Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов – H01C 17/00

Изобретение относится к изготовлению прецизионных пленочных резисторов. Устройство содержит источник опорного напряжения (1), устройство сравнения (2), измеритель сопротивления (3), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) (4), мультивибратор (5), регистр сдвига (6), первую группу элементов И (7-1 7-n), блока хранения данных (8), вторую группу элементов И (9-1 9-n), цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) (10), генератор факельного разряда (11), рабочий электрод (12), подгоняемый резистор (13), подложкодержатель (14), элемент ИЛИ (15). Техническим результатом является повышение точности и стабильности процесса факельной подгонки толстопленочных резисторов с помощью разрядов различной мощности. 1 ил.

Изобретение относится к устройству для лазерной подгонки резисторов, преимущественно выполненных по тонкопленочной или толстопленочной технологии на подложках из поликора, ситалла и керамики. Устройство содержит рабочий стол, лазерный излучатель (2) с оптической и прецизионной XY кинематической системами, размещенные на XY координатных столах (5, 6) с Z-микролифтом зонды (7, 8), цифровую измерительную систему (9) с блоками (10, 11) позиционирования и установки зондов на контактные площадки, блок (12) позиционирования пятна и задания зоны и траектории реза лазерного излучателя. Блоки (10, 11) позиционирования и установки зондов связаны с блоком (13) задания зон перемещения зондов. Прецизионная XY кинематическая система, управляемая блоком (12), обеспечивает позиционирование пятна лазерного излучателя и выполнение подгоночного реза. Размещение и фиксацию подложки осуществляют на рабочем столе. Каждый из зондов перемещают на контактные площадки XY координатными столами (5, 6), которые управляются блоками (10, 11). Измерение данных, поступающих с зондов, обеспечивается цифровой измерительной системой (9). В блоке (13) реализована технология безаварийного движения измерительных зондов между контактными площадками. В результате достигается надежность работы устройства и предотвращается повреждение обрабатываемого изделия. 11 ил.

Изобретение относится к способу получения покрытий. Защитное лакокрасочное покрытие способно формировать бездефектную твердую пленку и может быть использовано для окраски электрорадиоизделий, в том числе резисторов цилиндрической формы с аксиальными выводами. Способ получения покрытия включает нанесение на электрорадиоизделие эмали ЭПИМАЛЬ^®-992П с введенным в нее дополнительным компонентом - изофороном количественным содержанием от 1,0 до 1,5 мас.% и сушку. Сушку нанесенной эмали осуществляют в течение 7 мин 30 с при температуре 140-160°С. Технический результат - высокое качество окраски и требуемая степень высыхания получаемого покрытия, а также снижение количества дефектных резисторов цилиндрической формы с аксиальными выводами. 1 табл.

Способ изготовления резистора включает намотку резистивной проволоки на цилиндрический каркас двумя секциями различных типов проволоки, которые электрически соединяют металлическим хомутом. Место их соединения разделяет каркас в отношении, близком по предполагаемому отношению температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) материалов проволоки секций, полученных по температурным характеристикам отжига. Осуществляют регулировку характеристики температурной зависимости сопротивления путем сматывания проволоки с каркаса. Выполняют термообработку резистора, добиваясь получения заданных ТКС резистивных секций различного знака, регулируя режим термообработки. Определяют отношение величин ТКС секций и поочередным сматыванием с них проволоки, используя промежуточные измерения сопротивлений секций, обеспечивают выполнение соотношений:

R=R1+R2,

где ₁, ₂ - ТКС секций; R1, R2, ₁, ₂ - их электрические и удельные сопротивления; n, m - количество витков первой и второй секций; R - полное электрическое сопротивление резистора, - таким образом, чтобы при сматывании сохранять установленную пропорцию витков секций, обеспечивая ТКС резистора равным нулю и доводя его полное сопротивление до номинального значения. Технический результат - достижение низкого абсолютного значения ТСК резистора и высокой точности доводки его сопротивления до номинального значения при упрощении способа изготовления резистора. 3 ил.

