура -  патент 2425184 (27.07.2011)
способ пассивации и защиты граней резонатора полупроводниковых лазеров -  патент 2421856 (20.06.2011)
способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии -  патент 2407101 (20.12.2010)
способ изготовления детектора короткопробежных частиц -  патент 2378738 (10.01.2010)
Наверх