устройство для автоматического управления процессом выращивания монокристаллов из расплава
Классы МПК: | C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского G05D27/00 Одновременное управление или регулирование переменных величин, относящихся к двум или более основным группам 1/00 |
Патентообладатель(и): | Соболев Петр Филиппович |
Приоритеты: |
подача заявки:
1990-08-13 публикация патента:
30.11.1994 |
Изобретение относится к устройствам выращивания монокристаллов из расплава и может быть использовано при производстве монокристаллов по методу Чохральского. Сущность: устройство дополнительно содержит задатчик скорости кристаллизации и сравнивающее устройство, при этом выходы задатчика скорости кристаллизации и аналого-дискретного дифференциатора соединены с входом контура стабилизации частоты вращения монокристалла через сравнивающее устройство. 1 ил.
Рисунок 1
Формула изобретения
УСТРОЙСТВО ДЛЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА, содержащее регулятор и силовой блок, контуры стабилизации частоты вращения и перемещения монокристалла, дискретный датчик высоты подъема монокристалла, аналого-дискретный дифференциатор, функциональный преобразователь, сравнивающее устройство с задатчиком массы монокристалла, отличающееся тем, что, с целью обеспечения самонастройки на плоский фронт кристаллизации, в устройство включены задатчик скорости кристаллизации и второе сравнивающее устройство, причем выход задатчика скорости кристаллизации соединен через ключ и интегратор функционального преобразователя с задатчиком массы монокристалла и одновременно с аналого-дискретным дифференциатором через второе сравнивающее устройство с контуром стабилизации частоты вращения монокристалла.Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к устройствам производства монокристаллов из расплава и может быть использовано при производстве монокристаллов по методу Чохральского. Известно устройство для выращивания монокристаллов из расплава в тигле, включающее камеру, тигель с расплавом, нагреватель, привод перемещения затравки, цепь измерения перемещения затравки датчик веса монокристалла, цепь, включающая переменный резистор, механически связанный с приводом перемещения затравки, компаратор, выдающий сигнал управления, пропорциональный дифференциальному соотношению веса к длине монокристалла, устройство регулирования, связанное с компаратором и приводом вытягивания, обеспечивающий процесс стабилизации дифференциального соотношения веса монокристалла к его длине и диаметра монокристалла [1]. Однако известное устройство имеет недостаток заключающийся в том, что в схеме управления отсутствует функциональный преобразователь который необходим для автоматического управления частотой вращения растущего монокристалла на его конусной и цилиндрических частях. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению известно устройство содержащее регулятор и силовой блок, контуры стабилизации частоты вращения и перемещения монокристалла, датчик массы монокристалла, дискретный датчик высоты подъема монокристалла, аналого-дискретный дифференциатор, функциональный преобразователь, сравнивающее устройство [2] . Отсутствие задатчика скорости кристаллизации монокристалла и отсутствие связи выходов задатчика и аналого-дискретного дифференциатора с входом контура стабилизации частоты вращения монокристалла не обеспечивает устройству свойства самонастройки на плоский фронт кристаллизации, вследствие чего известное устройство имеет невысокую точность работы с большим количеством дислокаций и напряжений в монокристаллах, т.е. с плохими физическими качествами получаемых монокристаллов. Цель изобретения - обеспечение устройству свойства самонастройки и повышение точности работы. Цель достигается включением в устройство задатчика скорости кристаллизации и второго сравнивающего устройства и соединением выходов задатчика скорости кристаллизации монокристалла и аналого-дискретного дифференциатора с входом контура стабилизации частоты вращения монокристалла через второе сравнивающее устройство. На чертеже изображена функциональная блок-схема устройства. Устройство содержит нагреватель 1, расплав 2, тигель 3, монокристалл 4, шток 5, датчик 6 массы монокристалла, контур 7 стабилизации частоты вращения монокристалла, дискретный датчик 8 высоты подъема монокристалла, силовой блок 9, регулятор 10, первое сравнивающее устройство 11, второе сравнивающее устройство 12, аналого-дискретный дифференциатор 13, задатчик 14 массы монокристалла, задатчик 15 скорости кристаллизации, первый интегратор 16, второй интегратор 17, третий интегратор 18, первый выключатель 19, второй выключатель 20, третий выключатель 21. Устройство работает следующим образом. Ростовая температура в тигле 3 с расплавом 2 поддерживается на номинальном уровне с помощью нагревателя 1, питаемого силовым блоком 9. В шток 5 встроен датчик 6 массы монокристалла, выдающий измеренное значение текущего веса монокристалла в функции времени Mn(t). Вращение штока 5 вместе с датчиком 6 массы и монокристаллом 4 осуществляется контуром 7 стабилизации частоты вращения монокристалла. Дискретный датчик 8 высоты подъема монокристалла соединен со штоком 5, выдает импульсы, следующие через интервалы dt, которые поступают по входу j на аналого-дискретный дифференциатор 13, на который по входу К поступает информация о текущем измеренном значении массы монокристалла M
f3 = F

k - число разрядов. Частота f3 связана с числом a3 так, что, если сама функция от t, то формула (1) примет вид
f3 = F



Nзад(t) = F

- по уравнению прямой линии. Число Мзад(t) по входу e поступает на первое сравнивающее устройство 11, на которое одновременно по входу d поступает измеренное значение массы монокристалла Мизм(t). В результате на выходе h этого сравнивающего устройства имеется разность





- уравнение квадратичной параболы. Интегрируя (6), получают N3 =



- уравнение кубической параболы. Таким образом для программирования числа Nзад(t) на выходе задатчика массы монокристалла при выращивании конуса монокристалла согласно (5), (6), (7? необходимо соединить три цифровых интегратора. Однако в этом случае функцию первого интегрирования выполняет интегратор 16, второго интегрирования интегратор 17, третьего 18. Выключатели 19, 20 и 21 в этом случае замкнуты. Частота f3 на выходе p интегратора 18 имеет период следования dt3 = 1/f3, за время которого масса монокристалла возрастает на величину dМ. Приращение массы dМ, отнесенное к периоду dt, образует скорость кристаллизации dM/dt. Заданная скорость кристаллизации dM/dt в виде двоичного числа N2(t) генерируется на выходе n второго интегратора 17 следующим образом. Для двоичного числа N1(t) на выходе интегратора имеется
N1(t) = F


N1(t) = F.2-ka1(t). (9) Число N1(t) при замкнутом выключателе 19 из интегратора 16 поступает в интегратор 17, у которого на выходе n за то же время в интервале от нуля до t будем иметь в результате второго интегрирования
N2(t) = F


N2(t) =


N3(t) =


N2(t) =








Класс C30B15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского
Класс G05D27/00 Одновременное управление или регулирование переменных величин, относящихся к двум или более основным группам 1/00