Предлагаемое изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления пленочных резисторов. Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов включает последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующим вжиганием его в воздушной атмосфере. Улучшение качества поверхности резистивного слоя, а также радиотехнических характеристик устройств с таким пленочным резистором является техническим результатом изобретения. В предложенном способе чередуют нанесение проводникового слоя с вжиганием его на отдельные участки изолирующей подложки, при температуре 840-860°C в течение 55±5 минут, затем осуществляют нанесение резистивного слоя и вжигание его при температуре 805±2°C в течение 70±5 минут поэтапно, с последующим контролем номинала резистивных элементов, причем при завышенном номинале подгонку производят при температуре 820±10°C в течение 5-10 минут, а при заниженном номинале - при температуре 690±10°C в течение 5-10 минут, после чего производят лужение в расплавленном припое окунанием при температуре 250±10°C. 1 ил.

Изобретение относится к способу окраски и сушки электрорадиоизделий, в том числе резисторов цилиндрической формы с аксиальными выводами, с получением защитного лакокрасочного покрытия. Предлагаемый способ заключается в том, что для окрашивания изделий готовят эпоксидную эмаль ЭПИМАЛЬ^®-9114 введением в нее 30%-ного раствора 2-метилимидазола в диэтиленгликоле в количестве 0,5-1,0% от массы эмали. Далее проводят сушку эмали в течение 16-22 мин при температуре 180-200°С с получением покрытия. Заявленный способ позволяет повысить качество покрытия и обеспечить требуемую степень высыхания. 1 табл.

Изобретение относится к области тонкопленочной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении резистивных микросборок, а также мощных резистивных ВЧ аттенюаторов, содержащих низкоомные и высокоомные резисторы. В способе получения высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке последовательно напыляют на подложку две резистивные пленки, сначала с высоким удельным поверхностным сопротивлением, затем с низким удельным поверхностным сопротивлением, проводниковый слой и последовательно формируют методами фотолитографии сначала низкоомные резисторы, затем высокоомные резисторы - путем селективного химического стравливания низкоомной резистивной пленки с поверхности высокоомной резистивной пленки, в качестве высокоомной и низкоомной резистивной пленки используют один и тот же материал, разделенный промежуточной разделяющей пленкой с удельным поверхностным сопротивлением, превышающим удельное поверхностное сопротивление высокоомной резистивной пленки. В качестве низкоомной и высокоомной резистивной пленки используют пленки тантала или нитрида тантала, а в качестве промежуточной разделяющей пленки используют пленки иттрия. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при изготовлении прецизионных чип-резисторов. Целью изобретения является повышение эксплуатационной надежности прецизионных чип-резисторов. Способ содержит следующие технологические операции: 1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя серебряной или серебряно-палладиевой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки; 2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя; 3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке; 4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне; 5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал; 6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой; 7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы; 8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки; 9) ломку рядов пластины на чипы; 10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля; 11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в экспериментальной механике для точного измерения веса, вибраций, сил. Технический результат: упрощение процесса изготовления, уменьшение трудоемкости технологических операций. Сущность: металлическую поверхность, например алюминиевую, окисляют методом глубокого пористого анодирования до формирования пленки окисла толщиной, обеспечивающей надежную электрическую изоляцию тензорезистора от поверхности металла. Упрочняют пленку окисла обжигом в азотной атмосфере. Наносят в вакууме слой SiO₂ или Ta₂O₅, полируют его до 14 класса чистоты. Наносят на него слой нихрома с необходимым удельным сопротивлением посредством термического испарения нихрома из тигля в вакууме. Изготавливают по тонкопленочной фотолитографии рисунок тензорезистора. Затем напыляют в вакууме слои алюминия и меди, методом фотолитографии формируют контактные площадки и приваривают к ним токопроводящие проводники. Готовый тензорезистор изолируют сверху слоем SiO ₂. 4 ил.

