компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Классы МПК:H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Автор(ы):,
Патентообладатель(и):Царева Людмила Георгиевна
Приоритеты:
подача заявки:
1991-07-15
публикация патента:

Использование: в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий при работе в режиме больших токов. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем введения в состав композиции сфалеритного нитрида бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; сфалеритный нитрид бора 25. 1 табл.
Рисунок 1

Формула изобретения

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий роливсан МВ-1 и толуол, отличающийся тем, что в него введен сфалеритный нитрид бора при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Роливсан МВ-1 70

Толуол 5

Сфалеритный нитрид бора 25

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в качестве защиты p-n-переходов приборов от внешних воздействий при работе в режиме больших токов и в условиях отвода тепла.

Известны электроизоляционные кремнийорганические лаки типа КО-916, КО-916А, КО-918, КО-921, КО-922, КО-926, КО-928, КО-945, которые представляют собой растворы кремнийорганических полимеров, модифицированных или немодифицированных органическими соединениями, в органических растворителях. Лаки не имеют механических включений, массовая доля нелетучих веществ колеблется от 45компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223982% для одних лаков до 70компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223982% для других. Продолжительность желатинизации, например, для лака КО-926 - 5-20 мин, КО-928 - 1-10 мин, удельное объемное электросопротивление пленки лака не менее 1012 Омкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398м.

Электрическая прочность пленки лака не менее 60-70 мВ/м (см. ГОСТ 16508-70. Лаки кремнийорганические электроизоляционные).

Недостаток лаков - низкий коэффициент теплопроводности.

Широко распространена эмаль ЭП-91, представляющая собой суспензию пигментов в эпоксидном лаке с добавлением карбамидоформальдегидной смолы (см. эмаль электроизоляционная ЭП-91 ГОСТ 15943-80): удельное объемное сопротивление 1015 Омкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398см; Tg компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 ( компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 0,45 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 0,055).

Недостатком лака является низкая теплопроводность.

Известен лак ПАИ-М (см. ШКФЛО 020.010 ТУ), который представляет собой однокомпонентную систему с содержанием ионных примесей,%: Na+ 2компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 202239810-4 K+ 2компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 202239810-4 Cl 5компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 202239810-4 и который для получения требуемой вязкости разбавляется диметилацетамидом, диметилформамидом.

Недостатком лака ПАИ-М является необходимость использования осушенных либо с минимальным содержанием влаги растворителей, растрескивание и вспучиваемость отвержденного лака, большое количество летучих веществ, низкая теплопроводность.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к предлагаемому изобретению является теплостойкий компаунд роливсан МВ-1 [1], который представляет собой глицериноподобную мономерно-олигомерную композицию в исходном состоянии, состоящую из ненасыщенных эфиров и олигоэфиров: бис (4-винилфениловый)эфир, метакриловый эфир 4-винил-4-(1-оксиэтил) дифенилоксида, диметакриловый эфир бис-4-(1-оксиэтил)фенилового эфира, олигоэфиры общей формулы:

компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398xAкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398CH=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398CH Ar CH=CH)компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398Ar, где X=-CH-CH2 или CH2=компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398OOкомпаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398

Ar = n - Ph OPh, n = 0 компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 3; толуол. Компаунд отверждается с помощью полимеризационно-полициклоконденсационного метода, когда имеет место трехмерная совместная полимеризация ненасыщенных компонентов системы. В процессе отверждения при Т = 120-250оС выделяется лишь 4-6% летучих продуктов (в основном воды и метакриловой кислоты).

Недостатком компаунда является невысокая теплопроводность.

Целью изобретения является повышение удельной теплопроводности компаунда.

Цель достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен сфалеритный нитрид бора BNсф при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: Роливсан МВ-1 70 BNсф 25 Толуол 5

Тетраэдрическая структура BNсф построена по принципу плотнейших упаковок с К = 0,74, Z = 12 и плотностью компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 = 2,275 г/см3. Элементарная ячейка содержит 8 атомов с координатами:

B - 0,0,0; 1/2, 1/2, 0; 1/2, 0, 1/2, 1/2;

N - 1/4, 1/4, 1/4; 3/4, 3/4, 1/4, 3/4, 1/4, 3/4; 1/4, 3/4, 3/4, с межслоевым расстоянием - 0,2087, одинаковыми длинами связей и с углами между связями - 109о 26"25". BNсф стоек к воздействию агрессивных сред: кислотных, щелочных. В условиях разрешения до 10-5 Па BNсф не окисляется до Т = 1400оС. BNсф устойчив к воздействию водяного пара: при T = 900оС степень гидролизации BNсф составляет от 4,7% (2 ч) до 9,4% (6 ч).

Компаунд на основе роливсана МВ-1 и сфалеритного нитрида бора составлен следующим образом.

Разогревается роливсан при T = 60-70оС в воздушном или жидком ультратермостате при T = 60компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 202239870оС до получения гомогенной массы при периодическом взбалтывании.

При тщательном перемешивании соединяются расчетные количества толуола и сфалеритного нитрида бора, а затем - с подогретым роливсаном. Жизнеспособность подготовленного компаунда составляет 24 ч.

Для проведения испытаний подготовлены макетные образцы в форме "таблетки" диаметром 14компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223981 мм и высотой h = 4компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 20223981 мм с различным содержанием сфалеритного нитрида бора в композиции. В качестве материала формы использовано кварцевое стекло. Измерение коэффициента теплопроводности компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398 произведено на макетных образцах с помощью измерителя теплопроводности ИТЭМ-1М экспресс-методом. Результаты измерений коэффициента теплопроводности, состав компаунда, габариты отвержденной "таблетки", режимы отверждения компаунда, количество летучих компонентов сведены в таблицу.

Дальнейшее увеличение дозы сфалеритного нитрида бора приводит к увеличению вязкости, препятствующей растеканию нанесенного компаунда по поверхности.

Применение компаунда позволяет увеличить срок наработки и обеспечить предполагаемое значение интенсивности отказов в течение минимальной наработки до компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов, патент № 2022398э = 3 х 10-7 1/ч.

Класс H01L21/02 изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

способ изготовления микроэлектромеханических структур и устройство для его осуществления -  патент 2511282 (10.04.2014)
способ сборки трехмерного электронного модуля -  патент 2492549 (10.09.2013)
изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером -  патент 2472247 (10.01.2013)
невоспламеняющиеся композиции, содержащие фторированные соединения, и применение этих композиций -  патент 2469016 (10.12.2012)
способ изготовления тонких пленок на основе моносульфида самария -  патент 2459012 (20.08.2012)
повышение разборчивости речи с использованием нескольких микрофонов на нескольких устройствах -  патент 2456701 (20.07.2012)
ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура -  патент 2425184 (27.07.2011)
способ пассивации и защиты граней резонатора полупроводниковых лазеров -  патент 2421856 (20.06.2011)
способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии -  патент 2407101 (20.12.2010)
способ изготовления детектора короткопробежных частиц -  патент 2378738 (10.01.2010)
Наверх