Изобретение может быть использовано при изготовлении непроволочных цилиндрических резисторов на операции лужения никелированных медных выводов. Обработку поверхности выводов осуществляют активным гидразинсодержащим флюсом, содержащим, мас.%: гидразин дигидрохлорид 2,0-4,0, двухатомный спирт 57,0-42,0, поверхностно-активное вещество 8,0-4,0, глицерин 33,0-50,0. Затем проводят погружение выводов в расплавленный припой групповым способом при температуре расплавленного припоя 320-400°С. Способ обеспечивает высокое качество лужения с одновременным снижением трудоемкости технологического процесса лужения, что в конечном итоге способствует повышению производительности непроволочных цилиндрических резисторов. 1 табл.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению непроволочных цилиндрических резисторов с аксиальными выводами, которые перед использованием окрашивают эпоксидной эмалью и сушат. Сущность изобретения состоит в том, что в эпоксидную эмаль, перед нанесением на изделие, вводят катализатор - 30% раствор 2Метилимидазола в диэтиленгликоле, в объеме 3-7% от массы эмали «ЭПИМАЛЬ-992У», а сушку эмалевого покрытия производят за 1-2 мин при температуре 180±20°С. Способ окраски и сушки радиоэлементов обеспечивает повышение качества нанесения и сушки многослойного эмалевого покрытия, увеличение скорости формирования покрытия, что в конечном итоге повышает производительность и качество изготовления непроволочных цилиндрических резисторов. 1 табл.

Изобретение относится к способам изготовления электронагревательных элементов методом пламенного напыления. В способе формования электронагревательного элемента методом пламенного напыления металлической и/или метаплооксидной матрицы металлическую и/или металлооксидную матрицу наносят методом пламенного напыления на изолирующую или проводящую подложку таким образом, чтобы получить более высокое сопротивление, чем необходимо для планируемого использования, при этом на указанную матрицу в поперечном направлении подают импульсное высокое напряжение постоянного тока таким образом, чтобы создать в указанной матрице непрерывные токопроводящие пути, что приводит к достижению постоянной повышенной полной проводимости и, соответственно, пониженного полного сопротивления указанной металлической и/или металлооксидной матрицы с получением требуемого значения сопротивления. Существующее сопротивление матрицы определяют посредством подачи на матрицу дополнительного непрерывно прикладываемого напряжения постоянного тока. Устройство для изготовления электронагревательных элементов содержит средства нанесения металлической и/или металлооксидной матрицы на изолирующую или проводящую подложку методом пламенного напыления, средства подачи непрерывно прикладываемого первого напряжения постоянного тока на матрицу, средства определения сопротивления указанной матрицы, средства подачи второго напряжения постоянного тока на матрицу, средства контроля повышения тока, протекающего через металлооксиднцю матрицу посредством подачи непрерывно прикладываемого первого напряжения постоянного тока. Техническим результатом является достижение постоянной повышенной проводимости и, соответственно, пониженного полного сопротивления металлической и/или металлооксидной матрицы с получением требуемого значения сопротивления. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления тонкопленочных резисторов на диэлектрических подложках. Способ изготовления тонкопленочного резистора включает напыление на диэлектрическую подложку резистивного слоя, формирование контактных площадок, формирование методом фотолитографии резистивных элементов, определение величины сопротивления тонкопленочных резистивных элементов, подгонку до требуемой величины сопротивления и ТКС интегрального резистора на основании расчетных соотношений между сопротивлениями тонкопленочных структур, их ТКС и ТКС интегрального резистора, который выполняют в виде последовательной электрической цепи участков этого резистора, состоящей из первого и второго прямоугольных резистивных элементов с различными ТКС, по краям которой расположены две токовые контактные площадки, а третий резистивный элемент выполняют из основного резистивного материала и соединяют с телом интегрального резистора на стыке первого и второго резистивного элемента и третьей потенциальной контактной площадкой, причем все резистивные элементы формируют одновременно в результате операции травления резистивного покрытия, в ходе которой также формируют выступы различной длины в теле интегрального резистора, примыкающие к токовым контактам и позволяющие снизить пиковое значение выделяемой в области контакта мощности, доводят ТКС последовательно соединенных участков интегрального резистора до значений, имеющих различные знаки, методом термообработки, а затем доводят до нуля ТКС интегрального резистора методом лазерной подгонки, используя аналитическое соотношение R1/R2=( 2- )/( - 1), где R1, R2 - сопротивления соответственно первого и второго резистивных тонкопленочных элементов, 1, 2 - ТКС соответственно первого и второго резистивных тонкопленочных элементов, - ТКС интегрального резистора, при попеременном измерении сопротивлений последовательных участков интегрального резистора. Техническим результатом является создание обладающего технологической простотой способа прецизионного тонкопленочного резистора. 3 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а также измерительной техники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных микросборок, а более конкретно для конструирования и изготовления преобразователя температуры в напряжение электрического сигнала. В преобразователе «температура-напряжение», содержащем операционный усилитель и два резистивных делителя напряжения, выполненных по тонкопленочной технологии, выход первого из которых подключен к прямому входу операционного усилителя, выход второго делителя напряжения подключен к инверсному входу, вход первого резистивного делителя подключен к выходу источника опорного напряжения, а вход второго - к выходу операционного усилителя, делители напряжения изготавливают как отдельную микросборку, в которой между выводом подключения источника опорного напряжения и выводом подключения к инверсному входу операционного усилителя устанавливают дополнительный резистор, выполненный по единой технологии и из одного и того же материала, что и второй делитель напряжения, с сопротивлением, равным сопротивлению цепи обратной связи операционного усилителя. 4 ил.

Изобретение относится к прецизионным пленочным резисторам. Техническим результатом является повышение точности и производительности подгонки. Устройство содержит первый источник опорного напряжения (1), устройство сравнения (2), измеритель сопротивления (3), дифференцирующее устройство (4), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) (5), блок выделения абсолютного значения напряжения (6), компаратор (7), второй источник опорного напряжения (8), регистр сдвига (9), ждущий одновибратор (10), элементы И (11-1) (11-n), цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) (12), генератор факельного разряда (13), коммутатор (14), рабочие электроды (15-1) (15-n), подгоняемый резистор (16), подложкодержатель (17). Вершина излучающего конуса каждого из рабочих электродов расположена на фиксированном расстоянии от поверхности резистора (16), уменьшающемся с ростом порядкового номера рабочего электрода (15-1) (15-n). повышенные точность и производительность подгонки, что проявляется в наибольшей степени в области малых приращений сопротивления. Устройство содержит дифференцирующее устройство (4), блок выделения абсолютного значения напряжения (6), компаратор (7), второй источник опорного напряжения (8) и ждущий одновибратор (10). Указанные блоки обеспечивают учет температурных изменений подгоняемого сопротивления (16) и формирование минимального временного интервала между двумя циклами выжигания (учитывающего время остывания пленки и уменьшающегося с ростом номера разряда), в соответствии с чем устройство производит подгонку. Техническим результатом является повышение точности и производительности подгонки. 1 ил.

Изобретение относится к прецизионным пленочным резисторам. Устройство содержит первый источник опорного напряжения (1), устройство сравнения (2), измеритель сопротивления (3), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) (4), блок повторного включения разряда (5), регистр сдвига (6), мультивибратор (7), элементы И (8-1) (8-n), второй источник опорного напряжения (9), цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) (10), блок выбора наименьшего значения напряжения (11), генератор факельного разряда (12), коммутатор (13), рабочие электроды (14-1) (14-n), подгоняемый резистор (15), подложкодержатель (16), компаратор (17), дополнительный электрод (18), третий источник опорного напряжения (19). Вершина излучающего конуса дополнительного и каждого из рабочих электродов расположена на фиксированном расстоянии от поверхности резистора (15), уменьшающемся с ростом порядкового номера рабочего электрода (14-1) (14-n). В устройстве использован умножающий ЦАП (10) и введен второй источник опорного напряжения (9) (обеспечивающих автоматическое задание энергии факельного разряда в зависимости от температуры испарения резистивной пленки), также устройство снабжено коммутатором (13), дополнительными входом и выходом и введен третий источник опорного напряжения (19), блок выбора наименьшего значения напряжения (11), компаратор (17) и дополнительного электрода (18), кроме этого, использован реверсивный регистр сдвига 6 и введен блок повторного включения разряда (5). Техническим результатом является повышение точности подгонки и расширение ее функциональных возможностей. 1 ил.

Изобретение относится к области электричества, в частности к радиоэлектронике, и может быть использовано при изготовлении многослойных гибридных интегральных микросхем. Способ изготовления пленочных резисторов включает доводку сопротивления до номинального значения путем прорезки лазерным лучом щели в пленочном резисторе, предварительно покрытом слоем негативного фоторезиста, по которому выполняют лазерную резку пленочного резистора. Затем боковые стороны щели и слой фоторезиста с нанесенными на него продуктами испарения от лазерной резки покрывают изолирующим слоем из позитивного фоторезиста. Техническим результатом является повышение качества и снижение трудоемкости. 2 ил., 1 табл.

Использование: преимущественно для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов с прецизионными характеристиками. Материал для изготовления тонкопленочных резисторов содержит хром, железо, алюминий, диоксид кремния, титан и окись алюминия (алунд), характеризуется тем, что он дополнительно содержит окись магния и диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%: хром - 5-9; железо - 10,5-15; алюминий - 7-9; диоксид кремния - 38-48; титан - 21,4-27; окись алюминия (алунд) - 1-2,6; окись магния - 0,5-3; диоксид церия - 1-4. Резистивный материал обеспечивает получение высокоомных прецизионных тонкопленочных резисторов с ТКС±15×10^-6 1/°С с более линейной зависимостью ТКС от температуры в диапазоне от +20 до +125°С и ТКС±15-25×10^-6 1/°С в диапазоне температур от -60 до +20°С. 1 табл.

Изобретение повышает точность диаметра каркаса проволочного резистивного элемента. Устройство для нанесения лака на каркас резистивного элемента содержит раскладчик микропровода, емкость для лака, в которой выполнены входное и выходное отверстия под каркас. Оно снабжено двумя датчиками измерения диаметра каркаса, один из которых устанавливают перед входным отверстием, а второй после выходного отверстия. Вокруг выходного отверстия выполнена полость, заполненная гидропластом. Наружные стенки выходного отверстия выполнены на конус, а на торце выходного отверстия выполнен тонкостенный гофр. Выход первого датчика через элемент задержки соединен с первым входом устройства сравнения, выход второго датчика соединен со вторым входом устройства сравнения, выходы устройства сравнения соединены с входами дифференциального пневмоцилиндра. Устройство позволяет стабилизировать толщину наносимого на каркас лака при изменении диаметра каркаса, что исключает возможность превышения толщины слоя лака сверх допустимого. 5 ил.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике. Техническим результатом является повышение надежности резисторов путем уменьшения контактного сопротивления _k в месте нанесения проводникового слоя на резистивный и снижения трудоемкости изготовления резисторов. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает в себя нанесение на подложку резистивного слоя, очистку поверхности резистивного слоя, по меньшей мере, на площади адгезионного контакта с проводниковым слоем двухслойной структуры, раствором, содержащим 80,0 г двухромовокислого калия (K₂Cr ₂O₇) на 1,0 л и серной кислоты (H ₂SO₄) в пределах 3÷40 с при температуре раствора в пределах 20÷22°С, исключающих остатки органических соединений, с одной стороны, и, с другой, адсорбцию хрома на поверхности резистивного слоя, с последующей промывкой, например, в деионизированной воде, и нанесение на очищенную поверхность проводникового слоя в виде двухслойной структуры, в которой в качестве материала для адгезивного подслоя берут ванадий. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления тонкопленочных резисторов интегральных схем, а также дискретных электрорадиоэлементов. Техническим результатом является повышение выхода годных резисторов. При изготовлении тонкопленочных резисторов стабилизация их параметров производится термообработкой резисторов в термопечи следующим образом: сначала доводят температуру термопечи с установленными в ней резисторами до (345÷365)°С, выдерживают 3 часа, охлаждают вместе с термопечью до температуры (18÷25)°С, снова доводят температуру термопечи до (375÷385)°С, выдерживают 2 часа и снова охлаждают вместе с термопечью до температуры (18÷25)°С.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления датчиков, и может быть использовано при создании малогабаритных металлопленочных датчиков механических величин, работоспособных в широком диапазоне рабочих температур (-196 - +150)°С. Техническим результатом является снижение трудоемкости изготовления тонкопленочного резистора и увеличение выхода годных. Поставленная цель достигается тем, что в предложенном способе изготовления высокотемпературного тонкопленочного резистора из материала на основе никеля и хрома, заключающемся в формировании в вакууме резистивных монослоев с отрицательным и положительным ТКС, послойное формирование резистивных монослоев проводят в едином технологическом цикле, причем резистивный слой с отрицательным ТКС формируют электронно-лучевым испарением, а резистивный слой с положительным ТКС - термическим испарением, при этом сопротивление двухслойного тонкопленочного резистора определяется математическим выражением. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к способам изготовления контактов чип-резисторов толстопленочной технологии и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при производстве резисторов по толстопленочной технологии. Способ образования контактов чип-резисторов толстопленочной технологии включает образование контактных площадок путем нанесения на керамические подложки методом трафаретной печати с последующим вжиганием серебросодержащей пасты и окунанием торцов подложки в сплав, содержащий серебро, перед нанесением гальваническим путем слоя никеля с последующим нанесением слоя сплава припоя также гальваническим методом наносится слой меди. Техническим результатом является повышение надежности внутриконтактных соединений чип-резисторов толстопленочной технологии.

Изобретение относится к технологии изготовления резисторов, в частности к стабилизации и подгонке тонкопленочных резисторов, и может быть использовано при производстве металлопленочных тензорезисторных датчиков давления, силы, деформации и гибридных интегральных схем в радиотехнической и приборостроительной промышленности. Способ стабилизации и подгонки тонкопленочных резисторов импульсами напряжения определенной амплитуды, длительности и скважности включает стабилизацию и подгонку в едином технологическом цикле при неизменной амплитуде, длительности и скважности импульсов напряжения. Стабилизацию проводят "пакетами" импульсов напряжения до нижнего не изменяющегося значения сопротивления, которое фиксируют контрольным "пакетом" импульсов напряжения, после чего осуществляют подгонку сопротивлений резисторов подачей на них "пакетов" импульсов напряжения, в которых количество импульсов увеличивают в несколько раз, а в промежутках между "пакетами" импульсов непрерывно контролируют изменение сопротивлений резисторов. Устройство для реализации указанного способа содержит источник питания постоянного тока, релейный блок управления устройством, формирователь импульсов с элементом, регулирующим амплитуду импульсов напряжения и блок управления измерением и структурированием, который содержит счетчик количества импульсов, переключатель диапазонов, счетчик времени индикации, логические элементы "ИЛИ-НЕ", "ИЛИ" и триггер, а также ключевую схему. Изобретение позволяет расширить функциональные возможности и проводить стабилизацию структуры резистивного слоя за счет исключения скрытых дефектов и подгонку тонкопленочных резисторов в одном технологическом цикле при неизменной амплитуде, длительности и скважности импульсов напряжения с постоянным контролем изменения величины сопротивления резисторов, а также упростить конструкцию устройства для осуществления процесса. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники и измерительной техники и может быть использовано в электронной промышленности и измерительной электронике. Тонкопленочный измерительный резистор содержит резистивный слой на диэлектрической подложке в форме меандра из нихрома или другого резистивного материала, на края которого нанесены алюминиевые слои, являющиеся контактами для подключения тока, проходящего через резистор. В него дополнительно введены резистивные слои для приема и усреднения потенциала вдоль линии тока граничной области токового контакта, которые выполнены из того же резистивного материала в форме полос - продолжений резистора, перпендикулярных направлению тока, втекающего и вытекающего из резистора, причем на их края нанесены алюминиевые слои, являющиеся потенциальными контактами. Техническим результатом является повышение точности воспроизведения требуемого сопротивления и упрощение конструкции тонкопленочного резистора. 3 ил.

Изобретение относится к технологическим процессам изготовления тонкопленочных резисторов. На керамическую подложку методом ионно-плазменного распыления наносят токопроводящий слой и проводят температурную обработку в атмосфере воздуха. Далее, не позднее чем через 12 часов после напыления полученные заготовки подвергают термообработке в воздушной среде при температуре от 630 до 720°C в течение времени от 30 до 60 минут, замеряют ТКС, которое должно принять только положительное значение. Описанный способ улучшает эксплуатационные характеристики получаемых резистивных элементов за счет повышения их температурной и электрической нагрузочной способности.

Изобретение относится к приборостроению, а именно технике радиоэлектронных устройств, и позволяет получать резистивные покрытия, работоспособные в широком интервале температур. Заявленный способ имеет преимущество перед известными простотой технологии получения и, следовательно, пониженными трудозатратами. Способ изготовления аморфного резистивного слоя включает ионно-плазменное распыление и конденсацию сплавов 3d-металлов, осаждение осуществляют в среде рабочего газа-аргона при давлении 2·10^-1 Па, ускоряющем напряжении на дополнительном аноде порядка 1000 В, напряжении смещения - 80 В, при температуре подложки 280 К, расстоянии от мишени до подложки 0,13 м. Материал резистивного слоя из сплавов магнитных 3d-металлов, имеющий химический состав, включающий от 10 до 90 ат.% одного и двух элементов: Fe, Ni, Co и от 90 до 10 ат.% одного из лигандов: V, Cr, Ti, низкий уровень шумов в низкочастотной области. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Настоящее изобретение относится к области электронной техники и может использоваться в технологии производства тонкопленочных микросхем. Способ лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем, включающий непрерывное удаление материала пленочного элемента в виде непрерывного реза изменяющейся ширины лазерным лучом, сфокусированное пятно которого перемещается по поверхности пленочного элемента, испаряя его материал, до достижения заданного значения номинала подгоняемого параметра, лучу придают колебательное движение, амплитуду которого при приближении подгоняемого параметра к номинальному значению плавно уменьшают, а частоту модуляции лазерного луча выбирают из условия: f V_пр/2D, где V_пр - скорость перемещения пятна лазерного луча вдоль линии тока, D - диаметр пятна луча, причем амплитуду и размеры пятна выбирают таким образом, чтобы рез был непрерывным, а удаляемое количество материала покрытия соответствовало требуемой точности. Скорость уменьшения амплитуды при вхождении подгоняемого параметра в зону своего номинального значения изменяют согласно математическому выражению. 1 табл., 2 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для производства микроэлектронных устройств и дискретных элементов. Технический результат: повышение выхода годных резисторов по параметрам точности за счет уменьшения влияния неконтролируемых дестабилизирующих факторов в процессе осаждения резистивных пленок. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочных резисторов, включающем предварительную термообработку в вакууме подложек, установленных в подложкодержатели, путем радиационного нагрева и изотермической выдержки в течение 10÷15 мин, осаждение резистивной пленки на нагретые до температуры 340÷380°С подложки, их стабилизирующий отжиг при температуре осаждения в течение 30 мин, предварительную термообработку проводят при температурах, на 80÷100°С превышающих температуру осаждения, а осаждение резистивной пленки производят при выключенном нагревателе подложек. 1 табл.

Устройство может быть использовано в технологической операции подгонки нормируемых параметров резисторов. Устройство содержит кодоуправляемый делитель напряжения, выполненный на основе резистивной матрицы R-2R, двоичный счетчик, генератор импульсов, нуль-орган. Измеряемый резистор включают последовательно с кодоуправляемой резистивной матрицей R-2R в одно из плеч моста. Генератор импульсов вырабатывают импульсы, которые поступают на вход двоичного счетчика. Сопротивление резистивной матрицы устанавливается в соответствии с кодом на выходе двоичного счетчика. При достижении равновесия моста запоминают цифровой код, соответствующий сопротивлению измеряемого резистора. Затем измеряемый резистор заменяют резистором с образцовым сопротивлением и процесс нахождения цифрового кода, соответствующего балансу моста, повторяют. Предлагаемый способ включает все преимущества мостовых методов измерений. 3 ил.